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使用开尔文探针力显微镜阐明纳米级单层 MoS2 中的压电性和应变
摘要：应变工程改变了原子级薄过渡金属二硫化物光学和电子性质。二维材料中高度不均匀的应变分布很容易实现，从而能够控制纳米级的性质；然而，探测纳米级应变的方法仍然具有挑战性。在这项工作中，我们通过开尔文探针力显微镜和静电门控表征非均匀应变单层 MoS 2，将应变的贡献与其他静电效应隔离开来，并能够测量长度小于 100 纳米的二维应变张量的所有分量。这些方法的组合用于计算由压电效应产生的静电势的空间分布，提供了一种表征非均匀应变和压电性的强大方法，可以扩展到各种二维材料。关键词：二维材料、过渡金属二硫化物、应变、压电性、开尔文探针力显微镜