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World File Search System晶片
对重建晶片的光刻处理的模具对齐
该实验的结果证明了Liteq 500工具在置换和旋转中检测，测量和纠正大偏移的能力，在与当前工业标准保持一致的同时，提供了亚微米的准确性。分析表明，可以通过优化对齐过程来实现吞吐量的重大改进。计划进行其他实验，以验证覆盖性能，并在Liteq 500上使用重建晶片进行叠加诊断的能力。初步估计表明，当覆盖要求不太严格时，可以实现更快的吞吐量。在未来的工作中，我们计划研究当前FO-WLP过程中所需的覆盖精度级别可实现的吞吐量。
用于量子应用的 12 英寸玻璃晶片上的功能表面离子阱
1 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院，邮编 639798 2 巴黎第七大学材料与量子现象实验室，邮编 F-75025，巴黎，法国 3 新加坡科技研究局微电子研究所，邮编 117685 我们报告采用标准 CMOS 兼容后端工艺在 12 英寸玻璃基板上大规模制造功能完备的射频 (RF) 表面离子阱。采用成熟的 12 英寸铸造后端工艺（电镀铜和金饰面）直接在玻璃晶片基板上制造表面电极。我们通过用激光冷却的 88 Sr + 离子加载离子阱来测试它。该离子阱在 33 MHz 频率下 RF 幅度在 100 – 230 V 范围内时表现出稳定的操作。当真空室压力为 5 × 10 -11 mbar 时，离子寿命约为 30 分钟，这展现出在 CMOS 兼容且具有成本效益的平台上采用标准代工工艺实现量子计算系统未来的巨大潜力。
使用 X 射线衍射映射对硅晶片翘曲进行计量
* 通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie 摘要 — X 射线衍射 (XRD) 映射是一种非破坏性计量技术，可以重建通过热机械应力在硅晶片上引起的翘曲。在这里，我们使用一种基于在 x 和 y 方向以及对同一样品进行不同 90 度旋转的一系列线扫描的方法来映射晶片的翘曲。这些线扫描从晶片表面收集摇摆曲线，记录由于表面取向错误而偏离布拉格角的衍射角 (ω)。表面翘曲通过引起测量的衍射角和参考布拉格角 (ω − ω0) 之间的差异和摇摆曲线增宽 (FWHM) 反映在 XRD 测量中。通过收集和整合整个表面和晶圆多次旋转的摇摆曲线 (RC) 和 FWHM 加宽，我们可以生成表面函数 f(x) 和角度错位 (翘曲) 的 3D 图。翘曲呈现凸形，与文献中报道的光学轮廓测量一致。基于实验室的 XRDI 有可能在更短的时间内原位绘制晶圆的翘曲图，就像在同步辐射源中完美执行一样。关键词：计量学、硅、翘曲、X 射线衍射、晶圆。I.介绍
使用X射线衍射映射硅晶片中经纱的计量学
*通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie摘要 - X射线衍射（XRD）映射是一种非破坏性计量技术，可以通过热机械应力重建在硅晶片上引起的经线的重建。在这里，我们使用基于X和Y方向的一系列线扫描以及同一样品的不同90度旋转的方法绘制了晶圆的扭曲。这些线扫描从晶圆的表面收集摇摆曲线，记录由于表面不良导致的衍射角（ω）偏离了布拉格角。表面经线通过诱导测得的衍射角与参考角度角度（ω -ω0）和摇摆曲线扩展（FWHM）之间的差异来反映XRD测量。通过收集和整合摇摆曲线（RCS）和FWHM从整个表面和晶圆的多个旋转范围扩大，我们可以生成表面函数f（x）的3D地图和角度的不良方向（Warpage）。经线表现出凸形，与文献中报道的光学验证测量值对齐。基于实验室的XRDI有可能在较短的时间内和原位绘制晶圆的翘曲，这可以在同步加速器辐射源中完美地执行。关键字：计量学，硅，扭曲，X射线衍射，晶圆。I.简介
基于激光的碳化硅晶片制造用于下一代...
碳化硅电力电子代表了下一代技术，该技术已在更紧凑的外形下以更高的电压和更高的频率运行，在广泛的产品中展示了显著的整体能效改进。它们已用于著名的高端应用，包括电动汽车、工业、电气化铁路和风能电力电子，以及电网传输和电动汽车充电基础设施。该项目的目的是扩大和商业化一种新型的基于激光的制造技术，用于制造碳化硅晶片，碳化硅晶片是构建碳化硅电力电子的基本构件。成功采用了初始概念验证原型，并将其构建成一条完整的生产线，展示了低速率的初始生产。该项目已经证明，该技术有可能实现零材料损失，并且每个晶片的产量在几分钟内即可完成。这将大大降低导电碳化硅基板的成本，从而使这种材料系统经过验证的有益特性能够应用于各种应用的先进下一代电力电子中。
硅晶片中氧气的定量分析
摘要Kava（Piper Methysticum）是Pepper家族中的一种灌木，它原产于南太平洋岛屿。该根在娱乐和治疗目的传统上被用作饮料，它以镇静，抗焦虑和社交能力的促进者而闻名。它在其特有地区以外的地区广受欢迎，并且已广泛使用。由于不同的药理学作用与Kava的不同品种有关，并且由于可以将品种与组成品的特征链接kavalactone和Flavokavains相关，因此对这些成分的测量可以促进该工厂的安全有效使用。在本申请说明中，提出了一种用于准确预测使用HoribaAqualog®和A-TEEM技术进行的光谱吸光度和荧光测量的Kava根主要成分量的方法。使用一组具有已知化学性质的Kava样品建立了部分最小二乘回归的化学计量模型，并讨论了该模型的改进和适当的应用范围。
基于光子采样和映射的晶片级光电收发器芯片的同时微波表征
电磁频率扫描方法（EOF）在微波网络分析仪（MNA）的帮助下广泛使用，以将光学转换为电测量[1，2]。在晶状体级别的情况下，光电收集器芯片被视为层叠的电气 - 光电极（E-O-E）链路，该链接包含包括强度调制器（IM）芯片和光电二极管（PD）芯片（PD）芯片的chip，并通过散射参数在参考平面上表征的M1-D2-2-D2-2均匀表征。附录A中显示了详细的传输和散射矩阵。由于测得的结果由IM和PD构成贡献，因此必须通过将整数收发器分解为离散的IM或PD芯片，以与O-E或E-O-O-O-O-O TransDucer Standards相结合，以使IM或PD的个体响应进行隔离。
流程开发以实现高收益晶片至...
fl，美国victor.vilar@skywatertechnology.com摘要高级晶圆级包装已经不断发展，由于当前的焊料碰撞技术的限制，需要缩小到Sub-10um螺距。混合键合技术促进了在3D垂直堆栈配置中紧密间隔的金属垫的互连。这种包装技术的优点启用了子10UM音高设计，增加了I/O密度，扩展设备带宽，减少功率需求，提高设备速度等。本文的重点是讨论确保基于CU的晶片（W2W）混合键合的方法学，其中包括但不限于对所使用的测试工具的描述，化学机械平面化，元学，等离子激活，粘合技术，粘合技术，退火，CSAM反馈和交叉剖面，以验证金属对金属金属垫的扩散。关键词：混合键合，化学机械平面化[CMP]，血浆激活，计量学，退火，CSAM，W2W，3D垂直堆栈，先进包装，原子力显微镜[AFM]，避孕，凹槽，凹槽，凹槽，圆形，圆形，扁平度。引言晶圆键是晚期半导体制造技术，可以在晶圆水平上整合不同的材料和结构。这些技术在各种电子和光子设备的开发中起着至关重要的作用，例如微电动系统（MEMS），传感器，光子学和先进的集成电路。这允许集成不同的材料，这对于在高级设备中实现所需的功能至关重要。在高级别的过程中，过程通常涉及以下步骤：晶圆键可以根据氧化物和混合键合的粘结机制和材料分类为各种类型，是本文介绍的两种突出方法。a）氧化物晶片键：氧化物晶圆粘结，也称为直接键合或融合键，涉及通过在界面上利用强硅氧（SI-O）键的形成将两个硅晶片连接在一起。
扭曲是300毫米晶片出现后微电子中最重要的挑战之一。防止和理解这种现象
该项目的目的是通过利用在要模拟的过程步骤中测量所涉及的材料的固有应力来获得变形晶片的图形表示。通过应力，可以通过对扁平晶片的一系列特征进行评估，可以直接获得变形，而无需考虑导致几何形状修饰的热预算或步骤。在一个阶段进行模拟整个晶圆仍然需要无法实现的计算能力，因此有必要将模拟分为3个主要步骤：