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World File Search System晶片
适合未来太空应用的基于压电的可变形镜……
本文主要讨论可变形镜 (DM) 的要求定义、流程和验证。这些要求源自一组真实的太空任务应用。镜子的变形由单压电陶瓷致动器以单晶片配置执行。最终开发的 DM 能够在直径为 50 毫米的清晰光学孔径上产生行程为几十微米的泽尔尼克模式。它成功通过了全面的环境鉴定活动，包括热循环、冲击和振动测试，以及质子和 γ 射线辐射。在 100 K 至 300 K 的温度范围内进行了热测试和性能测试。此外，DM 经受住了所有振动（随机 17.8 g RMS 和正弦）和冲击（300 g）测试。因此，之前研究中发现的所有关键问题都已成功克服。
芯片级原子钟 - Microchip Technology
第三阶段物理组件（上图 1(b)）保留了第二阶段设计的许多成功特性（来自 [3]，如图 1(a) 所示）。加热谐振单元组件由张紧聚酰亚胺“系绳”支撑，这些系绳在机械坚固的配置中提供非凡的热隔离（7000°C/W）。使用传统的光刻技术将谐振单元组件的电气连接以及加热器本身图案化到聚酰亚胺上，以便（导热、金属）迹线的尺寸由电气要求而非机械要求决定，从而最大限度地减少通过电子连接的热损失。共振腔本身由 Pyrex ® 窗口阳极键合到穿孔硅晶片制成，除了温度补偿缓冲气体混合物外，还含有少量金属铯，从第二阶段到第三阶段的演变过程中也没有变化。
Vertical β-Ga2O3 power electronics
β -ga -ga 2 O 3具有8 mV/cm的高度有希望的临界电场，与其他宽带镜头材料相比，具有改进穿孔的设备[1，2]。从熔融和超过10μm的表现层生长的4英寸晶片，这些层由卤化物蒸气相增长的外观层和高度可控制的掺杂浓度生长，铺平了垂直功率设备的方式。β -ga 2 O 3社区始终提高了高于SIC或GAN优于SIC或GAN的平均批判性电场，这适用于900 V超过900 V [1]的中/高压基础设施。垂直β -GA 2 o 3功率电子近年来取得了巨大进步，例如各种表面/界面工程，各种边缘终止，准内式垂直晶体管等。
IPC-TM-650测试方法手册
3测试样品此测试方法主要设计用于测量“镀” eNig pwbs中的磷含量。也可以使用此方法对其他镀镍（EN）镀板材料进行测试，包括柔性电路，硅晶片，铝或钢。PWB底物上NIP层的典型厚度范围为3至6 µm [118.1至236.2 µin]。磷含量的重量可以从0％到14％。精确确定P含量所需的单层电镍的最小和最大厚度为0.5 µm至25 µm [19.7 µin至984 µin]。测试后，标本表面上存在的金的最大厚度应小于0.10 µm [0.004 µin]。对于具有较厚黄金的样品，必须在评估之前通过化学剥离或离子铣削去除黄金。
芯片级原子钟 - Microchip Technology
第三阶段物理组件（上图 1(b)）保留了第二阶段设计的许多成功特性（来自 [3]，如图 1(a) 所示）。加热谐振单元组件由张紧聚酰亚胺“系绳”支撑，这些系绳在机械坚固的配置中提供非凡的热隔离（7000°C/W）。使用传统的光刻技术将谐振单元组件的电气连接以及加热器本身图案化到聚酰亚胺上，以便（导热、金属）迹线的尺寸由电气要求而非机械要求决定，从而最大限度地减少通过电子连接的热损失。共振腔本身由 Pyrex ® 窗口阳极键合到穿孔硅晶片制成，除了温度补偿缓冲气体混合物外，还含有少量金属铯，从第二阶段到第三阶段的演变过程中也没有变化。
市场领域的分类学|尤里卡网络
塑料制造商同质注射/挤出物非均匀注射/挤出纤维增强（塑料）复合材料（塑料）复合材料其他制造的塑料工艺，用于使用塑料涂料和粘合剂制造膜和膜的产品和基于膜的产品专用材料：生产者和制造商的产品专业材料：E.G.G.硅晶片）III/V半导体材料（例如砷化金属）特种金属（包括与金属合作的过程）陶瓷润滑剂和功能流体其他特色材料商品化学品和聚合物工业化学化学物质聚合物（塑料）材料专用/性能/性能化学化学化学品电子化学物质电子化学物质其他特种化学物质农业化学品和其他分类化学材料（其他分类）工业化学
超声电池检查技术的评估
在这项研究中比较了两种超声波方法，以评估其相对优点以进行电池检查。第一个是局部超声共振光谱（LURS），它测量了电池的局部厚度共振，以检测结构的变化。第二种技术是指导波超声，该技术因其原位监测的潜力而进行了评估。通过使用压电电晶片活跃传感器（PWAS）以及通过激光多普勒振动测定法（LDV）的线扫描通过俯仰测试进行指导波测试。将两种测量模式应用于锂金属袋电池电池，并用锂芯片模仿局部电镀。结果表明能够检测和监视电池的内部结构，以确保相对粗糙的缺陷，并突出两种检查方式中的每一种。
可再生能源投资者指南
阿曼邀请外国投资者参与其不断发展的能源行业中的各种机会。该国鼓励通过与当地公司签订合资协议进行合作，积极参与太阳能和风能项目的竞标。此外，阿曼为投资研发提供了有利的环境，特别是在太阳能电池晶片制造、太阳能光伏、电解器组装和电子燃料生产方面，利用其丰富的高纯度硅资源。除此之外，外国投资者在能源存储领域也有广阔的前景，包括制造电池储能系统 (BESS) 等组件和其他创新储能系统。风力涡轮机、绿色钢铁和电解器是阿曼绿色氢能雄心的延伸价值链的例子。这种多管齐下的办法凸显了阿曼致力于促进伙伴关系和推动可持续能源计划的承诺。
KVPX 系列
■ 触点数量：半模块 - 72；全模块 - 144 ■ 间距：1.8 毫米 ■ 额定电流：每个触点 1.5625 A 每个电源晶片 12.5 A（使用 30°C 温升和 1 盎司铜降额） ■ 提取力：通常每个触点 1.2 盎司 ■ 额定温度：-55°C 至 125°C ■ 绝缘体材料：LCP（液晶聚合物） ■ 触点镀层：50 µin。镀金镍层 ■ 可燃性等级：UL94-VO ■ 介电耐压：500 VAC ■ 低电平电路电阻：最大 8 m Ω ■ 绝缘电阻：最大 500 M Ω ■ 随机振动：15 Grms，每轴 10 Hz 至 2000 Hz，持续 90 分钟，符合 MIL-STD-1344，方法 2005，测试条件 III ■ 机械冲击：100 G，6 ms 锯齿响应，符合 MIL-STD-1344，方法 2004，测试条件 G
纳米材料组合
化学气相沉积 (CVD) 是制造真正单层石墨烯 (SLG) 的工艺。Versarien 的子公司 Versarien Korea Ltd.（韩国）在洁净室环境中使用快速热 CVD 工艺 (RT-CVD) 制造 SLG。石墨烯的合成和层压、转移和堆叠均在 1000 级（ISO 6）实验室中进行，而湿化学蚀刻和所有石墨烯特性分析均在 10000 级（ISO 7）实验室进行。我们的标准产品包括尺寸最大为 200 x 200 毫米的铜箔上的 SLG（CVD-101）、转移到 SiO 2 /Si 晶片上的 SLG（CVD-201）或转移到 PET 基板上的 SLG（CVD-301）。我们还提供生产多层堆叠石墨烯的服务，并将石墨烯转移到客户选择的其他基板上。