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World File Search System晶体生长
Redwire-PIL-BOX-SMALS.pdf
Redwire 的制药太空实验室 - 生物晶体优化实验小分子结构加速实验室 (PIL-BOX SMALS) 在微重力环境下为制药、农业、化妆品、食品公司和机构研究人员提供服务，帮助他们利用结晶状态的目标分子来重新配制现有产品和/或开发新产品的配方。PIL-BOX SMALS 不仅能够实时观察多个自动混合实验中的晶体生长，还能够处理小分子合成中使用的溶剂。这允许实时优化过程、识别因果关系以及立即评估合成过程的成功程度。PIL-BOX SMALS 包含一个自动化的高分辨率明场显微镜，可以实时观察晶体生长和形态。这为研究人员提供了经验数据，他们可以立即将其与来自地面实验的数据进行比较。
Paola Prete 博士，物理学博士，是 CNR 微电子与 M 研究所外延生长实验室的高级科学家和负责人
Paola Prete 博士拥有物理学博士学位，是意大利莱切 CNR 微电子和微系统研究所 (IMM-CNR) 外延生长实验室的高级科学家和负责人，也是莱切萨兰托大学工程学院的合同教授。1996-97 年在英国雷克瑟姆的格林多大学担任客座科学家和合同教授。她在材料科学领域拥有 30 多年的经验，她的研究重点是通过自下而上的方法合成的 III-V 纳米结构的 MOVPE 和 MBE 生长和光谱，例如用于纳米/光电子、光子学、光伏和量子科学的核-（多）壳纳米线，以及基于石墨烯和 TMDC 的范德华异质结构。撰写了 130 多篇同行评审文章和会议论文集，为国际会议撰写了 240 多篇论文，并发表了 20 篇受邀演讲。荣获意大利晶体学会 (AIC) 颁发的 2000 年度青年科学家奖。2012-14 年度 AIC 晶体生长部门协调员和国际晶体生长组织 (IOCG) 意大利理事。ISI 索引期刊《纳米材料和纳米技术》主编，SAGE/Wiley。《晶体生长和材料特性进展》副主编，Elsevier。她曾担任该领域的国际和全国大会/学校主席。许多国际会议的顾问委员会成员，包括美国 SPIE 光学 + 光子学会议。
理学硕士 物理学及量子科学专业
PHY 5951 低温物理 / 低温物理 II (3 学分 / 3 单元) 低温下物质的性质。氦物理学。低温温度测定。低温制冷机的理论和技术。应用超导性。最新发展：低温电子、量子霍尔效应。氦晶体生长、核磁有序、低温探测器和高能物理极化靶。本课程相当于卡尔顿大学的 PHYJ 5409。/ 低温下物质的性质。氦物理学。低温温度测定。低温制冷机的理论和技术。应用超导性。最新发展：低温电子、量子霍尔效应。氦晶体生长、核磁有序、低温探测器和高能物理极化靶。本课程相当于卡尔顿大学的 PHYJ 5409。 Volet / 课程组成部分： 行政课程 / 讲座
半导体制造理论与技术
• 外延，源于希腊语 epi （意为“在……上”）和 taxis （意为“排列”），描述的是一种晶体生长技术，在晶体表面形成一层薄薄的半导体材料，其晶格结构与晶体相同。这种方法对于提高器件性能和创造新型器件结构非常重要。
BC MSC.CDR
1。I. Tsiapkinis，IKZ柏林，带开源软件的浮动区域过程的多物理模拟2。C. Rhode，Ikz Berlin，用于应变工程功能氧化物层的己酸盐底层晶体的生长和研究3.F. Kannemann，Ikz Berlin，熔融4的有机晶体生长的实验研究。N. sahsuvar，Uni Freiburg，全无机CS 2 Agbibr的合成和表征6双钙钛矿单晶用于辐射检测器应用5。C. Hartmann，Ikz Berlin，散装ALN晶体的生长具有有效的直径和表征25 mm Aln底物的表征6。L. Grieger，Freiberg Instruments，使用表面光伏特光谱研究7.R. Karhu，IISB Erlangen，4H-SIC A-Plane底物上的同性恋8。P. Wimmer，IISB Erlangen，4H-SIC底物中残留应力的光弹性测量用于评估晶体生长过程9.M. Zenk，IISB Erlangen，对气体组成和流速的影响以及动力学参数对Gan Boules HVPE生长期间生长速率的影响。V. Zimmermann，MPI Stuttgart，Prnio的高压光浮动带3单晶11。A.Böhmer，Uni Bochum，单晶的生长和跨金属化合物的表征，作为学士学位和硕士学生的高级实验室课程12.J. Strahl，Uni Frankfurt，Eumn 2 x 2，x = Si，ge 13。F. Walther，M。Ocker，Uni Frankfurt，材料的晶体生长接近关键端点和Altermagnets 14。S.
垂直 GaN 的阴极发光和电学研究......
Thi Huong Ngo、Rémi Comyn、Eric Frayssinet、Hyonju Chauveau、Sébastien Chenot 等人。具有位错簇的垂直 GaN-on-GaN 肖特基二极管的阴极发光和电学研究。《晶体生长杂志》，Elsevier，2020 年，552，第 125911 页。�10.1016/j.jcrysgro.2020.125911�。�hal- 03418915�
制造技术简介
正如我们在第1.1.1节中讨论的那样，大多数集成电路都是用硅制造的。因此，我们的重点是制造硅设备。为制造设备，硅必须以结晶形式为没有任何缺陷。它必须非常纯净。仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。 2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。 冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。 MGS电子级硅（EGS）的是通过蒸馏过程获得的。 例如，本质上是多晶。 它由1 ppb的杂质组成。 （每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。 2.1.2晶体生长仅允许PPB的命令（仅零件十亿）的杂质。2.1.1硅硅的纯化在自然界中大量可用于Sio 2（Sand）的形式，该形式形成了地壳的20％。冶金级硅（MGS）是通过在碳弧炉中还原（以岩石形式可用的Sio 2的晶体形式）获得的。是通过蒸馏过程获得的。例如，本质上是多晶。它由1 ppb的杂质组成。（每10亿或10 9硅原子1不良杂质）。2.1.2晶体生长
D. Kumar博士，M.E。
晶体生长和铬化。非线性光学材料，光电材料和设备。材料，生物复合材料和材料合成过程的光学表征。分子结构和缺陷分析。资助的项目：DST-Serb资助的项目的主要研究者，标题为“用于第二谐波生成（SHG）设备应用的高质量，非线性光学（NLO）氢化氢衍生物单晶的单向生长和表征”。25,88,931/ - （2017-2019）