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部门：半导体（晶圆制造）行业概述
半导体行业是新加坡的主要制造业之一；占2014年制造总价值的17.6％ - 该行业雇用了3600名工人，约占电子劳动力总数的53％。今天，新加坡是世界上三大晶圆铸造厂的所在地，全球四家顶级外包组装和测试服务公司，以及世界上9家顶级女装的半导体公司。其中一些公司包括Broadcom，NXP，Mediatek，Micron Semiconductor Asia PTE Ltd，United Microelectronics Corporation，STATS CHIPPAC，QUAPCOM，Qualcomm和Silicon Manufacturing Company的系统。在2013年，我们的晶圆厂每月生产约100万个晶圆，在全球范围内约有10个晶圆的晶圆。工作详细信息：
非晶铁心液浸配电变压器
我们要感谢以下为本研究提供宝贵信息的公司：ABB、Austin Energy、BC Hydro、Central Maloney、Eaton、Federal Pacific、Graybar Electric、Hawaii Energy、Howard Industries、Hydro Quebec、Kinectrics、Los Angeles Department of Water and Power、Metglas Inc.、Nashville Electric Service、National Electric Service、National Grid、National Rural Electric Cooperative Association、NEMA、Powersmiths International、Santee Cooper、Schneider Electric、Siemens Transformers Canada Inc. 和 Square D/Schneider Electric。我们非常感谢 16 家 BPA 客户公用事业公司提供有关其公用事业变压器采购的信息。这些组织包括：Clallam PUD、Clark PUD、Clearwater Power Co.、Consumers Power Inc.、Franklin PUD、Idaho Falls Power、Kootenai Electric Co-op、Lakeview Light and Power、Lower Valley Energy、Mason PUD No. 3、Nespelem Valley Electric Co-op、Ravalli Electric Co-op、Snohomish County PUD、Tacoma Power、Tillamook PUD 和 Vigilante Electric Co-op。我们还要感谢协助该项目的 BPA 和 WSU 能源计划工作人员，即 BPA 的 Debra Bristow 和 Keshmira McVey 以及 WSU 的 Karen Janowitz。
STARRY NITE 多项目晶圆计划申请...
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议，合作者将有一段预定的时间（“设计期”），使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后，合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计，以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档，以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片，诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意，诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试；整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意，美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权
b-li3ps4固体晶界处的锂动力学...
SSLB中的一个活跃研究领域是发展高性能和实用的SE材料，这些材料表现出高房间温度（RT）Li Ionic电导率（S 300K Z 10 3 S CM 1），对于高速电池充电/放电至关重要。4在各种无机SE类别中，硫化物SES具有较高的S 300K，以及其他所需的SE特性，例如易于加工性和高机械锻造性。5–8硫代磷酸3 PS 4（LPS）是一个有前途的SE，存在于三个已知的多晶型物中：低温G相（PMN 2 1），高温B相（PNMA）和高温A相（CMCM）。8,9，B -lps以其较高的S 300K（最高10 4 s cm 1）和便利合成而闻名。10–13它在[010]晶体学方向上具有2D曲折的li扩散途径，由部分占据的4B – 4C Wyckoff站点链接组成（图1）。13个散装扩散得到了合作PS 4 3
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
芯片到晶圆 (d2w) 键合解决方案
直接键合技术不断发展，以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来，CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起，CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合，以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后，范德华力（氢键）和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键，最终形成一块材料。随着混合键合的出现，直接键合现在不仅解决了基板制造问题，还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分，简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后，概述了最先进的键合技术，包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域，比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品，并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。
补充二晶对糖尿病诱导的氧化应激和凋亡
脱颖而出的背景：糖尿病（DM）是最普遍，最持久的代谢疾病之一，已被置于不利影响男性生育能力的情况下。相反，运动训练和克莱辛都被确定为能够减轻糖尿病对精子发生的有害影响的潜在干预措施。因此，租赁研究旨在探索糖尿病成年大鼠睾丸组织中补充子蛋白的个体和综合影响对氧化应激和生殖细胞凋亡的锻炼。材料和方法：在这项实验研究中，DM是由链蛋白酶（STZ，50 mg/kg）诱导的。Rats were divided into control (received STZ solvent), DM-sole, Chrysin-sole (50 mg/kg, daily), moderate-intensity running exercise training (MIRET-sole, warm-up, 5 minutes at 30% of Smax1 (Maximum speed); Moderate inten sity exercise, 60 minutes at 60% of Smax1, and recovery, 5 minutes to 30% of Smax1), DM+Chrysin, DM+MIRET,和DM+miret+Chrysin。Following 8 weeks, the histopathological changes (Johnson's score, epithelial height, and tubular diameter), testicular malondialdehyde (MDA), superoxide dismutase (SOD), glutathione peroxidase (GPX), and the mRNA levels of anti-apoptotic gene Bcl-2 and pro-apoptotic gene Bax was analyzed.结果：Chrysin仅与Miret同时可以明显地（P = 0.001）改善DM引起的他的心部病理学损害，增加了睾丸SOD和GPX水平，并降低了DM增强的MDA含量。此外，我们的结果表明，与miret同时更加同时可以显着（P = 0.001）降低BAX的mRNA表达并改善Bcl-2表达并重新平衡BAX/BCL-2平衡。结论：我们的发现表明，二晶与miret的共同给药可以显着对DM诱导的组织病理学和生化障碍进行评估，并减少DM对睾丸组织的促凋亡影响。