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World File Search System晶体管
一种具有增强驱动能力的新型沟槽型三栅极晶体管
摘要 — 本文介绍了 40 nm 嵌入式非易失性存储器技术中新型高密度三栅极晶体管的设计、实现和特性。深沟槽用于集成与主平面晶体管并联的两个垂直晶体管。由于内置沟槽，所提出的制造工艺增加了晶体管的宽度，而不会影响其占用空间。平面 MOS 结构的电压/电流特性与新型三栅极晶体管的特性进行了比较。新架构提供了改进的驱动能力，导通状态漏极电流是其等效标准 MOS 的两倍，并具有较低的阈值电压，适用于低压应用。最后，在工作电压范围内验证了栅极氧化物和结的可靠性。索引术语 — 多栅极晶体管、MOS 器件、沟槽晶体管、驱动能力、闪存。
观点：分子晶体管作为量子信息应用的替代品
9 美国佛罗里达州奥兰多市中佛罗里达大学物理系 32816 摘要 量子信息科学 (QIS) 的应用通常依赖于量子比特的生成和操纵。尽管如此，仍有一些方法可以设想一种具有连续读出但没有纠缠态的设备。这个简明的观点包括对量子比特的替代方案的讨论，即固态版本的马赫-曾德尔干涉仪，其中局部矩和自旋极化取代了光极化。在此背景下，我们对决定涉及具有大磁各向异性的分子系统的量子信息过程的基本工作原理的数学原理提供了一些见解。基于此类系统的晶体管使得制造不需要纠缠态的逻辑门成为可能。此外，存在一些值得考虑的新方法来解决与量子设备的可扩展性有关的问题，但面临着寻找适合所需功能的材料的挑战，这些材料类似于 QIS 设备所寻求的功能。
基于亚微米级 MOS 晶体管的模拟开关...
本文首先对开关配置中的 MOS 器件进行了深入研究。然后分析了改进的开关架构，以便更好地将它们集成到复杂的应用中 [4-8]。强调了使用串行接口进行数字控制的模拟开关的优势。具体来说，我们专注于由数字控制块启用或禁用的多通道开关的设计。展示了为实现而设计的内部结构、主要电气参数和布局。这些架构的验证是通过数字和晶体管级模拟、静态时间分析和噪声研究完成的。我们将在一个 8 通道系统上介绍当前的结果，该系统的工作频率从 2.5 MHz [6] 增加到 55 MHz 时钟信号，与逻辑电平的偏差很小 [7]。
单层石墨烯场效应晶体管 (FET) 的直接偏置和频率相关小信号模型提取
摘要 — 我们提出了一种基于电荷准静态模型的显式小信号石墨烯场效应晶体管 (GFET) 参数提取程序。通过对 300 nm 器件进行高频（高达 18 GHz）晶圆上测量，精确验证了小信号参数对栅极电压和频率的依赖性。与其他只关注少数参数的工作不同，这些参数是同时研究的。首次将有效的程序应用于 GFET，以从 Y 参数中去除接触电阻和栅极电阻。使用这些方法可以得到提取小信号模型参数的简单方程，这对于射频电路设计非常有用。此外，我们首次展示了本征 GFET 非互易电容模型与栅极电压和频率的实验验证。还给出了测量的单位增益和最大振荡频率以及电流和功率增益与栅极电压依赖性的精确模型。
Billy Buddy针对网络欺凌 基于嵌入式的智能事故前出现，后... 晶体管微型化对量子的影响... Sightsense：增强对盲人的视野，在其中，声音用计算机视觉和语音绘制世界 使用... 根据学习时间来预测学生的结果 使用机器的投资建议系统... 生物发光混凝土的文献综述研究 使用Arduino 的智能vac Ultimate清洁机器人
摘要 - Billy Buddy反对网络欺凌的“基本上是为解决网络欺凌的安全空间，包括两个主要模块：管理员和用户。管理员模块包括安全登录，状态数据分析和用户管理，而用户模块允许注册，事件报告，与已解决类似问题的其他人进行讨论以及标记解决问题的问题。该平台通过OTP，配置文件管理为用户提供了密码恢复选项，并使用高级机器学习算法，其中包括随机森林，MLP分类器和ADABOOST来检测和分类网络欺凌。它是在Python，MySQL和Django中开发的，在HTML，CSS和JavaScript中具有直观的接口。“比利·巴迪（Billy Buddy）针对网络欺凌”的目的是针对一个有用的环境，用户可以利用先进的技术来解决这个严重的社会问题，并使数字世界成为更安全的地方，从而在其中用户可以报告和解决网络欺凌事件。Index Terms - Cyberbullying, Machine Learning, Random Forest, MLP Classifier, AdaBoost, Flask, Django, MySQL, Python, User Module, Admin Module, Problem Registration, Chat Support, Profile Management, State- wise Analysis, Data Classification, Web-based Platform, Cyberbullying Prevention, User Interaction, Secure Login, Dashboard, Sentiment Analysis.
基于 CoolGaN™ 晶体管的 FOC 电机驱动评估板
英飞凌科技提供的评估板和参考板的设计考虑了环境条件。英飞凌科技仅按照本文档所述对评估板和参考板的设计进行了测试。该设计在整个工作温度范围或使用寿命内的安全要求、制造和操作方面均不合格。英飞凌科技提供的评估板和参考板仅在典型负载条件下进行功能测试。评估板和参考板不受与常规产品相同的退货材料分析 (RMA)、工艺变更通知 (PCN) 和产品停产 (PD) 程序的约束。评估板和参考板不是商业化产品，仅用于评估和测试目的。特别是，它们不得用于可靠性测试或生产。因此，评估板和参考板可能不符合 CE 或类似标准（包括但不限于 EMC 指令 2004/EC/108 和 EMC 法案），并且可能不符合客户所在国家/地区的其他要求。客户应确保所有评估板和参考板的处理方式均符合其所在国家的相关要求和标准。评估板和参考板以及本文件中提供的信息仅供合格且熟练的技术人员用于实验室使用，并应根据本文件和相应评估板或参考板随附的其他相关文档中规定的条款和条件使用和管理。客户的技术部门有责任评估评估板和参考板是否适合预期应用，并评估本文件中提供的与此类应用相关的信息的完整性和正确性。客户有义务确保评估板和参考板的使用不会对人身或第三方财产造成任何损害。评估板和参考板以及本文档中的任何信息均按“原样”提供，英飞凌科技不提供任何明示或暗示的保证，包括但不限于不侵犯第三方权利的保证和适用于任何目的或适销性的暗示保证。英飞凌科技对因使用评估板和参考板和/或本文档中提供的任何信息而造成的任何损害概不负责。客户有义务辩护，赔偿并保护英飞凌科技免受因使用本文档而产生或导致的任何索赔或损害。英飞凌科技保留随时修改本文档和/或本文提供的任何信息的权利，恕不另行通知。
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
李推广长余辉有机发光晶体管用于记忆光耦合器模块
人工大脑被认为是一种先进的智能技术，通过整合突触装置能够模拟人脑中发生的记忆过程。在此背景下，改进突触晶体管的功能以增加神经形态芯片中的信息处理密度是该领域的一大挑战。本文介绍了促进锂离子迁移的长余辉有机发光晶体管，它在 10 V 的低工作电压下显示出 7000 cd m − 2 的出色突触后亮度。0.1 mA 的突触后电流作为内置阈值开关在这些设备中作为触发点实现。设定条件触发的长余辉用于驱动光致变色分子的光异构化过程，模拟人脑中的神经递质转移，实现关键的记忆规则，即从长期记忆到永久记忆的转变。还处理了设置条件触发的长余辉与光电二极管放大器的组合，以模拟设置训练过程后的人类响应动作。总体而言，展示了神经形态计算的成功集成，包括刺激判断、光子发射、转换和编码，以模拟人脑复杂的决策树。
用于低温量子电子学的布洛赫晶体管
我们报告了用于新兴低温量子电子学平台的布洛赫晶体管 (BT) 的开发情况。BT 是一种完全量子非耗散设备，有助于将量化电流精确传输到电路，I =2 efn（其中 n 是整数，e 是电子电荷，f 是微波频率）。它在经典电子学中没有类似物，但它是量子电子学所必需的。量化电流的幅度可通过四个控件进行调整：栅极或偏置电压以及微波的频率或幅度。该设备具有在布洛赫振荡范围内工作的约瑟夫森结、隔离电磁电路和微波馈电引线。BT 在 ∼ 5 µ V 的偏置下工作，可以提供高达 10 nA 的量化电流。