晶圆处理 湿法清洗 溶剂清洗 Piranha 溶液 RCA 清洗 光刻 离子注入 干法蚀刻 湿法蚀刻 等离子灰化 热处理 快速热退火 炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积 (ECD) 化学机械平坦化 (CMP) 晶圆测试 晶圆背面研磨 芯片制备 晶圆安装 芯片切割 IC 封装 芯片附着 IC 键合 引线键合 热超声键合 倒装芯片 晶圆键合 胶带自动键合 (TAB) IC 封装 烘烤 电镀 激光打标 修整和成型 IC 测试
在集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光 ( CMP )、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
摘要 — 评估了 1 µm 间距晶圆对晶圆 (W2W) Cu/SiCN 混合键合界面的电气可靠性。使用控制 IV 方法获取 W2W 混合堆栈的击穿电压分布。假设幂律模型,对使用条件外推可确认使用寿命超过 10 年,当温度低于 175 ◦ C 时,幂律指数高于 10。发现沿 Cu/SiCN 混合键合界面的传导机制为 Poole-Frenkel 发射,能量势垒等于 0.95 eV。仅在温度高于 200 ◦ C 和场高于 1.5 MV/cm 时才能观察到移动铜,证实了该键合界面对铜漂移具有良好的稳定性。索引术语 — 晶圆对晶圆 (W2W) 键合、可靠性、电介质击穿、混合焊盘泄漏。
本论文的目的是研究使用 ECR(电子回旋共振)氢等离子体技术的低温原位清洗工艺和使用 HF 浸渍法的原位清洗工艺,用于低温硅同质外延生长。在 MS-CVD(多室化学气相沉积)反应器上安装了负载锁室,以降低将污染物引入系统的可能性。选择 ECR 等离子体系统是因为与传统的 RF(射频)系统相比,它可以以良好调节的方式输送更高密度的低能离子。选择氢气是因为氢气质量轻,并且能够与表面污染物发生化学反应。在原位清洗的晶圆顶部沉积外延层,并通过 XTEM(横截面透射电子显微镜)和 RBS(卢瑟福背散射光谱)技术研究外延层和外延层/衬底界面的结构质量。使用 SIMS(二次离子质谱)检测界面处的氧和碳污染物。
用于 mmWave 封装测试的 xWave 平台 • 信号完整性 – 短阻抗控制共面波导 (CPW) – 测试仪和 DUT 之间的 1 个转换(连接器到引线框架) – DUT 球接触 CPW • 集成解决方案(PCB/接触器合一) – 包括从测试仪到 DUT 的完整 RF 路径 – 用于电源和控制信号的 Pogo 引脚 • 生产封装测试解决方案 – 坚固的引线框架可持续数百万次循环 – 机械组装完全可现场维护 – 包括校准套件(s 参数) – 用于三温测试(-55 至 155°C)的 CTE 匹配材料
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP),包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装,作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史,也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展,并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装,可以单独封装,也可以与其他芯片或其他组件(例如分立无源器件)或功能组件(例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器)组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲,WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的,但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施(晶圆级封装,或 WLP)上制造异构封装,而且还可以在面板级基础设施(面板级封装,或 PLP)上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分:1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述:技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
半导体行业是新加坡的主要制造业之一;占2014年制造总价值的17.6% - 该行业雇用了3600名工人,约占电子劳动力总数的53%。今天,新加坡是世界上三大晶圆铸造厂的所在地,全球四家顶级外包组装和测试服务公司,以及世界上9家顶级女装的半导体公司。其中一些公司包括Broadcom,NXP,Mediatek,Micron Semiconductor Asia PTE Ltd,United Microelectronics Corporation,STATS CHIPPAC,QUAPCOM,Qualcomm和Silicon Manufacturing Company的系统。在2013年,我们的晶圆厂每月生产约100万个晶圆,在全球范围内约有10个晶圆的晶圆。工作详细信息:
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议,合作者将有一段预定的时间(“设计期”),使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后,合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计,以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档,以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片,诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意,诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试;整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意,美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权