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肌萎缩性侧硬化症（ALS）的新治疗靶
所有这些在细胞中都起着非常重要的作用。核膜是围绕细胞核的双层结构，在保护细胞核免受细胞质和保护细胞核中的DNA免受外部影响方面发挥作用。核膜是控制重要过程的一个场所，例如细胞中的DNA复制，转录和修复。核膜对于维持核的形状也很重要，并且在稳定核的结构中也起作用。 核孔是嵌入核膜中的复合物，并用作在细胞核和细胞质之间运输材料的途径。细胞核中所需的蛋白质和RNA通过核孔传输，相反，在细胞核中合成的RNA和核糖体亚基中的RNA转运到细胞质。该传输非常严格控制，对于单元的正常运行至关重要。 如果这些结构无法正常运行，细胞将无法执行正常的基因表达或蛋白质合成，从而对细胞功能造成严重损害。因此，核膜和核孔是细胞寿命支持的极其重要的结构。 到目前为止，已经有几份有关ALS中核膜和核孔的报道，但是讨论的解释和意义一直在继续。在该研究组中，我们建立了IPS细胞（Ichiyanagi N等。运动神经元与干细胞报告的分化2016（Setsu S等人Biorxiv 2023），此外，使用ALS患者的验尸组织（脊髓）来阐明核鞘和核孔的病理。 3。进行了研究内容和结果（1）免疫染色，以评估运动神经元（18个月大）野生型小鼠和FUS-FUS-ALS模型小鼠的运动神经元（聊天量）（聊天定型）中核膜（层层B1，lamin a/c）的形态。 FUS-ALS模型小鼠中的运动神经元显示出与核膜相对应的部分的亮度和圆度降低（图1）。此外，核孔的形态学评估（NUP62）显示核孔中存在缺陷。这些结果证实，在FUS-ALS模型小鼠中，核膜和核孔受损。
使用近似刺激呈现技术的稳态视觉诱发电势...
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学生 - 普罗西普斯-2025.pdf
3。National Certificate (Vocational) Ÿ Students who have successfully completed a National Certificate Vocational NC(V) Level 4 qualification will require the following and will be subject to Faculty Admission Specifications and Placement Tests: Ÿ NC(V) level 4 certificate with 3 fundamental subjects 60% (Life Orientation included) and 4 relevant vocational subjects at 70% for degree程序。•NC（v）4级认证，3个基本学科50％（包括生活取向）和3个强制性职业学科，分别为60％的文凭课程。4。使用您的NSC或12级大学豁免结果，该系统是一个简单的计算，任何潜在的学生都可以完成，以确定他/她是否符合最低要求的要求，以提交：•limpopo和limpopo大学和pecially of Limpopo and•大学内部的一名专家所提供的特定计划。符合特定程序的最低AP，保证入学。
柔软却坚硬！？开发出与生物骨性质相似的金属材料
[研究背景] 在当今的超老龄化社会中，因疾病或受伤而患有骨骼和关节疾病的人数增加正在成为一个问题，对于植入体内进行治疗的生物材料的需求日益增加。金属材料具有强度与延展性优异的平衡性，且机械可靠性高，因此被广泛用作必须支撑大负荷的骨替代植入物。 植入物需要具有优异的耐磨性和耐腐蚀性。但由于它是一种高强度的金属材料，其力学性能一般与柔韧的活骨有显著差异，而且其特别高的杨氏模量是有问题的。当植入物的杨氏模量远高于骨骼时，大部分力会施加在植入物上而不是周围的骨骼上（这种现象称为应力屏蔽），这会导致骨质萎缩、骨矿物质密度降低和骨折风险增加。因此，近年来，需要开发具有与活骨相当的低杨氏模量的新型金属材料。 临床上最常用的生物医学金属材料是价格低廉的不锈钢SUS316L、耐磨性优良的CoCr合金、杨氏模量相对较低的Ti（钛）合金。然而，不锈钢和现有的钴铬合金的杨氏模量大约比活骨高10倍。虽然存在杨氏模量较低的Ti合金，但其杨氏模量高于活骨，且存在耐磨性低的问题。目前，很少有金属材料能具有与活体骨骼相当的杨氏模量，同时还具有优异的耐磨性和耐腐蚀性。特别是，低杨氏模量这一重要的机械性能通常与高耐磨性之间存在权衡关系，开发出一种兼具这些特性的新型合金一直很困难。 另一方面，在尖端医疗中使用的超弹性合金中，表现出约8％超弹性应变的NiTi（镍钛）合金的应用最为广泛。然而，NiTi合金中含有较高的Ni元素，人们担心其可能会引起过敏反应。为此，人们开发出了不含Ni的Ti基超弹性合金，但其超弹性应变仅为NiTi合金的一半左右。 【主要发现】
马克西姆·索科尔
特拉维夫大学材料科学与工程系，拉马特阿维夫 6997801，以色列 摘要 先进的 2D 材料（如 MXenes）表现出卓越的电气、机械和热特性，使其成为集成电路架构中理想的替代品，而传统金属元件则受到持续小型化和功率限制的挑战。在这项工作中，我们介绍了一种可扩展的方法，通过结合光刻和旋涂技术来制作 10 纳米以下 MXene 薄膜图案。这种方法可确保形成均匀的微图案，而创新的、简单的 HCl 处理步骤可有效清除盐残留物，这是 MXene 合成中反复出现的问题。所得 MXene 薄膜厚度约为 6-7.5 纳米，光学透明，能够精确地进行微图案化，横向分辨率低至 2 µm。严格的分析表明，这些薄膜表现出卓越的导电性，并且 MXene-Si 结具有高光敏性。所提出的方法与现有的微电子制造装置无缝集成，标志着 MXene 在柔性、透明和可穿戴电子产品（从互连线和电极到高灵敏度光电探测器）中的应用取得了重大进展。
