RAFS 是 Rb 时钟。Rb 时钟本质上由压控晶体振荡器 (VCXO) 组成,该振荡器锁定在 Rb87 同位素基态中高度稳定的原子跃迁上。虽然 VCXO 的频率为方便的标准频率 10 MHz,但 Rb 时钟频率为微波范围内的 6.834 GHz。两个频率之间的链接是通过相位稳定的倍频方案实现的,其中合成频率被混合以实现精确匹配。
TM1681 的系统时钟用来产生系统工作的时钟频率。LED 驱动时钟、系统时钟可以取自片内的 RC 振 荡器(256KHz)或者使用 S/W 设置由外部时钟输入。系统振荡器构造如图7 所示。当SYS DIS 命令被 执行时,系统时钟停止,LED 工作循环将被关闭(这条指令只能适用与片内 RC 振荡器)。一旦系统时 钟停止时,LED 显示为空白,时基也会丧失其功能。LED_OFF 命令用来关闭 LED 工作循环,LED 工作 循环被关闭之后,用 SYS DIS 命令节省电源开支,充当省电命令;如果是片外时钟源被选择的话,使 用 SYS DIS 命令不能够关闭振荡器以及执行省电模式。晶体振荡器可以通过OSC 管脚提供时钟频率, 在这种情况下,系统将不能进入省电模式。在系统上电时,TM1681 默认处在 SYS DIS 状态下。
军事和航空电子应用 Q-Tech 提供最先进的混合晶体振荡器,适用于高可靠性军事、航空航天、井下和深空应用。我们提供完整的振荡器和晶体制造能力,从标准时钟振荡器到 RAD 硬空间额定 XO、TCXO、OCXO 和 SAW 振荡器。Q-Tech 的所有产品均符合我们非常高的设计、质量、准时交货和卓越客户服务标准。我们致力于为客户提供领先的频率控制解决方案。Q-Tech Corporation 提供一系列新的微型振荡器,采用 2.5 x 3.2mm、3.2 x 5mm 和 5 x 7mm 封装。这些微型振荡器有多种配置(XO、TCXO、VCXO)和逻辑类型(CMOS、PECL/LVDS、削波正弦波),将为 Q-Tech 客户提供迄今为止最小的选项,涵盖 -55C 至 +125C 的军用温度范围。此外,许多标准频率的 XO 都有库存,因此我们能够以最低的交货时间提供最常订购的频率。高温应用 Q-Tech 是井下和喷气发动机控制应用高温晶体振荡器的领导者。我们的高温产品均经过严格鉴定,并按照最高标准进行测试。我们继续推动最先进的技术,以提供更小尺寸的封装、更低的功率和电流要求以及实时时钟模块。我们的产品与竞争对手的不同之处在于我们出色的可靠性、性能和质量。
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性,应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量,包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
DBT 封装 • 集成混频器/振荡器/PLL(顶视图) • VHF-L、VHF-H、UHF 3 频段本地振荡器 • RF AGC 检测器电路 • I 2 C 总线协议双向数据传输 • 高压调谐电压输出 • 四个 NPN 型频段开关驱动器 • 一个辅助端口/5 级 ADC • 晶体振荡器输出 • 可编程参考分频器比 (24/28/32/64/80/128) • 可选数字 IFOUT 和模拟 IFOUT • 待机模式 • 5V 电源 • 38 引脚薄型小外形封装 (TSSOP)
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性,应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量,包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性,应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量,包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
卫星和其他航天器中使用的电子器件暴露在宇宙辐射中。为了确保这些器件的可靠性,应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多关于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 器件进行了 SEE 测量,包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。