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World File Search System晶体管
亚热，超高增益有机晶体管和电路
记录的版本：此预印本的一个版本于2021年3月26日在自然通讯上发布。请参阅https://doi.org/10.1038/s41467-021-22192-2的发布版本。
HF SSB应用程序RF和微波晶体管
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审查 - 超薄薄的无定形氧化物晶体管
无定形的氧化物半导体晶体管已成为展示面板中的成熟技术，并且最近被认为是用于单片3D应用的有希望的后端兼容通道材料。然而，实现具有与传统晶体半导体相当的性能的高弹性无定形半导体材料一直是一个长期的问题。最近发现，通过原子层沉积（ALD）工艺实现的氧化im氧化物的厚度可以调整其材料特性以实现高迁移率，高驱动电流，高/o效比，并在同一时间超出了传统氧化物半导体材料的功能。在这项工作中，综述了这项工作的历史，导致氧化含量重新出现，其基本材料特性，侧重于ALD的生长技术，最先进的氧化辅助设备研究以及设备的偏置稳定性。
获得具有原子阈值的MOS2晶体管 -
基本的玻尔兹曼限制决定了子阈值摇摆（SS）的最终限制为60 mV dec -1，这阻止了供应电压的持续扩展。具有原子较薄的身体，2D半导体为高级低功率电子设备提供了新的可能性。在此，通过将原子量表的抗性金属集成与常规MOS 2晶体管相结合，表明超低SS在房间温度下以低于1 mv的12 dec-1来表明，超高斜率的MOS 2电阻式晶体管晶体管（RG-FET）通过将原子尺度抗性的细节整合在一起。纳米抗抗性的光膜的突然电阻过渡可确保门电势的急剧变化，并切换设备，并导致超强的SS。同时，RG-FET表现出高度/效率为2.76×10 7，具有出色的可重复性和可靠性。使用超级SS，可以轻松地使用RG-FET来构建具有超高增益2000的逻辑逆变器，这表明未来的低功率电子设备和单片整合的令人兴奋的潜力。
PEMB20；PUMB20 PNP/PNP 电阻器配备晶体管
1 产品简介....................................................................................................................................................................................................1 1.1 概述..................................................................................................................................................................................1 1.2 特点..................................................................................................................................................................................................1 1.3 应用..................................................................................................................................................................................................1 1.3.1 应用范围..................................................................................................................................................................................1 1.3.2 特性..................................................................................................................................................................................1 1.3.3 应用范围..................................................................................................................................................................................1 1 1.4 快速参考数据 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
PEMB20；PUMB20 PNP/PNP 电阻器配备晶体管
1 产品简介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.4 快速参考数据 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
光门传感静电场效应热晶体管
摘要：固体中热传输的动态调整在科学上吸引了电子设备中热传输控制的广泛应用。在这项工作中，我们演示了一个热晶体管，该设备可以使用外部控制来调节热流，该设备通过拓扑表面状态在拓扑绝缘体（TI）中实现。通过使用沉积在Ti膜上的薄电介质层的光控来实现热传输的调整。使用微拉曼温度法测量栅极依赖性导热率。在室温下，晶体管的开/关比为2.8，可以通过光门传感进行连续，重复地以数十秒钟的速度切换，并且通过电控速度更快。这样的热晶体管具有较大的开/关比和快速切换时间，为未来电子系统中的主动热管理和控制提供了智能热设备的可能性。关键字：热晶体管，热开关，静电门，拓扑绝缘子
有机晶体管中降低接触电阻的批判性展望
有机半导体已用于各种电子设备，包括有机发光二极管 (OLED)、[1] 有机太阳能电池、[2] 有机光电探测器 [3] 和各种形式的有机晶体管 [4–7]。所有这些设备的根本要求是在有机半导体和电触点之间的界面上高效地注入和/或提取电荷。[8] 因此，对实现高效电荷注入/提取所需的活性材料和设备工程的广泛研究和开发对于实现 OLED 的商业化等至关重要。该领域的进展现已达到这样的程度，即与有效载流子和激子限制、能量转移、外耦合和寿命等其他方面相比，电荷注入和提取并不是限制 OLED 最新技术发展的最关键问题。 [9–12] 有机太阳能电池也是如此，最近其主要关注点和改进源泉与非富勒烯受体的开发更加紧密地联系在一起。[13] 另一方面，各类有机晶体管多年来一直被吹捧为新型大面积集成电路应用领域中基于无机半导体的晶体管的主要替代品，[14,15] 但尚未在消费电子产品中得到广泛采用。与无机晶体管相比，有机晶体管的几个缺点，例如电荷载流子迁移率通常较低、器件均匀性较差、可靠性降低[16]，随着时间的推移，这些缺点已经得到显着改善，因此现在一些利用有机薄膜晶体管 (TFT) 的商用器件已经面世。[17] 然而，接触电阻 (RC) 仍然是进一步开发基于有机晶体管的电路的主要障碍。 [18–21] 对于低功耗、高频应用（如移动有源矩阵显示器）的有机 TFT 的开发尤其如此，因为高 RC 限制了通过器件小型化可以实现的最大单位电流增益截止（传输）频率。[22] 尽管在扩展有机 TFT 的宽度和性能方面取得了重大进展，但有机 TFT 中的高接触电阻仍然是一个主要问题
晶体管接触级的飞法拉电容-电压
应用说明 - MOSFET 栅极晶体管的 2/3 CV 测量具有挑战性，原因如下。首先，栅极通常表现出极低的电容 (fF)。该范围比整个装置的固有电容小一个数量级，因此我们需要测量后者并对其进行补偿。其次，用于推导电容的测量交流电流很小，使得测量对噪声、偏移、泄漏和寄生电感敏感。我们必须仔细实施低电流交流测量的预防措施：屏蔽一切，尽量减少接地环路，将接地置于公共位置，并分开电压和电流测量。最后，被测设备不是具有两个端子的简单电容：它由一组复杂的金属线和耗尽区组成。我们需要很好地了解布局，以便取消或保护正确的端子，以便只测量感兴趣的电容，而不是同时测量多个电容。
伪造晶体管具有由纳米技术产生的有机薄膜
摘要。有机薄膜晶体管是经典电子设备的替代候选物，这是因为有机半导体的载体迁移率超过0.1厘米2 /vs。本文的目的是基于经典特征方法提供某些有机薄膜晶体管的电气表征。硅在绝缘子（SOI）晶状体上的经典特征是伪MOS晶体管。因此，本文在一开始就提出了在Or-Ganic绝缘子上制造有机半导体的主要技术步骤，该隔热器仍然是SOI结构。制造的有机结构得到了纳米技术的帮助，并使用了无毒的前体，为绿色有机电子设备打开了新的方向。测量实验电流 - 电压静态特性。转移特性的微微调查表明，与模量中的栅极电压增加了漏极电流。因此，P型有机层正在积累。通过电气表征，提取了一些设备参数：掺杂浓度约为8×10 13 cm -3，有机纤维中的孔迁移率为0.2cm 2 /vs和6×10 10 10 E /CM 2的全局界面电荷。