卫星和其他航天器中使用的电子设备暴露在宇宙辐射中。为了确保这些设备的可靠性,应仔细研究辐射的影响。评估电子设备辐射可靠性的主要方法是测量其单粒子效应 (SEE) 截面与离子束电离功率的关系。之前已经发表了许多用于太空应用的 SEE 结果 [1-4]。本文讨论的研究旨在确定电子设备对单粒子闩锁 (SEL) 和单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。对十种不同类型的 CMOS 设备进行了 SEE 测量,包括 ADC、DAC、模拟开关、MOSFET 驱动器、数字合成器、延迟缓冲器和晶体振荡器。
6。调节电路调节电路主要由两个组件组成。 IC7812 b。 LM2576 7812电压调节器IC易于使用,成本非常低。7812的最后两位数字表示12 V LM2576的输出电压是一种电压调节器,也称为降压转换器。这主要像线性调节器中的预调节器一样使用。该技术主要用于减少电路内的振动和振荡。对于此技术,RC网络用于正常工作。可以通过选项访问此调节器,例如手动关闭,除线条调节和出色的负载外,外部开/关。列出了用于制备原型模型的其他组件的所有部分的零件是二极管,电阻器,电容器,LED灯,LED灯,晶体振荡器,按钮和开关等。
交流信号源 - 振荡器 - 振荡器的选择 - 巴克豪森标准。音频振荡器(维恩电桥振荡器 - 相移振荡器) - 射频振荡器(考毕兹振荡器 - 哈特利振荡器) - 晶体振荡器。信号发生器 - 扫频发生器 - 脉冲和方波发生器 - 函数发生器 - 衰减器。谐波分析 - 波形频谱 - 使用傅立叶变换器的谐波失真分析。谐波分析仪器 - 谐波失真分析仪。波形分析仪 - 频谱分析仪。传感器 - 传感器的分类 - 传感器的选择 - 应变传感器 - 位移传感器 - 电容式传感器 - 电感式传感器 - 压电传感器 - 温度传感器 - 光电传感器。数据采集系统 - 信号调理电路 - 数模转换器和模数转换器。数据采集系统和计算机控制测量。
摘要:提出了一种由晶体振荡器和自由运行介质谐振器振荡器 (DRO) 驱动的锁相环 (PLL) 级联。为了最大限度地降低相位噪声、杂散音和抖动,使用较低 GHz 范围内的可编程 PLL1 来驱动具有固定倍频因子的毫米波 (mmW) PLL2。相位噪声分析得出两个 PLL 的两个最佳带宽,以使级联的输出抖动最低。通过分频 PLL1 的输出频率并通过由 DRO 驱动的单边带 (SSB) 混频器对其进行上变频,可以进一步降低 PLL1 中的相位噪声和杂散音 (杂散)。通过将 SSB 混频器纳入 PLL1 的反馈环路中,可以避免手动调整 DRO,并且可以采用低噪声自由运行 DRO。本文介绍了 SiGe BiCMOS 技术中的一种示例设计。
ULP无线电使用高级数字发射器和双模式零IF IQ以及ULP模式的单支相相接收器Archi-Tecture。新颖的收发器体系结构以0.8V标称电压供应,增压电池寿命实现超低功率消耗。前端由零-IF I/Q接收器和一个D级PA组成。系统时钟由32MHz晶体振荡器提供。分数-N ADPLL由数字控制振荡器(DCO),I/Q信号产生,相位量化器和数字转换器(DTC)组成。它具有广泛的自我校准,例如DCO银行选择和2点增益校准。在FPGA上实施了完整的数字基带(DBB)和微控制器测试系统,以允许使用标准测试设备(例如蓝牙CMW/CBT测试)进行全系统评估。
ISBN:9788120351424。 实际作业清单:1。 在带有和不进行引导的情况下,实现BJT Darlington发射器追随者,并确定增益,输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器,并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性,并计算其漏极性,相互电导和扩增因子。 4。 设计,设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性,并计算其参数,即;排水阻力,相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器,并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路,并确定振荡的频率。 (a)哈特利振荡器(b)colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN:9788120351424。实际作业清单:1。在带有和不进行引导的情况下,实现BJT Darlington发射器追随者,并确定增益,输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器,并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性,并计算其漏极性,相互电导和扩增因子。4。设计,设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性,并计算其参数,即;排水阻力,相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器,并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路,并确定振荡的频率。(a)哈特利振荡器(b)colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
240 MHz 双核 Tensilica LX6 微控制器,具有 600 DMIPS 集成 520 KB SRAM 集成 802.11b/g/n HT40 Wi-Fi 收发器、基带、堆栈和 LWIP 集成双模蓝牙(经典和 BLE) 4 MByte 闪存 板载 PCB 天线 超低噪声模拟放大器 霍尔传感器 10x 电容式触摸接口 32 kHz 晶体振荡器 3 x UART(Feather Arduino IDE 支持中仅默认配置两个,一个 UART 用于引导加载/调试) 3 x SPI(Feather Arduino IDE 支持中仅默认配置一个) 2 x I2C(Feather Arduino IDE 支持中仅默认配置一个) 12 x ADC 输入通道 2 x I2S 音频 2 x DAC 每个 GPIO 引脚上可用的 PWM/定时器输入/输出 带有 32 kB TRAX 缓冲区的 OpenOCD 调试接口 SDIO主/辅 50 MHz SD 卡接口支持
Module I: P & N Type Semiconductors, Diodes and Power Supplies, Theory of P-N Junction Diode, Junction Capacitance, Halfwave & Fullwave, Rectifiers, Filters, Ripple-Factor, Characteristics & Applications of Following Diodes, Zener as Regulators, Schottkey, Photodiode, LED, LCD, Varactor Diode &Tunnel Diode.模块II:连接晶体管操作理论,静态特性,分解电压,当前电压限制,BJT的偏置不同的偏置布置,稳定性因子,热失控,功率晶体管。模块III:BJT CE,CB,CC放大器的小信号分析和高频分析以及频率响应,增益带宽产品的高频分析计算。功率放大器分类A,B,AB,C类,效率,推拉配置,免费对称性,第二次谐波和交叉扭曲。模块IV:正反馈放大器分类,实际电路,应用,优势。振荡器稳定性,Barkhausen标准,RC,LC和晶体振荡器。模块V:现场效应晶体管和MOSFET,操作和特征原理。
第 1 页 规格 操作范围:最大 99999 立方英尺(99999 升) 累加器精确度:+5% 累加器读数: LCD:2 行,16 个字符,背光。连续显示累计体积 + 流量 + 经过时间。电池供电,可在断电时调用样品数据。 定时器电路:微处理器控制的晶体振荡器 工作电压:7 至 30 VDC 尺寸:81/2” 宽,71/2” 深,9” 高 重量:8.5 磅 (4 Kg) 空气推动器:内部安装;两级涡轮鼓风机 马达:1 HP,自冷 吊环螺栓:顶部安装,用于携带或悬挂采样器。随附 2” 宽、6 英尺长的皮带。 电源:ON/OFF 开关/断路器控制装置的直流电源。 键盘,16 键 - 功能:停止键:手动终止采样。单位键:在升和立方英尺单位之间切换显示。设置键:允许用户更改采样预设。数字键:允许输入数值以响应显示的菜单。校准:按下特殊组合键为设备通电,使设备进入菜单驱动的校准模式。安全性:可以选择性地将键盘功能限制为启动/停止和单位,以防止更改采样预设。
自 1974 年出版以来,由 Byron E. Blair 编辑并作为 NBS Monograph 140 出版的《时间和频率:理论和基本原理》多年来一直是从事高稳定时钟和振荡器特性分析工作的人员的常用参考书。Monograph 140 已逐渐过时,随着新军用规范 MIL-O-55310B(该规范涵盖了晶体振荡器的一般规范)的发布,Monograph 140 已不再能满足早年的需求,这一点变得尤为明显。在新军用规范的制定过程中,该过程涉及多方面的讨论和意见,该规范的主要作者、美国陆军电子技术与设备部的 John Vig 敦促国家标准局(现为国家标准与技术研究所,NIST)发布修订版出版物,作为时钟和振荡器特性分析的参考。由于 NIST 已同意这项任务,军事规范的制定者在其文件中使用了“NBS Monograph 140R”这一名称,预计修订版 (R) 卷尚未准备好。考虑到时间和频率领域有许多较新的书籍,重写 Monograph 140 这样的主要卷似乎不合适。真正的需要不是重写 Monograph 140 中的所有内容,而只是重写那些提供定义和 m 参考的部分