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（TSRI）GAN12-114A
申请编号：GAN12-114A-E0011课程：微波及毫米波频率合成器（null）计画：使用0.12μm氮化镓制程实现正交反射型调变器（I/q反射型调制器中的0.12μmGan-Hemt过程中）晶片形式
基于激光的碳化硅晶片制造用于下一代...
碳化硅电力电子代表了下一代技术，该技术已在更紧凑的外形下以更高的电压和更高的频率运行，在广泛的产品中展示了显著的整体能效改进。它们已用于著名的高端应用，包括电动汽车、工业、电气化铁路和风能电力电子，以及电网传输和电动汽车充电基础设施。该项目的目的是扩大和商业化一种新型的基于激光的制造技术，用于制造碳化硅晶片，碳化硅晶片是构建碳化硅电力电子的基本构件。成功采用了初始概念验证原型，并将其构建成一条完整的生产线，展示了低速率的初始生产。该项目已经证明，该技术有可能实现零材料损失，并且每个晶片的产量在几分钟内即可完成。这将大大降低导电碳化硅基板的成本，从而使这种材料系统经过验证的有益特性能够应用于各种应用的先进下一代电力电子中。
流程开发以实现高收益晶片至...
fl，美国victor.vilar@skywatertechnology.com摘要高级晶圆级包装已经不断发展，由于当前的焊料碰撞技术的限制，需要缩小到Sub-10um螺距。混合键合技术促进了在3D垂直堆栈配置中紧密间隔的金属垫的互连。这种包装技术的优点启用了子10UM音高设计，增加了I/O密度，扩展设备带宽，减少功率需求，提高设备速度等。本文的重点是讨论确保基于CU的晶片（W2W）混合键合的方法学，其中包括但不限于对所使用的测试工具的描述，化学机械平面化，元学，等离子激活，粘合技术，粘合技术，退火，CSAM反馈和交叉剖面，以验证金属对金属金属垫的扩散。关键词：混合键合，化学机械平面化[CMP]，血浆激活，计量学，退火，CSAM，W2W，3D垂直堆栈，先进包装，原子力显微镜[AFM]，避孕，凹槽，凹槽，凹槽，圆形，圆形，扁平度。引言晶圆键是晚期半导体制造技术，可以在晶圆水平上整合不同的材料和结构。这些技术在各种电子和光子设备的开发中起着至关重要的作用，例如微电动系统（MEMS），传感器，光子学和先进的集成电路。这允许集成不同的材料，这对于在高级设备中实现所需的功能至关重要。在高级别的过程中，过程通常涉及以下步骤：晶圆键可以根据氧化物和混合键合的粘结机制和材料分类为各种类型，是本文介绍的两种突出方法。a）氧化物晶片键：氧化物晶圆粘结，也称为直接键合或融合键，涉及通过在界面上利用强硅氧（SI-O）键的形成将两个硅晶片连接在一起。
低成本高级包装和粘合晶片应用
抽象的高级包装技术继续使半导体行业能够满足移动设备和其他高性能应用所需的较薄，更小，更快的组件的需求。但是，由摩尔定律驱动的芯片I/O计数的增加以及低于10nm的FinFET的能力对现有的高级包装过程提出了许多其他挑战。与摩尔定律不同，该法律预测密集综合电路中的晶体管数量大约每两年两倍，高级包装正在经历另一种“法律”；在晶体管的数量增加的情况下，它的功能数量增加，在最终产品的最终量限制下驱动技术路线图的数量不断减少。不可避免地，随着功能的增加，过程的复杂性和成本也随之增加。在这个非常敏感的高级包装舞台上，外包半导体组件和测试供应商（OSAT）需要通过降低其制造成本来补偿。这要求OSAT降低材料成本，增加吞吐量，产量并寻找减少过程步骤数量的新方法。OSAT降低材料成本的方式之一是从后端处理中除去硅晶片。使用环氧霉菌化合物（EMC）创建重构的晶片，或使用玻璃载体。在玻璃载体的情况下，通常情况下，骰子面朝下固定在载体上，然后进行处理，即使使用红外（IR）成像，也可以防止从复合堆栈的顶部看到前侧图案。在这种特殊情况下，在对齐标记上的光孔器中定义了一个其他光刻的“清除”窗口，因此可以将不透明的膜从对齐标记处蚀刻出来，距离剥去的距离，并重新设计了光刻层。这种额外的处理显然是昂贵且耗时的。本文特别关注基于步进的光刻解决方案的概念，方法和性能，该解决方案利用光孔潜在图像为光刻过程提供了临时的对齐标记，从而消除了对附加图案和蚀刻步骤的需求。这个革命性系统采用了背面摄像头，可以对齐在载体中死亡。一个单独的曝光单元，校准了对齐摄像头中心，曝光了临时潜在图像目标，然后在正常的步进光刻操作过程中由系统的常规比对系统检测到该目标。详细讨论了对齐，覆盖和潜在图像深度控制的性能数据。最终分析证明，<2µm的覆盖层很容易实现，对系统吞吐量没有影响。关键词：高级包装，3D IC，TSV，背面对齐，步进，面板，粘合晶片对齐，通过硅Via，UBM对齐，潜在图像。
对重建晶片的光刻处理的模具对齐
该实验的结果证明了Liteq 500工具在置换和旋转中检测，测量和纠正大偏移的能力，在与当前工业标准保持一致的同时，提供了亚微米的准确性。分析表明，可以通过优化对齐过程来实现吞吐量的重大改进。计划进行其他实验，以验证覆盖性能，并在Liteq 500上使用重建晶片进行叠加诊断的能力。初步估计表明，当覆盖要求不太严格时，可以实现更快的吞吐量。在未来的工作中，我们计划研究当前FO-WLP过程中所需的覆盖精度级别可实现的吞吐量。
无敏感的无转移晶片尺度石墨烯麦克风
摘要：在过去的几十年中，微机电麦克风在很大程度上占据了便携式设备的市场，每年都有数十亿美元的生产。因为当前设备的性能接近物理限制，因此进一步的小型化和移动设备的麦克风的改进构成了一个重大挑战，需要突破设备概念，几何形状和材料。石墨烯是一种有吸引力的材料，可通过其灵活性，强度，纳米薄度和高电导率来实现这些突破。在这里，我们证明，直径范围从85-155到300μm的直径为直径的无传递7 nm厚的多层石墨烯（MLGR）膜可用于检测声音，并显示出与92 nm pa-1的机械合规性，因此超过950 nm的92 nm PA-1，因此超过了950 nm的Mems Microphone，均超过了3 nM的3 nM。显示出较大的膜，直径为300μm甚至更高的符合性，尽管产量较低。我们提出了一个在硅晶片上局部生长的石墨烯的过程，并通过散装微加工和牺牲层蚀刻的散装式硅质孔实现悬浮的图案化石墨烯的悬浮膜，因此无需传递。这种无转移方法可在132个制造的鼓上的直径高达155μm的膜产量为100％。可听见范围内机械符合性的设备对设备变化（20 - 20000 Hz）比转移的膜中的设备依从性变化明显小。关键字：石墨烯，麦克风，膜，mem，免费转移，晶圆量表，大量生产■简介在这项工作中，我们展示了一种无转移方法，用于实现与大容量制造兼容的晶圆尺度多层石墨烯。因此，基于聚合物污染，裂纹形成，皱纹，折叠，分层和低压可重复性的基于转移的方法的局限性在很大程度上是规避的，从而在朝着高量产生的石墨烯麦粒镜上的途径上树立了重大步骤。
HF蚀刻时间和浓度对硅晶片的影响
摘要：为实现更薄的微电子封装，生产所需厚度的新型半导体硅片不仅需要高成本和能源，而且还会造成环境污染问题。然而，这一问题可以通过使用一步化学蚀刻来生产所需厚度的硅芯片以进行适当的封装，从而简单地解决。在本研究中，使用各向同性的湿化学蚀刻法，通过改变HF蚀刻剂浓度来研究蚀刻时间对HF/HNO 3 /CH 3 COOH混合溶液中的Si晶片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟，HF蚀刻剂浓度在（20-24）wt％范围内。从结果可以看出，随着蚀刻时间的延长，重量损失和蚀刻深度的变化单调增加。然后根据重量损失和蚀刻深度随时间的变化来确定蚀刻速率。结果表明，Si晶片的蚀刻速率随时间降低，在较高的HF浓度下增大。在光学显微镜下观察到蚀刻后Si晶片的表面变得光滑抛光。 X 射线衍射图表明，蚀刻硅的晶体峰强度高于纯硅，随着 HF 浓度的增加，与 Si 相关的峰略微向 2θ 方向移动。目前的发现表明，化学蚀刻硅晶片的所需厚度可以潜在地装入微电子设备制造的更薄的封装中，从而减少能源和成本浪费，实现未来的可持续发展。
使用X射线衍射映射硅晶片中经纱的计量学
*通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie摘要 - X射线衍射（XRD）映射是一种非破坏性计量技术，可以通过热机械应力重建在硅晶片上引起的经线的重建。在这里，我们使用基于X和Y方向的一系列线扫描以及同一样品的不同90度旋转的方法绘制了晶圆的扭曲。这些线扫描从晶圆的表面收集摇摆曲线，记录由于表面不良导致的衍射角（ω）偏离了布拉格角。表面经线通过诱导测得的衍射角与参考角度角度（ω -ω0）和摇摆曲线扩展（FWHM）之间的差异来反映XRD测量。通过收集和整合摇摆曲线（RCS）和FWHM从整个表面和晶圆的多个旋转范围扩大，我们可以生成表面函数f（x）的3D地图和角度的不良方向（Warpage）。经线表现出凸形，与文献中报道的光学验证测量值对齐。基于实验室的XRDI有可能在较短的时间内和原位绘制晶圆的翘曲，这可以在同步加速器辐射源中完美地执行。关键字：计量学，硅，扭曲，X射线衍射，晶圆。I.简介
基于光子采样和映射的晶片级光电收发器芯片的同时微波表征
电磁频率扫描方法（EOF）在微波网络分析仪（MNA）的帮助下广泛使用，以将光学转换为电测量[1，2]。在晶状体级别的情况下，光电收集器芯片被视为层叠的电气 - 光电极（E-O-E）链路，该链接包含包括强度调制器（IM）芯片和光电二极管（PD）芯片（PD）芯片的chip，并通过散射参数在参考平面上表征的M1-D2-2-D2-2均匀表征。附录A中显示了详细的传输和散射矩阵。由于测得的结果由IM和PD构成贡献，因此必须通过将整数收发器分解为离散的IM或PD芯片，以与O-E或E-O-O-O-O-O TransDucer Standards相结合，以使IM或PD的个体响应进行隔离。