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World File Search System晶体缺陷
S 波段脉冲射频操作期间功率 GaN-HEMT 的可靠性和故障分析
本文报告了两项 AlGaN / GaN 高电子迁移率晶体管 (AlGaN / GaN HEMT) 技术（器件“A”和器件“B”）的可靠性研究。对雷达应用的实际工作条件下承受应力的器件进行了故障分析研究。这些器件经过脉冲射频长期老化测试，11000 小时后射频和直流性能下降（漏极电流和射频输出功率下降、夹断偏移、跨导最大值下降、跨导横向平移以及栅极滞后和漏极滞后增加）。热电子效应被认为是钝化层或 GaN 层中观察到的退化和捕获现象的根源。光子发射显微镜 (PEM)、光束诱导电阻变化 (OBIRCH)、电子束诱导电流 (EBIC) 测量与这一假设一致。这三种技术揭示了沿栅极指状物的非均匀响应和不均匀分布，此外，在漏极侧或源极侧的栅极边缘上存在一些局部斑点。对这些斑点进行光谱 PEM 分析可识别出可能与位错或杂质等晶体缺陷有关的原生缺陷。对 AlGaN / GaN HEMT 的两种技术进行的原子探针断层扫描 (APT) 分析支持了这一假设。APT 结果显示存在一些化学杂质，如碳和氧。这些杂质在器件“A”中的浓度相对较高，这可以解释与器件“B”相比，该器件的栅极滞后和漏极滞后水平较高。
AI引导的缺陷检测技术，以建模单晶
摘要。从过程发展的角度来看，通过化学蒸气沉积的钻石生长取得了显着的进步。但是，挑战在实现高质量和大区域材料生产方面持续存在。这些困难包括控制整个生长表面的均匀生长速率的控制条件。随着生长的进展，出现了各种因素或缺陷状态，改变了统一条件。这些变化会影响生长速率，并导致微观尺度上的晶体缺陷形成。但是，使用生长过程中拍摄的图像鉴定这些缺陷状态及其几何形状存在明显的方法。本文使用现场光学图像详细介绍了缺陷分割管道的开创性工作，以识别指示宏观上可见的有缺陷状态的特征。使用以前工作中应用的语义分割方法，这些缺陷状态和相应的导数特征是由其像素掩码隔离和分类的。使用注释以注释的人体软件体系结构来生成培训数据集，并使用主动学习，数据增强和模型辅助标记的模块进行选择性数据标记，我们的方法可实现有效的注释准确性，并大大降低了按幅度降低标签的时间和成本。在模型开发方面，我们发现基于深度学习的算法是最有效的。他们可以准确地从功能丰富的数据集中学习复杂的表示。基于Yolov3和DeepLabv3plus体系结构，我们表现最佳的模型为特定的特定特征实现了出色的精度。具体来说，中心缺陷的精度为93.35％，多晶缺陷的92.83％，边缘缺陷达到91.98％。
碳覆盖材料在高温退火过程中对
关键词：离子注入、SiC、封盖、碳、退火。摘要本研究报告了一项广泛的研究，研究了离子注入 SiC 材料高温退火过程中使用的封盖材料对表面粗糙度和质量、掺杂剂分布和扩散以及晶体缺陷的影响。本研究调查了化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 和热解光刻胶 (PR) 碳封盖材料。CVD 碳层（也称为高级图案化膜 (APF®)）是使用 Applied Producer® 沉积的。引言 在加工碳化硅 (SiC) 晶片以制造功率 MOSFET 和二极管 [1] 等微电子器件的过程中，离子注入后在衬底晶片顶部沉积一层保护层，以防止 Si 升华和台阶聚束形成以及其他表面缺陷的出现 [2, 3, 4]，从而保持表面质量，这些缺陷发生在激活 SiC 中掺杂剂所需的高温退火步骤中 [5]。这项工作研究了在这种高温退火过程中使用的保护性覆盖材料对表面和块体材料质量的影响。实验细节 在高温 (500 ˚C) 下用铝离子注入样品，铝离子以 180 keV 和 2.5E15 离子/cm2 的剂量加速，以便在约 0.2 微米深度处实现约 2E20 离子/cm3 的峰值浓度。然后用不同的碳基材料覆盖样品，然后在 1800˚C 下退火 30 分钟。然后用 O2 灰分去除保护盖，随后进行清洁和擦洗，然后进行原子力显微镜 (AFM)、在 SICA 工具上实现的表面和体光致发光 (PL) 以及二次离子质谱 (SIMS)。结果我们报告了模拟和 SIMS 显示的铝注入后轮廓之间的出色一致性
PH19141 – 材料物理学
目标 • 增强物理学基础知识及其与机械工程流相关的应用。 • 让学生熟悉用于研究/确定材料各种性质的各种实验装置和仪器。 单元 I - 物质的力学和性质 9 基本定义 - 牛顿定律 - 力 - 解牛顿方程 - 约束和摩擦 - 圆柱和球坐标 - 势能函数 - 保守力和非保守力 - 中心力 - 角动量守恒 - 非惯性参考系 - 旋转坐标系 - 向心加速度和科里奥利加速度 - 弹性 - 应力-应变图 - 梁弯曲 - 悬臂凹陷 - 杨氏模量测定 - I 型梁。第二单元 - 晶体物理学 9 基础 – 晶格 - 对称操作和晶体系统 - 布拉维晶格 - 原子半径和填充率 - SC、BCC、FCC、HCP 晶格 - 米勒指数 - 晶体衍射 - 倒易晶格 - 解释衍射图案 - 晶体生长技术-切克劳斯基和布里奇曼，晶体缺陷。 第三单元 - 材料物理学 9 固溶体 - 休谟-罗瑟里规则 – 吉布斯相规则 - 二元相图 - 等温体系 - 连接线和杠杆规则 - 共晶、共析、包晶、包析、偏晶和同晶体系 - 微观结构的形成 - 均匀和非均匀冷却 – 成核 - 铁碳相图 - 共析钢 - 亚共析钢和过共析钢 – 扩散 - 菲克定律 – TTT 图。单元 IV - 工程材料与测试 9 金属玻璃 - 制备和性能 - 陶瓷 - 类型、制造方法和性能 - 复合材料 - 类型和性能 - 形状记忆合金 - 性能和应用 - 纳米材料 - 自上而下和自下而上的方法 - 性能 - 抗拉强度 - 硬度 - 疲劳 - 冲击强度 - 蠕变 - 断裂 - 断裂类型。 单元 V - 量子物理 9 黑体问题 - 普朗克辐射定律 - 光的二象性 - 德布罗意假设 - 物质波的性质 - 波包 - 薛定谔方程（时间相关和时间无关） - 玻恩解释（波函数的物理意义） - 概率流 - 算子形式（定性） - 期望值 - 不确定性原理 - 盒子中的粒子 - 特征函数和特征值 - 狄拉克符号（定性）。
An ...
[1] J. D. Eshelby，椭圆形包容的弹性领域的确定及相关问题，《伦敦皇家学会》 A，1957年，第1卷。241，否。1226，pp。376–396。https://doi.org/10.1098/rspa.1957.0133 [2][3] C. Teodosiu，晶体缺陷的弹性模型，Springer-Verlag，柏林 - 海德伯格 - 纽约，1982年。[4] D. Lyu，X。keer，在半无限空间中椭圆形热包容产生的完整弹性场的显式分析解决方案，《应用机械学报》，2018年，第1卷。85，否。5，艺术。否。051005。Liu，G。Song和H.M. Yin，边界对含有不均匀性的半无限制固体弹性领域的效果//伦敦皇家学会A会议录，2015年，第1卷。 471，否。 2179，艺术。 否。 20150174 https://doi.org/10.1098/rspa.2015.0174 [6] A. Kossoy，A.I。 Frenkel，Q。Wang，E。Wachtel和I. Lubomirsky，CE 0.8 GD 0.2 O 1.9中的局部结构和应变诱导的失真，高级材料，2010年，第1卷。 22，否。 14，pp。 1659–1662。 https://doi.org/10.1002/adma.200902041 [7] W. Zhang，F。Cheng，F。Cheng，J。Huang，H。Yuan和Q. Wang，调查扭曲的扭曲的单轴菌株的调查很少，几层MOS 2，Physicals 2，Physicals Letters，2021，2021，Vol。 418，艺术。 否。 127709。https：//doi.org/10.1016/j.physleta.2021.127709 [8] A.E. 97，否。 否。Liu，G。Song和H.M. Yin，边界对含有不均匀性的半无限制固体弹性领域的效果//伦敦皇家学会A会议录，2015年，第1卷。471，否。2179，艺术。否。20150174 https://doi.org/10.1098/rspa.2015.0174 [6] A. Kossoy，A.I。Frenkel，Q。Wang，E。Wachtel和I. Lubomirsky，CE 0.8 GD 0.2 O 1.9中的局部结构和应变诱导的失真，高级材料，2010年，第1卷。22，否。14，pp。1659–1662。https://doi.org/10.1002/adma.200902041 [7] W. Zhang，F。Cheng，F。Cheng，J。Huang，H。Yuan和Q. Wang，调查扭曲的扭曲的单轴菌株的调查很少，几层MOS 2，Physicals 2，Physicals Letters，2021，2021，Vol。418，艺术。否。127709。https：//doi.org/10.1016/j.physleta.2021.127709 [8] A.E.97，否。否。Romanov，P。Waltereit和J.S. 斑点，氮化物半导体中埋葬的应激源：对电子特性的影响，应用物理学杂志，2005年，第1卷。 4，艺术。 043708。https://doi.org/10.1063/1.1851016Romanov，P。Waltereit和J.S.斑点，氮化物半导体中埋葬的应激源：对电子特性的影响，应用物理学杂志，2005年，第1卷。4，艺术。043708。https://doi.org/10.1063/1.1851016