涂敷粘合促进剂并旋转干燥后,将光 BCB 膜直接旋涂到基材上。用于沉积树脂的精确条件(例如旋转速度)将根据所需的最终膜厚度和所使用的树脂配方而有所不同。表 6 显示了 Cyclotene ™ 4022-35、4024-40 和 4026-46 树脂在软烘烤(参见第 4 节)后的厚度与旋转速度的关系以及曝光、显影和固化后的最终厚度。最终固化膜中的大部分膜厚度损失发生在显影步骤中。固化步骤(除去除残留显影剂溶剂外)中的膜厚度损失小于 5%。表 6 中的厚度是使用开放式旋转碗测定的。如果使用有盖或封闭的杯式涂布机,厚度将有所不同,并且取决于旋转时间和旋转速度。图 3 显示了使用开放式和封闭式碗配置的膜厚度比较。
光学光刻技术包括将特定图案从光学掩模转移到沉积在基板上的感光聚合物(通常称为光刻胶)上(Levinson,2005;Mack,2007;Xiao,2012)。因此,第一个主要步骤是沉积均匀的薄膜。这是通过旋涂工艺实现的(Luurtsema,1997)。将少量材料倒入基板中心。然后高速旋转基板,通过离心力将涂层材料摊开。图 1 表示了该过程的示意图。然后,经过热烘烤工艺后,基板通过光学掩模暴露于紫外光源下,以将图案从掩模转移到光刻胶上。曝光会导致光刻胶发生化学变化,当样品浸入溶液深处(称为显影剂)时,可以去除曝光的光刻胶(正片光刻)或未曝光的光刻胶(负片光刻)。通过控制掩模版和光刻胶之间的距离来实现最大分辨率
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶,专为微加工和其他微电子应用而设计,这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改良配方,多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性,能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率,这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久性应用。
未来几年,我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂,溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂(显影剂)的适当显影过程后,可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中,正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域(未辐照区域)被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射(电子束和离子束)的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定,辐射效率可以用吸收能量每单位(即电子伏特)的平均化学事件数(断链或破坏)来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域,非常重要的一点是
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶,专为微加工和其他微电子应用而设计,这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方,多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性,能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率,这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
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PHYS 421 - 纳米加工的材料安全和设备概述 - NMT 311 本课程概述了基本的纳米加工加工设备和材料处理程序,重点关注安全、环境和健康问题。涵盖的主题包括:洁净室操作、环境、安全和健康问题、真空泵系统操作、环境安全和健康问题(涵盖直接驱动机械、罗茨鼓风机、涡轮分子和干式机械系统);热处理设备操作、安全、环境和健康问题(涵盖水平、垂直、快速热退火工具);化学气相沉积系统操作、安全、环境和健康问题(涵盖气体输送、腐蚀性和易燃气体储存和管道、调节器和质量流量控制器);真空沉积/蚀刻系统操作、安全、环境和健康问题(涵盖微波和射频电源和调谐器、加热和冷却装置、真空计、阀门和过程控制器)。具体的材料处理问题包括使用去离子水、溶剂、清洁剂、有机材料、离子实施源、扩散源、光刻胶、显影剂、金属电介质和有毒、易燃、腐蚀性和高纯度气体以及包装材料引起的问题。
随着光刻技术在缩小微电子设备方面的能力不断提高,对改进的光刻胶材料的需求也日益迫切,尤其是对于极紫外 (EUV) 光刻胶。在这项工作中,我们研究了一种称为“alucone”的 Al 基混合薄膜光刻胶的分子层沉积 (MLD),这扩展了我们之前对 Hf 基混合薄膜“hafnicone”作为 EUV 光刻胶进行测试的研究。Alucone 在 100 ºC 下使用金属前体三甲基铝和有机前体乙二醇生长。与 hafnicone 一样,alucone 表现为负性光刻胶,可以分辨 50 纳米线宽,但初步数据表明 alucone 的线条图案比 hafnicone 的线条图案更清晰。使用 3 M HCl 作为显影剂时,铪酮的灵敏度为 400 μC/cm 2,而 alucone 的灵敏度则不太好(使用 0.125 M HCl 时为 4800 μC/cm 2)。我们对 alucone 的研究为 MLD 薄膜的结构特征提供了新的见解,从而可以实现所需的 EUV 响应行为。这一见解可能会加速用于电子束和 EUV 光刻的气相沉积无机光刻胶的开发。关键词:光刻胶、薄膜、极紫外 (EUV) 光刻、分子层沉积 (MLD)、原子层沉积 (ALD)、有机-无机混合材料
最近,具有 25 nm T 栅极的 InP 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 已被证明可在 1.1 THz 下放大 [1],这使得传统电子设备在太赫兹应用方面比光学设备更具竞争力。尽管积极推动 T 栅极的占用空间变得更短以实现更高的工作频率现已成为热门研究课题,但针对 100 nm 以下 T 栅极的稳健且经济高效的 T 栅极工艺仍然是行业的首要任务。在本文中,我们将展示格拉斯哥大学在超短 T 栅极工艺开发方面的最新进展。该工艺涉及在 PMMA/LOR/CSAR 三层 EBL 光刻胶堆栈上进行单次电子束光刻 (EBL) 曝光。通过仔细控制光刻胶厚度、电子束剂量以及适当的显影剂和显影时间,我们开发了一种可靠且稳健的工艺,用于具有各种脚和头长度的 T 栅极。图 1 显示了 GaAs 半绝缘基板上典型 T 栅极的扫描电子显微镜 (SEM) 图像。与最先进的 T 门工艺[3][4]相比,新工艺具有多项优势,并且有可能将 HEMT 的 THz 操作占用空间进一步缩小至 20 纳米以下。我们将在会议上更详细地阐述该工艺。
摘要在许多发展中国家中使用超塑料的使用非常罕见。然而,其包含在混凝土中增强了混凝土的机械和耐用性能。文献中存在关于混凝土中磺化萘甲醛(SNF)超塑料的性能的文献差距,尤其是在撒哈拉以南建筑业中,生产中使用的聚集物的质量值得怀疑。这项研究产生了用局部采购的坑砂生产的两批混凝土,其特征强度为30 MPa。一批没有SNF超塑料来作为对照,而另一批是通过掺入超塑料制成的。研究了压缩和弯曲强度,弹性和动态模量的新鲜特性,以及缩写和弯曲强度的硬化特性。此外,研究了包括吸附,吸水,吸水性,氯化物穿透,电阻率和酸发作的耐用性指标。该研究的结果表明,在混凝土中掺入SNF超塑剂可提高可加工性和混凝土内离子迁移率的降低。这归因于互连孔的存在下降,从而导致机械性能的显着增强,例如增加强度,以及弹性和动态模量的改善。此外,含有SNF超级增塑剂的混凝土比没有SNF超塑料的混凝土更好地保护混凝土免受酸性攻击。该研究建议在混凝土中使用SNF超塑剂来提高可加工性,通过更少的互连孔减少离子运动以及增强的机械性能,从而有可能提高整体耐用性。关键字:SNF超显影剂,新鲜特性,硬化特性,耐用性指标,酸性攻击,本地沙