摘要 - 过氧化物酶体增殖物激活受体(PPAR)-α是皮肤炎症性疾病,高增生和异常分化的皮肤条件的关键调节剂。对表皮分化和皮肤屏障改善需要新的对PPAR-α激活剂的搜索。香己酸。香己酸是一种在柠檬草和柑橘类水果精油中发现的无环单丙烯羧酸。香己酸增强了PPAR响应元件(PPRE)和晶状膜形成(CE)形成的转移活性,并降低了炎性细胞因子和抗微生物肽的表达。香己酸还促进了依赖蛋白的蛋白质表达,作为CE的成分和角质形成细胞分化的标志物,以及透明质酸(HA)的合成,透明质酸(HA),一种保湿成分。这些结果表明,香氯酸可能是改善表皮屏障功能的合适皮肤治疗方法。关键词 - 香己酸,过氧化物酶体增殖物激活受体,透明质酸,促炎细胞因子,抗微生物肽
(a)半细胞中Xno-Anode材料的第一个形式周期,表明可逆能力为215 mahg -1和98.5%的第一周期效率。(b)半细胞中XNO-ANODE材料的脱二率测试,在10 C时表明能力保留率为95%(vs 0.5 c),在20 C时表明70%。在硬币细胞中进行了测试,电极复合负载为1.4 mAhcm -2。(c)半细胞中LNMO-CATHODE材料的第一型循环,表明137 MAHG -1的可逆能力和95%的第一周期效率。(d)半细胞中的LNMO-cathode材料的晶状率测试,显示在10C时的容量保留率(vs 0.5C)。在25°C的硬币细胞中进行了测试,电极复合负荷为1.1 MAHCM -2。1。[高压LI 1.0 Ni 0.5 Mn 1.5 O 4的表征以及尖晶石,晶格大小和4 V容量中的Ni含量之间的对应关系。https://www.topsoe.com/industries/batteries]。https://www.topsoe.com/industries/batteries]。
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中,通过引入沟槽几何学[1],野外停机(FS)技术[2]和注射增强(IE)效应来取得重大进展。但是,在州绩效,切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩(DA)在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制,并保持与宽带差距(WBG)功率设备的竞争力,必须以可靠的方式实施创新的硅技术,以实现自由运营和显着降低功率损失,同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻,从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT(TCIGBT)是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外,即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较,固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10,11]。因此,TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案,可以超越当前IGBT技术的限制。
摘要:对未来电子应用的原子较薄的半导体对单层(1L)硫属(例如MOS 2)(例如化学蒸气沉积(CVD)生长)非常关注。然而,关于CVD生长的硒的电性能,尤其是Mose 2的报告很少。在这里,我们比较了CVD生长的1L和BiLayer(2L)Mose 2的电性能,并由子材料计的ALO X封顶。与1L通道相比,2L通道表现出约20倍较低的接触电阻(R C)和〜30倍的电流密度。r c通过ALO X封盖进一步降低> 5×,这可以提高晶体管电流密度。总体而言,2L ALO X盖的Mose 2晶体管(约500 nm的通道长度)可提高电流密度(在V DS = 4 V时约为65μM /μm),良好的I ON / I ON / I ON / I ON / I OFF> 10 6,R C为约60kΩ·μm。 1L设备的性能较弱是由于它们对处理和环境的敏感性。我们的结果表明,在不需要直接带隙的应用中,2L(或几层)比1L更可取,这是对未来二维电子产品的关键发现。关键字:丙象钼,单层,双层,接触电阻,晶状体效应晶体管,氧化物封盖,掺杂,2D半导体
主组硫化岩广泛用于相变数据存储[1-3]和静电能量转换。[4 - 6]相变材料(PCM)可以可逆地在无定形状态和晶状状态之间切换,这些状态与二进制数字“ 0”和“ 1”相等。[1,7]上级PCM需要分别具有高速相变(包括高速相变的属性)以及两个状态之间的大型光学和电阻对比,分别是可重写的光学和非挥发性电子数据存储。[1,8],疗程材料需要大的电导率(σ),如金属中,具有高的seebeck系数(s)(如半轴),以及低导热率(κ)和低的导热率(κ ZT = S2σT /κ的序列。[9-11]有趣的是,这些苛刻且看似矛盾的要求是在一类葡萄菌化合物(例如Gete和SB 2 TE 3)及其合金中发现的。[3,12,13]这种令人惊讶的属性组合促使我们研究了负责属性独特投资组合的潜在机制。材料的特性通常受两种类型的因素约束。其中之一与由组成元素(即通过化学键合机制)连接的固有特性有关。[14]另一个因素与由空缺等结构缺陷控制的外在特性有关,[15,16]位错,[17 - 19]晶界(GBS),[20-23]
2D金属卤化物钙钛矿(MHP)以其多样化的晶体结构而闻名,允许其集成的有机和无机性/功能,3个吸引了ScientiC社区,其在Photovoltaics,4 - 6 Emitters,4 - 6 Emitters,7,8和传感器中具有巨大的潜力。9 - 11个专门阐明其复杂性能的广泛研究导致了设备性能的改善,从而推动了技术进步的界限。脱离了传统的信念,即杂交钙钛矿独家存在于结晶状态下,这种变革性观察出现了,在示例性的2d MHP中发现了玻璃形成[(s) - ( - - 1-( - )-1-(1-甲基甲基)2 pbbr 4(常见于SNP),snp and snpe s snpe and snpbbr 4(snpred as s snpe)澄清异构体的选择)12,13和一系列3D有机金属骨滑石14通过低温熔化的液化时间表(分钟尺度)。12,13,15 MHP的玻璃状态具有扩展其性能范围的潜力,尤其是由于相对于晶体状态的短和远距离顺序的变化,类似于其他玻璃半导体中观察到的情况。16此外,在玻璃状和晶状状态之间可逆切换的能力12开设了用于MHP应用的新途径,包括内存,17,18
易燃性是影响聚合物基质复合材料(PMC)的主要缺点之一,在几种应用中限制了金属替代品。磷化合物表现出很大的能力来对比燃烧散布。在这里,已合成并用作碳纤维增强聚合物(CFRP)层压板的磷酸化聚(乙烯基醇)(PPVA)(PPVA)。通过光谱(NMR和IR)和热(TGA和DSC)分析研究了磷酸化度高达7.5%wt的合成PPVA。此外,通过应用差分和Tegrals方法,将热降解动力学合理化了:磷催化效应与从燃烧过程中开发的磷物种产生的自由基耦合行为结合在一起,从而突显了PPVA的抑制剂作用。锥形 - 滤光度测试,模拟小型火灾情况,是通过溶剂铸造制成的聚乙烯醇(乙烯基醇)和PPVA涂层的材料进行的。结果突出了PPVA的抗晶状特性,尤其是作为有效的火焰抑制剂:火焰时期(TOF)时高达-58%。相反,聚(乙烯基醇)涂层导致材料火行为的总体恶化,突出了磷降低易燃性的关键作用。这种有希望的结果为使用PPVA涂料降低易燃复合材料的火风险铺平了道路。
摘要:贵金属纳米粒子蒸发自组装成有序结构具有成本低、效率高、操作简便等优点,在光学和等离子体器件的制备中具有广阔的应用前景。然而,对马兰戈尼流的难以控制是实现明确组装的挑战之一。在此,基于蒸发强度对组装影响的理论分析,设计了两个简单但可靠的流场控制平台来控制蒸发微流并与耗尽力同时作用,以实现金纳米棒的受控自组装。通过设计的毛细管中的强单向微流实现了取向有序组装,通过在自制玻璃池中产生的弱对流获得了单层膜的器件规模组装。由于自发对称性破坏或存在缺陷(如表面台阶和螺旋位错),可以得到形态多样的超结构组装体,如球晶状、边界扭曲、手性螺旋组装体和具有 π 扭曲畴壁的融合膜。进一步揭示了这些组装体的光学各向异性和偏振相关行为,这意味着它们在等离子体耦合装置和光电元件中具有潜在的应用。了解熵驱动的组装行为和控制蒸发微流来引导金纳米棒的自组装,可以深入了解一般的自下而上的方法,这种方法有助于构建复杂而坚固的纳米超结构。关键词:结构调节、取向排序、大面积、自组装、蒸发微流
电磁诱导的透明度(EIT)是一个连贯的光学过程,在原子培养基中的宽吸收线中提供狭窄的透明峰。EIT的全dielectric跨表面类似物已使纳米光子学场中的新发展获得了较小,更有效的慢灯设备和高度敏感的检测器,而无需量子方法。然而,尽管近红外(N-IR)区域很少报道全磁化元面的EIT响应的动态控制,尽管通过可重新配置的EIT系统将启用更广泛的应用程序。在这项研究中,我们意识到了硫元素(GST)的硫元化物(GST)元素元面,它通过光学地驱动GST培养基中的无定形 - 晶状相变的变化,具有动态调节的EIT响应。只有几十纳米厚,纳米结构的GST膜表现出MIE共振,这些共振通过激光诱导的相变经频谱修饰,在N-IR区域提供了高度相对调制的对比度为80%。此外,在此透明度“窗口”中观察到导致“慢光”行为的极端分散体。此外,N-IR梁的组延迟在相变下可逆开关。测量与数值模拟结果和现象学建模既一致。我们的工作促进了新型紧凑型超快N-IR全息图,过滤和超敏感探测器的发展。
1L一线2L二线ADA抗药物抗体AE不利事件API主动药物成分ATC ATC解剖学治疗化学分类系统BTK BRUTON的酪氨酸激酶CI置信区置信区间的酪氨酸激酶CI置信区间持续时间持续时间为了统一IG IG IG免疫球蛋白INN国际非专业名称ITT意图对处理的问题列表MAH营销授权持有人最大MCL MCL晶状体细胞淋巴瘤最小值最小MRHD最小MRHD最大MRHD最大剂量MTD最大耐受剂量N/A最大剂量N/A不适用NCCN国民综合癌症网络(A)不适用(A)EL NOTER STURCAND CONSERD PRESSICS PRESSICS PRESSICS PRESSICS PRESSICS(A EL STURACE PRESSIC PRESSIC PRESSICS)效应(不得生存)效应效应效应效应效应效应效应) PFS无进展生存PIP儿科调查计划(EMA)PSP儿科研究计划(US FDA)RMP风险管理计划R/R复发/耐火SAE严重不良事件Swisspar Swisspar Swisspar Swisspar Swiss Public Issubliment Republy Respublment Reverestment Teae治疗疗法治疗 - 急性不良事件 - 2000年12月15日对医疗制品和医疗设备的联邦法规(SR 81)(SR 81)(SR 812. 21)。治疗产品(SR 812.212.21)