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World File Search System晶格常数
Robert Sittig*、Cornelius Nawrath、Sascha Kolatschek、Stephanie Bauer、Richard Schaber、Jiasheng Huang、Ponraj Vijayan、Pascal Pruy、Simone Luca Porta
摘要 ：GaAs 基材料系统因可承载具有出色光学特性的 InAs 量子点 (QD) 而闻名，这些量子点的发射波长通常为 900 nm 左右。插入变质缓冲区 (MMB) 可以将这种发射转移到以 1550 nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而，常见 MMB 设计的厚度（> 1 𝜇 m）限制了它们与大多数光子谐振器类型的兼容性。在这里，我们报告了一种新型 InGaAs MMB 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长，该 MMB 具有非线性铟含量渐变分布，旨在在最小层厚度内最大化塑性弛豫。这使我们能够实现晶格常数的必要转变并为 180 nm 内的 QD 生长提供光滑的表面。展示了沉积在此薄膜 MMB 顶部的 InAs QD 在 1550 nm 处的单光子发射。通过纳米结构技术将新设计集成到靶心腔中，证明了新设计的强度。
通过晶格工程控制SN的结构阶段
拓扑和超导性，两种不同的现象，为量子特性及其在量子技术，旋转型和可持续能源技术中的应用提供了独特的见解。tin（sn）在这里起关键作用作为元素，因为其两个结构相，α -sn表现出拓扑特征，β -sn显示超导性。在这里，我们使用分子束外延和缓冲层的晶格参数的分子束外延对SN薄膜中的这些相进行了精确的控制。SNFMS表现出β -SN或α -Sn相，因为缓冲层的晶格常数与6相差不同。10Å至6。48Å，跨越从燃气（例如INAS）到Insb的范围。α-和β -SNFM的晶体结构以X射线衍射为特征，并由拉曼光谱和扫描透射电子显微镜确认。原子力显微镜验证了光滑，连续的表面形态。电运转运测量进一步验证了阶段：β-SN超导性和Shubnikov -de HAAS振荡接近3.7 K的电阻下降，用于α -SN拓扑特征。密度功能理论表明，在拉伸应变下α -SN在压缩应变下是稳定的，与实验发现很好地对齐。因此，这项研究介绍了一个通过晶格工程控制SN阶段的平台，从而在量子技术及其他方面实现了创新的应用。
使用语音晶体中的线缺陷
语音晶体（PNC）表现出通常在天然材料中发现的声学特性，这导致了新的设备设计以进行声波复杂的操作。在本文中，我们报告了通过语音晶体中的线缺陷来构建微米尺度的语音波导，以实现片上紧密限制的引导，表面声波的弯曲，弯曲和分裂（锯）。PNC由定期镍支柱的平方晶格制成。它表现出一个完整的带隙，该带隙禁止在PNC内部锯的传播，但允许线缺陷内的传播。通过基于电镀的微生物制作过程，在128°Y型niobate底物上实现了波导。PNC晶格常数，支柱直径和支柱高度分别为10 𝜇𝑚，7.5 𝜇𝑚和3.2 𝜇𝑚。互插的换能器是单层整合在同一底物上的，用于195 MHz左右的SAW激发。通过使用扫描光学杂作干涉仪测量平面外表面位移场，可以通过测量平面外表面位移场来实验观察到语音波导中表面波的引导，弯曲和分裂。高频紧密限制的语音波 - 证明了精确的局部操作锯的可行性，这对于新兴的边境应用（例如基于声子的量子信息处理）至关重要。
北极冬季冰的气候和年际变异性在ICESAT-ERA
当二维晶体是半导体或半学的二维晶体之间形成的时，低能电子状态会被周期性的新兴汉密尔顿（Emperent Hamiltonian）描述，这些晶体是周期性的，有效地实现了具有10 nm长度尺度的晶状体结合的人工二维晶体。晶格常数足够大，可以使用场效应将每个有效原子的电子数量改变多个，从而使周期表可以在没有化学障碍的情况下进行实验探索。Moiré材料哈密顿量可以通过现象学[1]确定或从晶格规模的DFT计算中得出[2]。近年来，这些Moiré材料已被证明是新物理学的真正令人惊叹的平台，尤其是物理学，在这种物理学中，强烈的电子相关性和术语以新的方式结合在一起。对于基于石墨烯基材料的Moiré材料[1]，非平凡的拓扑是从单个石墨烯片的零点继承的，而在平行堆叠金属二分法元素层的情况下[3，4]它从层之间的耦合中出现。我将在两种已建立的莫伊尔材料类别中的普通和异常的整数和分数量子厅效应，并推测这种物业工程策略可能同样有效的新类别。
引文：Peng RS、Xu SR、Fan XM、Tao HC、Su HK、Gao Y、Zhang JC 和 Hao Y，自组装 Ni 制备纳米图案化 InGaN 的应用
自 1993 年 Shuji Nakamura 制成第一只 GaN 基蓝光发光二极管 (LED) 以来 [1]，基于 III 族氮化物材料的 LED 发展迅速并得到了广泛的应用。然而，导致绿光 LED 效率低下的“绿光隙”一直未能得到解决，而蓝光和红光 LED 却实现了较高的发光效率 [2,3]。造成上述问题的原因之一是 InxGa1-xN/GaN 多量子阱 (MQW) 中铟组分的增加，而这是为了使 InGaN 基 LED 能够发出更长的波长的光。由于 InGaN 与 GaN 之间的晶格常数和热膨胀系数不匹配 [4,5]，以及 InN 在 GaN 中的低混溶性 [6]，高铟组分 InGaN QW 的绿光 LED 会遭受晶体质量劣化。同时，还会产生大量的位错，它们充当非辐射复合中心[7]，对发光是不利的。另一方面，有源区产生的光很难从高折射率半导体（n GaN = 2.5）逸出到空气中（n air = 1）。内部光的临界角（θ c ）或逸出锥仅为~23.6°[θ c = sin −1（n air /n GaN ）]，超过此角度发射的光子会发生全内反射，因此只有一小部分光可以逸出到周围的空气中[8]。绿光是三原色之一，提高绿光LED的发光效率是实现高效率、高亮度RGB（红、绿、蓝）LED的关键。
单层 1T-TaSe2 中的莫特尼斯坍塌具有持续性......
周期性的 CDW 畸变通常会导致 CDW 能隙的打开。为了展示 CDW 能隙的形成，我们将 CDW 相的非磁性能带结构展开到原始布里渊区，并与正常相的能带结构进行了直接比较，如下图 S5(a) 和稿件中的图 2(c) 所示。可以看出，CDW 畸变使跨越费米能级的能带产生间隙，从而形成约 0.43 eV 的 CDW 能隙。我们进一步在图 S5(b)-(e) 中绘制了不同应变下 CDW 相的展开能带结构。可以清楚地看到，尽管 CDW 能隙的大小会随着施加的应变而变化，但它始终存在。如图 S5(f) 所示，当拉伸应变从 0% 增加到 4% 时，CDW 能隙从 0.43 eV 单调减小到 0.17 eV。在压应变作用下，CDW能隙首先在-1%应变时增大到0.50 eV，随后随着应变的增加而减小。CDW能隙尺寸的变化应该是CDW畸变幅度和CDW晶格常数变化共同引起的。需要注意的是，CDW能隙和Mott能隙是两个不同的物理量，前者直接来源于CDW畸变，而后者则受电子关联影响。因此，当施加的压应变大于某个临界值时，虽然CDW畸变和CDW能隙仍然存在，但是由于电子局域化的减弱，Mottness能隙会崩塌。
S44214-024-00058-0.pdf
抽象的FESE是最神秘的超导体之一。在基于铁的化合物家族中，它具有最简单的化学构成和结构，但是它显示出薄膜的超导过渡温度（T C），跨度为0至15 k，而单晶通常为8 k。一个家族中T C的这种较大变化强调了与理解果雀源性铁的超导性有关的关键挑战。在这里，使用双光束脉冲激光沉积（PLD）方法，我们制造了一种独特的FESE晶状体构成梯度薄膜，该纤维薄膜揭示了原子结构与第一次的超导过渡温度之间的明显关系。在血浆羽流内生成激光梯度的双光束PLD导致单个纤维内边缘位错的分布的连续变化，并且在这里观察到了晶格常数和t c之间的精确相关性，在此观察到，t c∝√c - c –√c - c –√c - c -c c – c c c c c c c c c c c c – is c is C constanty是常量性的constanstant stonstants constants conkentess。与理论研究结合使用的这种显式关系表明，Fe的D Xy轨道的转移在FESE中的nematicition和超导性之间起着相互作用的作用。
通过可解释的机器学习和第一原理计算揭示的金属催化剂的结构灵敏度
摘要：主动位点及其结构敏感性的性质是有效催化剂理性设计的关键，但在异质催化中已经进行了近一个世纪的辩论。尽管Brønsted -evans -polanyi（BEP）以及线性缩放关系长期以来一直用于研究这种关系中的反应性，明确的几何形状和组成特性，这一事实阻止了其在支持催化剂的结构敏感性中的探索。在这项工作中，基于可解释的多任务符号回归和全面的第一原理数据集，我们发现了一个结构描述符，拓扑不足的数量由价电子数量和晶格常数介导，以成功地解决金属催化剂的结构敏感性。用于训练，测试和可传递性研究的数据库包括10种过渡金属，两个金属晶体学阶段和17个不同方面的20种不同化学键的破坏键屏障。所得的2D描述符组成结构项，反应能量项显示出非常准确的准确性，可以预测与对称性，键顺序和空间阻滞中不同化学键的数据集的反应障碍和概括性。理论是物理和简洁的，提供了一种建设性的策略，不仅是为了理解结构敏感性，而且还可以破译金属催化剂的纠缠几何和电子效应。所揭示的见解对于位点特异性金属催化剂的合理设计很有价值。■简介
在压力下，稀土元件在超导r 3 ni 2 o 7中的影响
最近，在压力下，在LA 3 Ni 2 O 7（LNO）中发现了高温（𝑇c≈80K）超导性（SC）。这提出了一个问题，即在适当条件下是否可以进一步增强超导过渡温度。实现较高C的一条可能的途径是元素替代。类似的SC可能出现在适当压力下的稀土（RE）R 3 Ni 2 O 7（RNO，R = RE元素）材料序列的𝐹𝑚𝑚𝑚相。RNO材料中的电子特性由双层NiO 2平面中的Ni 3轨支配。在强耦合极限中，SC可以完全以双层单层3𝑑2 -2 -𝑦2-2-轨道𝑡–𝐽–𝐽–𝐽𝐽⊥模型充分表征。通过从LA到其他RE元素取代RE元素，RNO材料的晶格常数降低，并且所得的电子跳跃积分增加，从而导致3𝑑2 -2 -𝑦2轨道之间更强的甲甲基甲基体。基于从属 - 玻色子平均场理论，我们探索了在压力下rno材料中𝑇c的配对性质和演变。因此，发现元素取代不会改变配对性质，即，在压力下，在超导rno中总是偏爱层间S波配对。然而，𝑇c从LA到SM增加，在压力下可以在SMNO中实现几乎翻倍的C。这项工作提供了证据，证明了可能更高的𝑇c r 3 ni 2 o 7材料，这可以在进一步的实验中实现。
连续梯度胶体玻璃
层次结构设计可以引入特定系统的进一步复杂性。[22]，例如，具有跨平面的多层PC膜的晶格常数显示在单组分系统中找不到的晶格。这些范围从宽带反射率[23]到角度选择性。[24]，制造方法通常是乏味的，通常施加物理蒸气沉积或重复的胶体组件。[25,26]没有精确的优化，后者可能会遭受预先形成的层和分层的影响。进一步的问题包括在界面处的光散射和小样本量。尽管对光子晶体和眼镜进行了激烈的研究，但胶体介质结构的一个主要类别的关注很少：连续梯度结构。连续梯度是一个新兴的话题，文献中很少有例子和方法。可以通过离心[27,28]组装后变形[29]或修饰涂层程序形成逐渐变化，例如，在颗粒间距离或组合中。[30,31]从基本的角度来看，需要开发对具有逐渐变化特性的光子材料的物理理解，并将其与实验结果进行比较。[32–34]据我们所知，迄今为止，尚未对具有连续粒度梯度的光子集成组件实现实验性实现。第二，自组装必须保留，而不是混合粒度梯度，并将颗粒逐渐固定在胶体合奏中。要达到这样的结构，需要解决两个主要挑战：首先，需要可靠地可靠地可靠地控制大小的精确控制和连续的大小变化。在这里，我们为两个挑战提供了一种解决方案，这些挑战也可以应用于其他（功能性）颗粒。这种连续梯度胶体玻璃的一般方法将为胶体介质结构的领域增加缺失的碎片，并为光子工程及其他地区打开一个新的领域。心脏