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有限密度QCD状态方程：临界点和晶格...
1美国休斯顿大学休斯顿大学物理系77204，美国2杜克大学，北卡罗来纳州达勒姆大学27708，美国3 Helmholtz研究学院HESSE HESSE HESSE（HFHF）GSI HELMHOLTZ HELMHOLTZ中心GSI HELMHOLTZ CENTRIC for ION heave Ion Physicics fornis frankfurt，60438 Frankfurtirant frankfurtirant frankfurt。 Physik，Johann Wolfgang Goethe-Universität，Max-von-laue-STR。1，D-60438德国法兰克福5 GSIHelmholtzentrumfürSchwerionenforschungGmbh，Planckstrasse 1，D-64291 D-64291德国Darmstadt，德国6宾夕法尼亚州立大学，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州16801，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州立大学Universit`A di Torino和INFN Torino大学，通过P. Giuria 1，I-10125，I-10125，意大利的I-10125，8物理学系和量子理论实验室，极端理论，伊利诺伊州芝加哥，伊利诺伊州芝加哥，伊利诺伊州芝加哥大学60607，美国9 Kadanoff理论中心，芝加哥大学，芝加哥，伊利诺伊州芝加哥大学6066637，美国芝加哥，
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们的整合到设备中，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。本文中，我们通过knoevenagel多浓度报告了乙烯基连接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水面表面合成，作为高度可逆和耐用的基于锌的双子电池（ZDIB）（Zdibs），它们是阴离子 - 选择性电极涂层。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1以A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数为完全结晶和面向对面的膜。 V-C2DP-1膜从其定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）酰亚胺阴离子（TFSI）inimide（TFSI） - 转移性（TONT_ = 0.85），用于高valtibe Zdibs Zdibs trigge，因此
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们进入设备，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。在此，我们报告了通过knoevenagel多凝结的乙烯基链接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水上表面合成，可作为高度可逆且基于耐用锌的Dual-iro-ion patchies（Zdibs）的阴离子选择性电极（作为阴离子）。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1作为完全结晶和面向面的膜，具有A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数。从定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，V-C2DP-1膜具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）Imide阴离子（TFSI）inImide（TFSI） - 转移率（T_ = 0.85），用于高空ZDIBS，从而在高空zdibs中进行transpertion andercation transportive and-Interc Zdib and Fratsion trande trander-dranscation-intrance zdib and。促进其特定能力（从〜83到124 mahg 1）和骑自行车寿命（> 1000个循环，能力保留95％）。
GeSn 合金的室温晶格热导率
摘要：在片上操作和体温特有的温度下，用于高效能量收集器的 CMOS 兼容材料是可持续绿色计算和超低功耗物联网应用的关键因素。在此背景下，研究了新的 IV 族半导体，即 Ge 1 − x Sn x 合金的晶格热导率 (κ)。通过最先进的化学气相沉积在 Ge 缓冲 Si 晶片上外延生长 Sn 含量高达 14 at.% 的层。通过差分 3 ω 方法电测量晶格热导率 (κ) 从 Ge 的 55 W/(m · K) 急剧下降到 Ge 0.88 Sn 0.12 合金的 4 W/(m · K)。经验证，对于应变松弛合金，热导率与层厚度无关，并证实了先前通过光学方法观察到的 Sn 依赖性。实验 κ 值与电荷传输特性的数值估计相结合，能够捕捉这种准直接带隙材料系统的复杂物理特性，用于评估 n 型和 p 型 GeSn 外延层的热电性能系数 ZT。结果突出了单晶 GeSn 合金具有很高的潜力，可以实现与 SiGe 合金中已经存在的能量收集能力，但在 20°C - 100°C 温度范围内，没有与 Si 兼容的半导体。这为在 CMOS 平台上实现单片集成热电提供了可能性。关键词：热电材料、晶格热导率、GeSn 合金、CMOS、绿色计算、能量收集 ■ 简介
具有晶格自调节和离子交换功能的独立式钒酸铵复合阴极，可用于长寿命钙离子电池
钙离子电池 (CIB) 已成为电化学储能的一种有前途的替代品。高性能正极材料的缺乏严重限制了 CIB 的发展。钒氧化物作为 CIB 的正极材料特别有吸引力，预插层化学通常用于提高其储钙性能。然而，钒氧化物在有机电解质中的室温循环寿命仍然低于 1000 次循环。在此，基于预插层化学，通过集成电极和电解质工程进一步提高钒氧化物的循环寿命。利用定制的 Ca 电解质，构建的独立式 (NH 4 ) 2 V 6 O 16 · 1.35H 2 O@氧化石墨烯@碳纳米管 (NHVO-H@GO@CNT) 复合正极实现了 305 mAh g −1 的高容量和 10 000 次循环的创纪录长寿命。此外，首次组装了钙离子混合电容器全电池，容量达到62.8 mAh g − 1 。揭示了基于两相反应的NHVO-H@GO@CNT的钙存储机制以及循环过程中NH 4 +和Ca 2 +的交换。观察到V ─ O层的晶格自调节，通过离子交换形成的具有Ca 2 +柱的层状钒氧化物表现出更高的容量。这项工作通过电极的综合结构设计和电解质改性提供了增强钒氧化物钙存储性能的新策略。
三色d-wave超导超级晶格
费米子超级流动性，除了召开的bardeen-cooper-schrieffer状态之外，具有非平凡的库珀配对是在量子多体系统中引人入胜的研究领域。尤其是，用有限摩托的对超导状态的寻找长期以来一直是一个挑战，但是建立其存在一直遭受了缺乏适当的探测来揭示其动力的障碍。最近，有人提出，非肾脏电子传输是有限摩托对的最强大的探测器，因为它直接将其与超级流相结合。在这里，我们揭示了与三色超晶格上的非重新传输的配对状态，并具有强旋轨耦合，并结合了由原子上薄的D-波超导体cecoin 5组成的倒置对称对称性。我们发现，虽然在HT平面中的低温（t）/高磁场（t）/高磁场（h）角在HT平面中表现出明显的倾角异常，用于H，用于ht-Plane的h，沿ht-Wave间隙的抗闭合方向应用，但这种沿节结节的ht肌nodal方向不存在此类异常。通过仔细地隔离涡流动力学引起的外部效应，我们揭示了存在的非逆局响应，该反应源自以固有的摩肌对特征的固有超导特性。我们将高端状态归因于螺旋超导状态，其中阶参数的相位是自发的空间调制。
Bogoliubov de gennes Quasi粒子特征状态和平坦带超导两分晶格的普遍关系的隐藏对称性下一年度邻居跳上单个...
在正方形晶格上的半填充一轨式哈伯德模型中，我们研究了使用基于基于蒙特利亚的 +蒙特 - 卡洛方法对模拟过程的精确型 - 型号 +基于蒙特 - 卡洛的方法在有限的温度下跳跃对单粒子光谱函数的影响。我们发现，在néel温度t n和相对较高的温度尺度t ∗之间存在的伪ap状倾角，沿高象征性方向以及沿正常状态的福利表面沿孔和颗粒激发能量中有显着的不对称能量。从（π/ 2，π/ 2）沿正常状态费米表面移动到（π，0）时，孔驱引气能量增加，这种行为与在高t c库酸酯的d波状态和伪gap阶段非常相似，而粒子示出能量的行为降低。Quasiparticle峰高度是最大的（π/ 2，π/ 2），而它是靠近的小（π，0）。这些光谱特征在t n之外生存。温度窗口t n t n t≲t ∗随着下一个最新的邻居跳跃的增加而缩小，这表明下一个最新的邻居跳跃可能不支持PseudoGap-like特征。
金属电介质阵列中独立电晶格和磁晶格共振的完美吸收
晶格共振是由周期性纳米结构阵列支持的集体模式。它们源自阵列各个成分的局部模式之间的相干相互作用，对于由金属纳米结构制成的系统，这通常对应于电偶极等离子体。不幸的是，基本的对称性原因使得二维 (2D) 电偶极子排列无法吸收超过一半的入射功率，从而对传统晶格共振的性能造成了很大的限制。这项工作引入了一种克服这一限制的创新解决方案，该解决方案基于使用由包含一个金属和一个介电纳米结构的单元格组成的阵列。使用严格的耦合偶极子模型，可以证明该系统可以支持两个独立的晶格共振，分别与纳米结构的电偶极子和磁偶极子模式相关。通过调整阵列的几何特性，这两个晶格共振可以在光谱域中精确对齐，从而导致入射功率的全部吸收。这项工作的结果为合理设计能够产生完美吸收的晶格共振阵列提供了清晰而又普遍的指导，从而充分利用这些模式的潜力，用于需要有效吸收光的应用。
基于晶格动力学的实心电解质的机器学习预测模型
r m/tot，r a/tot，r h/tot rt e g能量带隙 + +组的振动范围 + +组的热量 + v f.u，v m，v m，v m，v a，v tot量的每个配方量，每个配方单位，移动离子离子，anion and atm
Zn2+介导的2D组件的Moiré超级晶格...
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-tvsb6 orcid：https：//orcid.org/0000-0002-1058-8288 Chemrxiv不同行评论的内容。许可证：CC BY-NC-ND 4.0
使用拓扑感知的非结构化环境中的移动机器人导航有效自适应状态晶格*
摘要 - 当代移动机器人导航架构采用计划算法提供单个最佳遵循路径的构建，在有动态和不确定的环境的情况下存在缺陷。随着环境的更新和机器人的起始状态发生变化，最佳计划通常会围绕离散障碍物进行，这对于遵循强烈有偏见的路径遵循计划的路线而言，这是有问题的。在本文中，我们重新制定了有效自适应状态晶格（EASL）所采用的搜索过程，以利用从观察到的环境中提取的同质类别。这种方法，我们称之为拓扑感知有效自适应状态晶格（TAEASL），使用多个数据结构来控制图中节点的扩展，以在图中提供多个最小成本计划，以在不同的同型类别中提供多个最小成本计划。受到任何时间修复a*的方法的启发，搜索继续进行，直到无法进行进一步的扩展或达到最大搜索时间为止。为了验证Taeasl在现场机器人技术中的效用，它在现实世界中的越野环境数据上进行了测试，该数据由Clearpath Warthog无人接地车辆（UGV）收集，并能够生成多个解决方案。本文以讨论包括高速越野移动机器人导航在混乱的障碍物场中的讨论结束。