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World File Search System晶体生长
博士西瓦库马尔
在国际 / 国家期刊/第一作者上发表的出版物数量：50/23 会议 / UGC 列出的论文：07 参加/在国际 / 国家会议 / 课程中发表的论文：62 证书课程 / FDP / 国外会议：14 受邀演讲 / 客座讲座次数：10 完成博士学位的学生人数：01 目前正在攻读博士学位的学生人数：01 国际研究认可：研究引用：2023 年 6 月 21 日 488 h -索引：12（Scopus）https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=55371981600 研究引用：2023 年 6 月 21 日 639 h -索引：14，i10 索引：23（谷歌学术）。 https://scholar.google.com/citations?user=E4_uTp4AAAAJ&hl=en 研究引用：2023 年 6 月 21 日 513，h -索引：12，研究国际分数：405.4 (Research Gate) https://www.researchgate.net/profile/N_Sivakumar2 专业机构会员资格： 1. 印度晶体生长协会 (No. 2015-31) 2. 印度物理教师协会 (No. 11981 L7944)
姓氏：GEORGESCU 名字：Violeta 出生日期和地点：1941 年 5 月 11 日 国籍：罗马尼亚 婚姻状况：已婚，有两个孩子 教育：
现职和职位：退休 现职年限：50 年 专利：在磁环境应用的铁磁合金薄层电化学制备领域拥有 6 项专利 专业协会成员： 正式会员 – 罗马尼亚物理学会 正式会员 – 罗马尼亚材料科学-晶体生长学会 正式会员 – 欧洲物理学会 (自 1997 年起) 正式会员 – IEEE 磁学学会 (自 2000 年起) 研究员 – 世界创新基金会 (自 2002 年起) 正式会员 – 国际电化学学会 (自 2005 年起) 熟练外语：英语、法语、俄语 专业领域：先进的纳米结构材料、纳米技术；薄层和表面物理学、表面/界面现象及应用；凝聚态物理学；磁学与磁性材料；分子物理学和热力学。该研究课题包括以下主要领域： - 研究获取和研究多层金属膜和纳米结构磁性材料的磁性能， - 研究获取和研究新型磁性材料（薄层形式）的磁性能、薄层中的有序-无序转变， - 应用研究（在磁传感器和数字磁记录领域应用的磁性材料）、磁传感器的应用， - 设计和建造用于教学和研究的实验室设施。
斯科特·丹尼尔·西弗曼
2012 年至今 德克萨斯大学奥斯汀分校 Seth R. Bank 教授 研究生助理 先进半导体外延实验室 – 研究和开发使用分子束外延的高应变 III-V 和稀释双胺 III-V 半导体中红外（3-5 µm）光电材料和器件的晶体生长技术。 – 演示了具有无铝有源区的 GaSb 基 I 型二极管激光器的最长波长发射（>3.6 µm）。 – 演示了 GaInAsSbBi 合金的首次外延生长和首次室温光致发光。 – 开发了基于 III-V 的半导体激光器的器件生长和制造工艺。 – 设计和实施工具和技术来维护、修理和操作两个分子束外延系统，同时避免耗时的真空系统烘烤。 – 设计并建造了具有亚皮秒分辨率的泵浦探测传输测试台，用于测量半导体中的载流子复合寿命。 – 通过添加自动测试功能改进了多个实验测试站。 – 将未充分利用的实验室空间改造成傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和红外显微镜分析站。 – 监督和指导参加夏季和学期研究体验的八个人的工作。
综合，结晶生长和 - 深度特征
摘要：具有Kagome网络的金属间化合物具有有助于获得特定的结构特征，该特征有助于获得特定的物理特性，例如量子关键性，负载密度波，超导性，超导性，磁性磁性...然而，凝聚态物理学家对这些特性的研究和理解需要一方面，并且在其他手中，以及其他构成的构图，并在其他手中进行了构图。这两个点仍然是扎实的化学家可以带来所有专业知识的主要问题。在这种情况下，将阐明有关合成，结晶生长和与Kagome网络的金属间化合物的多尺度表征的主题。该受试者的第一部分将专门用于三元和第四纪金属间化合物的深度合成和研究，其kagome网络由金属3 d或金属4 f形成。第二部分将通过使用各种生长技术来关注其中一些化合物的晶体生长。合成，格式和结构，化学和磁研究将使用实验室中的设备进行，并补充使用大型仪器。国家和/或国际合作将被设想出来某些特定属性或使用非常具体条件的表征。论文将于2025年10月开始3年。候选人将拥有化学和/或物理材料的硕士学位或工程文凭。晶体学和/或磁分析的技能将是一种资产。
碘化铅钙钛矿与碘化铅之间相干界面的原子级理解
金属卤化物钙钛矿半导体在太阳能电池中表现出色，在薄膜中添加过量的碘化铅 (PbI 2 )，无论是作为介观粒子还是嵌入域，通常都会提高太阳能电池的性能。甲脒碘化铅 (FAPbI 3 ) 钙钛矿薄膜的原子分辨率扫描透射电子显微镜显微照片显示，FAPbI 3：PbI 2 界面非常相干。结果表明，这种界面相干性是通过 PbI 2 偏离其常见的 2H 六方相形成三角 3R 多型体来实现的，这是通过包含近八面体单元的弱范德华力层堆叠中的微小移动实现的。揭示了精确的晶体学界面关系和晶格错配。进一步表明，这种 3R 多型 PbI 2 具有与钙钛矿相似的 X 射线衍射 (XRD) 峰，因此基于 XRD 对 PbI 2 存在的量化不可靠。密度泛函理论表明，该界面不会在带隙中引入额外的电子态，因此在电子上是良性的。这些发现解释了为什么在钙钛矿薄膜生长过程中 PbI 2 略微过量可以帮助模板钙钛矿晶体生长并钝化界面缺陷，从而提高太阳能电池的性能。
新诊断的成年患者的自我保健做法...
基于WSE 2膜的抽象二维层次过渡金属二分元化元素具有有希望的纳米电子和光伏应用的特性。在这项工作中，WSE 2膜是通过硒化的DC启用W前体制备的。研究了WSE 2膜的结构，形态和光学特性的影响。在50°C的间隔下，硒化温度从350°C到450°C变化。使用X-Ray衍射法（XRD），原子力显微镜（AFM）和UV-VIS-NIR分光光度计研究了WSE 2的结构，形态和光学特性。XRD分析表明，所有WSE 2均为多晶，并且表现出C轴垂直和平行底物纹理的共存。在400°C下硒的样品表现出强（00𝑙）的类型 - 晶体方向的类型 - 垂直C-轴轴底物纹理 - 主导的晶体生长。AFM图像进一步揭示了在350°C和450°C下硒的样品的平行和垂直晶体方向的存在。光学测量表明，所有WSE 2样品都是透明的，由在约620 nm的波长处的激子峰组成。估计的带隙值在1.22 eV至1.37 eV的范围内，这比预期的要低一些 - W 5 O 14阶段的存在被认为是主要原因。关键字：过渡金属果酱，二维层次WSE 2膜，晶体
天冬氨酸衍生物在方解石表面的吸附
摘要：在许多生物体中，生物分子与碳酸钙的各种表面都有良好的相互作用。在这项工作中，我们考虑了天冬氨酸 (Asp) 衍生物与方解石的相互作用，作为复杂生物分子的模型。利用动力学生长实验，我们研究了 Asp、Asp 2 和 Asp 3 对方解石生长的抑制作用。这需要确定阶梯钉扎生长模式以及评估这三种物质与方解石晶体的吸附常数和结合自由能。将后者的值与从完全原子分子动力学模拟中获得的自由能曲线进行比较。当在模型中使用平坦的 (104) 方解石表面时，测量的结合能趋势很难再现。然而，一个更现实的模型由一个带有边缘和角的岛的表面组成，产生的结合能与实验结果非常吻合。令人惊讶的是，我们发现大多数结合模式都涉及带正电的铵基团。此外，虽然也经常观察到带负电荷的羧酸基团的附着，但它总是被等量或更多羧酸盐的水溶剂化所平衡。这些影响在方解石的所有特征上都观察到，包括边缘和角落，后者与对 Asp 衍生物的主导亲和力有关。由于这些特征也正是晶体生长的活性位点，实验和理论结果强烈指向生长抑制机制，即这些位点被阻塞，阻止溶解离子进一步附着并停止进一步生长。
操作pH会影响CO2CAPTURE框架中的碳酸钙粒状
工业化时代导致大气二氧化碳浓度的急剧增加，这些二氧化碳浓度现在需要各种补救策略，例如CO 2捕获和存储。在这项研究中，提出了碳酸钙颗粒，作为将水基质中的CO 2的新转化途径捕获到密集的固体中。在本文中，我们证明了流体化的反应器在不同的pH条件下，在没有种子材料的情况下，通过捕获的CO 2从捕获的CO 2产生紧凑的碳酸钙颗粒的有效性。使用钙与碳酸盐比的恒定值，使用碳酸盐的碳酸盐含量和插入率，而操作pH的速度则在8.5到11.0时变化。在pH值为10.0±0.2时分别发现了92％和90％的碳酸盐去除和颗粒状效率分别为92％和90％，在10.0±0.2处发现碳酸盐离子的最低每日碳酸盐浓度在16.6 mg L 1下通过碱化测试测量。在最佳工作pH值时，获得了直径1 E 2 mm（〜93.6 g）的大型紧凑型颗粒，总体粒径分布倾向于较大尺寸。颗粒的形态分析揭示了它们的光滑表面和子圆形的形状，而结晶和元素分析则将其鉴定为高纯度碳酸钙。此外，提出了自发均质成核，颗粒聚集，晶体生长和颗粒状作为碳酸钙颗粒的主要机制。©2020 Elsevier Ltd.保留所有权利。
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。
hgbr2：易于生长的宽光谱双折射晶体
适用性，出色的化学和物理稳定性以及有利的晶体生长习惯。金属卤化物被高度视为重要的光学功能材料，因为它们的优势是易于制备，丰富的配位环境，宽透明范围，高激光诱导的损伤阈值，并且在发光的边界eLS中应用，太阳能电池，太阳能电池，激光频率转换等等。22 - 29中，二元金属卤化物由于其简单的组成和成本效果而被广泛使用：KBR通常用作傅立叶变换红外（FT-IR）光谱的背景材料，因为其广泛的透明范围超过25 m m； 30 CAF 2和BAF 2具有出色的机械性能，热稳定性和辐射抗性，以及从深紫外线（UV）到IR区域的高透明度，这些透明度可用于光学棱镜，透镜，楔形板，隔膜，隔膜和其他重要的光学组件。31由于上述原因，二元金属卤化物的出色物理和化学特性与我们对下一代双重晶体材料的期望一致，这使得它们被视为具有巨大潜力的双折射材料国库。另一方面，金属卤化物显示出各种的配位模式，包括线性，三角形锥体，四面体和方形锥体结构，这是有希望的机会，可以识别具有相当性的构建块的隔离性各向异性各向异性材料。在基于Hg的卤化物中，除了传统的[HGX 4]（X =卤素）四面体外，还存在很少的[X - HG - X]或[X - HG - HG - HG - HG - X]线性单位。25通过比较和筛选，由于其丰富的散装和广泛的透明范围，基于二进制的基于二进制汞（基于HG）的卤化物已成为我们的焦点。32 - 36 in