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World File Search System晶体
光子时间晶体中的连续变量簇状态
量子计算有望基于量子力学原理进行计算，由于有可能解决许多传统计算机无法解决的实际问题，量子计算最近受到越来越多的关注 [1,2]。目前，有许多不同的物理平台被认为是实现量子计算的潜在候选平台。可以说，光子学是唯一可以扩展到一百万个物理量子比特的平台。然而，光子学也是这些平台中最具挑战性的——因为光子通常不会相互作用，而在单光子水平上实现双量子比特门非常困难 [3]。为了解决这个问题，有人提出了一种不同的计算模型，即基于测量的量子计算 [4–6]，它绕过了对量子门的需求。它只使用局部测量而不是幺正操作，但需要一个大规模高度纠缠的初始状态——簇状态。然后通过连续的自适应测量执行计算，这些测量将初始逻辑状态沿簇传送并有效地对其应用所需的幺正操作。物理上，这相当于将团簇态发射到光子电路中，让纠缠光子在电路中线性传播，在电路输出端口进行巧合检测，随后重新配置电路的结构[7]。
金属界面的CSPBBR3钙钛矿纳米晶体中光引起的降解的电子影响
摘要：在辐射下对钙钛矿设备中的界面特性的理解对于其工程至关重要。在这项研究中，我们展示了CSPBBR 3钙钛矿纳米晶体（PNC）和AU之间界面的电子结构如何受X射线，近红外（NIR）和紫外线（UV）光的照射的影响。可以通过使用低剂量X射线光电子光谱（XPS）来区分X射线和光线暴露的影响。除了金属铅（PB 0）的常见降解产物外，在暴露于高强度X射线或紫外线后，在PB 4F XPS光谱中鉴定出了新的中间分量（PB INT）。pb int分量被确定为单层金属Pb，是由钙钛矿结构破裂引起的pb诱导的pb的无电位沉积（upd）的单层金属Pb，允许PB 2+迁移。
磷酸钾（KTIOPO4）纳米晶体的合成和表征：水热和共沉淀方法与草酸含量上限剂的影响
钛基磷酸钾（KTIOPO 4），通常称为KTP，以其在量子和光学技术中的应用而闻名。这项研究的重点是采用水热和共沉淀方法的KTP纳米晶体的合成，采用草酸作为封盖剂。X射线粉末衍射（XRD）分析证实了正骨KTP晶体的成功合成。傅立叶变换红外（FT-IR）光谱进一步验证了KTP内的键结构，其特征带对应于其在所有光谱中始终观察到的晶体结构。定量分析表明，水热方法产生的KTP纳米颗粒的平均晶粒大小约为35 nm，而共沉淀方法产生的较小的纳米颗粒，平均晶粒尺寸为22 nm。值得注意的是，在水热法中将草酸作为封盖剂的引入将晶粒尺寸降低15％至约30 nm，而在共沉淀法中，它意外地将晶粒尺寸增加了20％，导致纳米颗粒的平均晶粒尺寸为26 nm。此外，与通过热液方法合成的样品（约0.5％）相比，在共同沉淀的样品中发现晶格内的应变更高（约0.8％）。这些发现强调了合成方法和封盖剂对KTP纳米颗粒的大小，形态和结构完整性的重要影响。这种见解对于优化针对光学设备，光子学和量子技术的各种应用量身定制的KTP纳米颗粒的合成至关重要。水热方法显示出在产生较大纳米颗粒的功效，而草酸作为涂料剂的存在在控制晶粒尺寸和增强结构稳定性方面起着关键作用。
纸晶体结构工作表答案
任务是解释一组与化学相关的问题，涉及晶体结构，包装因子，配位数，密度和晶格参数。1）对于以面部为中心的立方金属，通过考虑球的体积（原子）来得出并计算包装因子。回想一下，半径为“ r”的球体的体积由（4/3）πr³给出。2）NaCl和CSCL都是以面部为中心的立方结构。确定NaCl中Na和NaCl中CL的配位数，考虑到其离子半径：116 pm钠的钠和氯化物的167 pm。3）使用其公式的重量（58.44 g/mol）和晶格常数（5.640Å）来计算NaCl的密度。4）确定以人体中心结构的钨的配位数，因为其共价半径（单键）为137 pm。5）使用公式：ρ=（n×m） /（a³×n_a）6）基于其晶体结构和原子质量（183.84 g / mol）来计算钨的密度，鉴于tantalum的边缘长度为0.330 nm，从该信息中计算出该信息，并在该信息中计算出tantalum的边缘长度。7）黄金的晶体结构是以面部为中心的立方体，密度为19.3 g/cm³。使用它来确定其晶格常数（a）。8）计算银的面部中心立方单元的边缘长度，因为其半径为9.09 x 10^-11 m，密度为10.5 g/cm³。9）polonium采用简单的立方结构，而其他则是离子的。在PM中确定其单位电池边缘的长度。13）石墨烯是由常规的SP²杂交碳原子建造的二维晶格。10）如果氧化镁具有面部为中心的立方结构，其原子半径为mg（65 pm）和O（140 pm），密度为3.58 g/cm³，则计算其晶格常数（a）。11）鉴于氟化钙CAF2具有FCC Bravais晶格，并且在分数坐标处的Origin和F的CA基础上，绘制了该结构的一个常规立方单元。12）确定晶格常数为5.451Å，确定从Ca原子到A埃原子的距离。确定其Bravais晶格并绘制Wigner-Seitz原始单位单元。14）计算石墨烯中最近的邻居原子之间的距离，该原子给出为0.14 nm。15）编写基础向量，以描述石墨烯单位单元中原子的位置，首先是在绝对位置（具有X和Y-Components和Angstroms中的距离），然后在分数坐标中。应使用常规晶格向量表示分数坐标的原子位置，该量子与原始晶格向量相吻合。对于带有空间群227的晶体，通过考虑以下几个方面来确定其点组和Bravais晶格：首先，根据空间组允许的对称操作确定点组；其次，根据空间群是否与原始晶格或非主要晶格兼容，建立原始或居中的Bravais晶格的类型。
单层石墨烯场效应晶体管 (FET) 的直接偏置和频率相关小信号模型提取
摘要 — 我们提出了一种基于电荷准静态模型的显式小信号石墨烯场效应晶体管 (GFET) 参数提取程序。通过对 300 nm 器件进行高频（高达 18 GHz）晶圆上测量，精确验证了小信号参数对栅极电压和频率的依赖性。与其他只关注少数参数的工作不同，这些参数是同时研究的。首次将有效的程序应用于 GFET，以从 Y 参数中去除接触电阻和栅极电阻。使用这些方法可以得到提取小信号模型参数的简单方程，这对于射频电路设计非常有用。此外，我们首次展示了本征 GFET 非互易电容模型与栅极电压和频率的实验验证。还给出了测量的单位增益和最大振荡频率以及电流和功率增益与栅极电压依赖性的精确模型。
Billy Buddy针对网络欺凌 基于嵌入式的智能事故前出现，后... 晶体管微型化对量子的影响... Sightsense：增强对盲人的视野，在其中，声音用计算机视觉和语音绘制世界 使用... 根据学习时间来预测学生的结果 使用机器的投资建议系统... 生物发光混凝土的文献综述研究 使用Arduino 的智能vac Ultimate清洁机器人
摘要 - Billy Buddy反对网络欺凌的“基本上是为解决网络欺凌的安全空间，包括两个主要模块：管理员和用户。管理员模块包括安全登录，状态数据分析和用户管理，而用户模块允许注册，事件报告，与已解决类似问题的其他人进行讨论以及标记解决问题的问题。该平台通过OTP，配置文件管理为用户提供了密码恢复选项，并使用高级机器学习算法，其中包括随机森林，MLP分类器和ADABOOST来检测和分类网络欺凌。它是在Python，MySQL和Django中开发的，在HTML，CSS和JavaScript中具有直观的接口。“比利·巴迪（Billy Buddy）针对网络欺凌”的目的是针对一个有用的环境，用户可以利用先进的技术来解决这个严重的社会问题，并使数字世界成为更安全的地方，从而在其中用户可以报告和解决网络欺凌事件。Index Terms - Cyberbullying, Machine Learning, Random Forest, MLP Classifier, AdaBoost, Flask, Django, MySQL, Python, User Module, Admin Module, Problem Registration, Chat Support, Profile Management, State- wise Analysis, Data Classification, Web-based Platform, Cyberbullying Prevention, User Interaction, Secure Login, Dashboard, Sentiment Analysis.
胶体光子晶体制备和应用研究进展
图4（a）磁性纳米颗粒簇的水分散液的光学显微镜图像（比例尺：20μm）； （c）在2 ml玻璃容器中以10 mg/ml的浓度在水性分散体中的多色磁性纳米颗粒簇的视觉外观，以及（d）反射光谱的相应变化具有不同的EMF强度，通过改变样品和NDFEB Magnet之间的近距离来调节。 （e）将磁性纳米颗粒簇水液滴包裹在PDMS（聚二甲基硅氧烷）膜中，以及（f）使用硅胶毛细管填充的磁性纳米粒子簇在10 mg/ml中的磁性纳米颗粒分散剂的磁性纳米粒子散发的中国结设计，表现出蓝色的界面，呈蓝色的范围，远距离呈蓝色的范围。栏：1厘米）（经参考书的许可[44];版权（2021）皇家化学学会）。
基于 CoolGaN™ 晶体管的 FOC 电机驱动评估板
英飞凌科技提供的评估板和参考板的设计考虑了环境条件。英飞凌科技仅按照本文档所述对评估板和参考板的设计进行了测试。该设计在整个工作温度范围或使用寿命内的安全要求、制造和操作方面均不合格。英飞凌科技提供的评估板和参考板仅在典型负载条件下进行功能测试。评估板和参考板不受与常规产品相同的退货材料分析 (RMA)、工艺变更通知 (PCN) 和产品停产 (PD) 程序的约束。评估板和参考板不是商业化产品，仅用于评估和测试目的。特别是，它们不得用于可靠性测试或生产。因此，评估板和参考板可能不符合 CE 或类似标准（包括但不限于 EMC 指令 2004/EC/108 和 EMC 法案），并且可能不符合客户所在国家/地区的其他要求。客户应确保所有评估板和参考板的处理方式均符合其所在国家的相关要求和标准。评估板和参考板以及本文件中提供的信息仅供合格且熟练的技术人员用于实验室使用，并应根据本文件和相应评估板或参考板随附的其他相关文档中规定的条款和条件使用和管理。客户的技术部门有责任评估评估板和参考板是否适合预期应用，并评估本文件中提供的与此类应用相关的信息的完整性和正确性。客户有义务确保评估板和参考板的使用不会对人身或第三方财产造成任何损害。评估板和参考板以及本文档中的任何信息均按“原样”提供，英飞凌科技不提供任何明示或暗示的保证，包括但不限于不侵犯第三方权利的保证和适用于任何目的或适销性的暗示保证。英飞凌科技对因使用评估板和参考板和/或本文档中提供的任何信息而造成的任何损害概不负责。客户有义务辩护，赔偿并保护英飞凌科技免受因使用本文档而产生或导致的任何索赔或损害。英飞凌科技保留随时修改本文档和/或本文提供的任何信息的权利，恕不另行通知。
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。