表1显示了HS-8005系列阵容。为了减少划痕,日立化学化学已经开发了各种具有优化粒径和分布的产品。使用HS-8005-X3,抛光划痕可以减少到HS-8005的1/10或更少。我们建立了生产技术,以精心控制粒度和陶瓷颗粒的分布,以提供稳定的优质产品,并拥有陶瓷泥浆市场的全球最高份额。为了满足进一步减少刮擦的要求,Hitachi Chemical以NC系列形式开发了超细颗粒,以进行下一代浆液。虽然将常规的陶瓷颗粒粉碎以进行微插曲,但NC系列颗粒的大小是通过晶体生长法的泥浆,由于大尺寸颗粒而导致的划痕最小化。图3显示了HS-NC和HS-8005的外观。HS-NC是一种超细,透明的纳米级粒子。
摘要 —随着半导体设计和制造工艺的全球化,集成电路制造阶段的缺陷检测需求变得越来越重要,在提高半导体产品的产量方面发挥着重要作用。传统的晶圆图缺陷模式检测方法涉及使用电子显微镜进行手动检查以收集样本图像,然后由专家评估缺陷。这种方法劳动密集且效率低下。因此,迫切需要开发一种能够自动检测缺陷的模型来替代手动操作。在本文中,我们提出了一种方法,该方法首先采用预先训练的 VAE 模型来获取晶圆图的故障分布信息。该信息作为指导,结合原始图像集进行半监督模型训练。在半监督训练期间,我们利用师生网络进行迭代学习。本文提出的模型在基准数据集 WM-811K 晶圆数据集上进行了验证。实验结果表明,与最先进的模型相比,该模型具有更高的分类精度和检测性能,满足了工业应用的要求。与原始架构相比,我们取得了显着的性能提升。索引术语——缺陷检测;半监督学习;无监督学习;变异自动编码器
我们的模块化构造PFA工艺增强晶圆载体和传统模制PFA工艺晶圆载体是为200 mM Fabs的湿化学加工应用而设计的。开放式流动器允许解决方案均匀,快速地通过。它们也由耐化学的PFA材料构成,因此您的过程仍未受到污染。
有效地需要用能量转换器覆盖较大的表面。这是太阳能电池,也称为光伏的地方。光伏设备,首先是由法国科学家Henri Becquerel于1839年发现的,它通过产生电子对 - 在光伏材料中的孔对直接转化为电子。这些对创建了电流流,该电流遵循材料的内置势坡。太阳能电池已成为重要的替代电源,尤其是自1970年代的石油座舱以来。此外,太阳能电池是一种有希望的无碳能源,可以帮助减轻全球变暖。实现高效率太阳能转化对于使太阳能成为满足世界能源需求的可行选择至关重要。太阳能电池的能量转化效率是指电池产生的电力与电池每单位时间接收到的入射阳光能量的比率。
《近期研究评论》杂志,2022 年 12 月,第 1 卷,第 1 期,第 75-86 页 75 DOI:https://doi.org/10.36548/rrrj.2022.1.007 © 2022 Inventive Research Organization。这是一篇根据知识共享署名-非商业性国际 (CC BY-NC 4.0) 许可协议开放获取的文章
4.3.2 重叠................................................................................................ 30
摘要 本研究旨在确定圆屋图策略对伊尔比德教育局四年级社会与国家教育课程成绩的有效性。 采用准实验方法。 研究样本包括伊尔比德教育局学校四年级的 (56) 名男女学生; 他们被分成两组:对照组包括 14 名男生和 14 名女生,实验组包括 14 名男生和 14 名女生。 研究人员进行了一项成绩测试,该测试包含 (20) 个项目,其有效性和可靠性已得到确认; 并进行了统计处理和分析。 结果表明,学生在组变量上的分数在 (0.05) 水平上存在统计学上的显著差异,实验组占优势; 在事后测量中,性别变量在 (0.05) 水平上存在统计学上的显著差异,男性占优势。本研究建议将圆屋图策略纳入教学策略,在教学过程中使用,并让教师参与圆屋图策略的培训课程。关键词:(圆屋图,成就,社会和国家教育,四年级)。引言圆屋策略是 Wandersee 提出的元认知方法之一(Wandersee,1994
在集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光 ( CMP )、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
本论文的目的是研究使用 ECR(电子回旋共振)氢等离子体技术的低温原位清洗工艺和使用 HF 浸渍法的原位清洗工艺,用于低温硅同质外延生长。在 MS-CVD(多室化学气相沉积)反应器上安装了负载锁室,以降低将污染物引入系统的可能性。选择 ECR 等离子体系统是因为与传统的 RF(射频)系统相比,它可以以良好调节的方式输送更高密度的低能离子。选择氢气是因为氢气质量轻,并且能够与表面污染物发生化学反应。在原位清洗的晶圆顶部沉积外延层,并通过 XTEM(横截面透射电子显微镜)和 RBS(卢瑟福背散射光谱)技术研究外延层和外延层/衬底界面的结构质量。使用 SIMS(二次离子质谱)检测界面处的氧和碳污染物。