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World File Search System时降额
元器件可靠性降额分析
摘要：确保长期可靠运行是当今电子系统面临的最大挑战之一。元件对各种电气、热、机械、化学和电磁应力的脆弱性增加，对实现各种关键任务应用所需的可靠性构成了巨大威胁。降额可以定义为将设备上的电气、热和机械应力限制在其规定或已证实的能力以下的水平，以提高可靠性。如果希望系统可靠，那么主要因素之一必须是保守的设计方法，包括部件降额。许多制造商意识到需要降低电子和机电部件的额定值，因此制定了内部降额实践指南。在本项目中，选择了用于航空航天应用的陷波滤波器电路。将使用 E-CAD 工具进行电路模拟。将按照 MIL-STD-975A 中给出的方法进行进一步的降额分析，并提供符合此标准的设计裕度。任何产品成功的关键在于其可生产性、质量和可靠性。开发新产品、制作原型并验证其性能需要付出大量努力。如果要大批量生产并尽量减少拒收，则需要付出更多努力。拒收数量最少或首次成品率提高可节省生产成本、测试时间和资源。因此，它有助于降低产品成本。还要求交付给客户的产品在其预期的生命周期操作压力下能够令人满意地运行而不会出现故障。它应该在其预期的使用寿命内或需要运行时继续保持这种性能，这一因素称为可靠性。可靠的产品性能可提高客户满意度并为制造商树立品牌。组件对各种电气、热、机械、化学和电磁应力的脆弱性增加，对实现各种关键任务应用所需的可靠性构成了巨大威胁。降额是在低于部件额定值的应力条件下运行的做法。简介：
先进技术组件降额 - DTIC
将零件的电应力、热应力和机械应力限制在其规定或已证实的能力以下的水平的做法，以提供操作安全裕度并提高系统可靠性。大多数承包商已经制定了自己的内部降额做法，但直到最近，国防部 (DoD) 还没有标准做法。 RL
元器件可靠性降额分析
摘要：确保长期可靠运行是当今电子系统面临的最大挑战之一。组件对各种电气、热、机械、化学和电磁应力的脆弱性增加，对实现各种关键任务应用所需的可靠性构成了巨大威胁。降额可以定义为将设备上的电气、热和机械应力限制在其规定或已证实的能力以下以提高可靠性的做法。如果希望系统可靠，则主要因素之一必须是结合部件降额的保守设计方法。意识到需要降低电子和机电部件的额定值，许多制造商已经制定了降额实践的内部指南。在本项目中，选择了航空航天应用中的陷波滤波器电路。将使用 E-CAD 工具进行电路模拟。将按照 MIL-STD-975A 中给出的方法进行进一步的降额分析，并提供针对此标准的设计裕度。任何产品成功的关键在于其可生产性、质量和可靠性。开发新产品、制作原型并证明其性能需要付出很多努力。如果要以最少的拒收次数进行大批量生产，则需要付出更多努力。拒收次数最少或首次良品率提高可节省生产成本、测试时间和资源。因此，它有助于降低产品成本。还要求交付给客户的产品在其预期的生命周期操作压力下能够令人满意地运行而不会出现故障。它应该在其预期的使用寿命内或需要运行时继续保持这种性能，这就是所谓的可靠性。可靠的产品性能可提高客户满意度并为制造商树立品牌。组件对各种电气、热、机械、化学和电磁应力的脆弱性增加，对实现各种关键任务应用所需的可靠性构成了巨大威胁。降额是在低于部件额定值的应力条件下运行的做法。简介：
储能和可再生能源降额因素
下图显示了 y 轴上较短持续时间存储降额系数（0.5 小时、1 小时和 2 小时）与 x 轴上 0.5 小时至 2 小时持续时间内预计的总安装容量之间的关系（拟合了对数曲线以说明一般拟合度），来自之前的 ECR。出现这种趋势的原因是，当安装更多较短持续时间容量时，3 小时 LOLE 的压力事件分布会转向较长事件，因为使用短持续时间存储容量可以避免更多较短事件。请注意，如果较长持续时间（例如 4-12 小时）被归类为持续时间受限，也会受到此趋势的影响（见下一张幻灯片）。
组件降额指南 高可靠性电源...
注：T J 为元件的最大额定结温。> (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 其他类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 三端双向可控硅类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 晶闸管/SCR 类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 齐纳型二极管 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 电压参考>（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C瞬时抑制器>（T J -10）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -10）O C <（T J -50）O C Power Rectifier>（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -50） >（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C小信号二极管>（T J -10）O C（T J -50）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -50）O C <（T J -50）O C Transistors>（T J -50） -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C FET
具有快速关断特性的单通道同步整流控制器
当同步整流管完全开启后， VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高，当 VDS 电压增大到 -30mV 时， Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低；当 VDS 电压增大到 -20mV 时， Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时， WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时，关断屏蔽时间开始计时，此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ，退出关断屏蔽 计时。
