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引用本研究：Bhadauria, A.P.S., Singh M., Kumar, R., & Kumar, A., (2025)。使用机器学习 T 进行边缘计算中的实时入侵检测
边缘计算的普及为通过在更靠近数据源的地方处理数据，优化延迟敏感和带宽密集型应用程序带来了新的机会。此外，这种范式转变也带来了独特的安全挑战，特别是在入侵检测领域。在边缘计算环境中，数据在更靠近数据源的网络边缘进行处理，实时入侵检测对于保障系统安全至关重要。攻击者也在利用边缘网络的快速扩展。相反，由于行为复杂、处理能力低下，传统的入侵检测系统 (IDS) 无法检测到高速实时网络中最新类型的攻击模式。本研究介绍了一种开发有效 IDS 模型来处理实时网络中此类威胁的新方法，并探讨了针对边缘计算环境的实时入侵检测系统 (IDS) 的设计和实现。所提出的模型被认为是系统性和可靠的，并且采用了监督式机器学习 (ML) 技术。目标是实时准确地识别和分类网络中的有害入侵或恶性活动。为了训练和测试模型，本研究使用了一个自创的数据集，该数据集同时利用了恶意和良性的 PCAP（数据包捕获文件）。为了确定 IDS 模型的有用性，使用随机森林、决策树、额外树和 K-最近邻作为分类技术。所提出的 IDS 模型在适应性和可扩展性等几个因素上表现出色。该模型还产生了更高的准确度、检测率、F 度量、精确度、召回率和更低的 FPR。
通过机器学习方法实时入侵检测
摘要在许多网络安全环境中，敌对行动的实时检测在保护网络基础架构中起着基本作用。在这种情况下，基于签名或异常检测的入侵检测系统（IDS）被广泛用于分析网络流量。基于签名的检测依赖于已知攻击特征的数据库，并且异常检测主要基于人工智能（AI）技术。后者有望实时检测新型的网络攻击。在这项工作中，我们提出了Retina-IDS，该框架将CicflowMeter工具与机器学习技术集成在一起，以分析实时网络流量模式并检测可能提出可能入侵的异常。所考虑的机器学习技术，随机森林和多层网络基于选定的功能，以提高效率和可扩展性。要选择功能并训练模型，我们使用了公共数据集Csecici-IDS2018的版本。通过识别不同形式的入侵，框架的有效性已在实际情况下进行了测试。分析结果，我们得出结论，提出的解决方案显示出宝贵的特征。
EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II SCDT - Flexe Center网络研讨会系列 认知 - 科学。pdf 建议格式 X射线衍射（XRD） 夏季入学（2023-24-i）... 的临时入围名单 b'' 未成年人名单 研究模块_v6 修订的课程清单（2023-2024-II） 对钢铁行业及其可持续性途径的调查 价格清单 PHY 690K：量子动力学，信息和计算
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology, Kanpur EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II Schedule: Lectures: 10:00 AM – 11:00 AM MWF (L1) Tutorials: 10:00 AM – 11:00 AM Tu (TB103-TB106) Text: Semiconductor Devices and Circuits, Aloke Dutta, Oxford University Press, 2008 References: * Analysis and模拟集成电路的设计； P.R.Gray，P.J。Hurst，S.H。 刘易斯和R.G. Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Hurst，S.H。刘易斯和R.G.Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C.temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C.史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K.iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。I-V特征和基本半导体设备（二极管，BJT和MOSFETS）的小信号模型2。偏见3。放大器4。输出阶段5。放大器的低和高频响应6。放大器的稳定性和补偿7。操作放大器分级：教程评估（微型Quizzes）15％2个测验（1月30日和3月27日）15％中期30％末端 - 末端 - 40％注释：所有相关材料都将在Brihaspati中发布在任何情况下，在任何情况下都可以在任何情况下发布，均不允许使用MINI-QUIZZ