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III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底
![b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“](/simg/f/f1d7ad45cd712c592430685056caab80f66abd68.webp)
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本期刊文章的自构建后版本可在Linköping大学机构存储库（DIVA）上获得：https：//urn.kb.se/resolve？urn = urn= urn= urnt：se：se：se：se：liu：diva-206387 N.B. N.B.：引用这项工作时，请引用原始出版物。Padinhare Cholakkal，H.，Tu，D.，Fabiano，S。（2024），神经形态感知的有机电化学神经元，自然电子，7（7），525-536。 https://doi.org/10.1038/s41928-024-01200-5
在电解质中的液晶相间的原位形成，具有无柔软的模板效应，可用于双电极电池
Zn/MNO 2电池由双重沉积反应驱动，是在水性系统中实现高能量密度的突出途径。引入最初的双电极（阳极/阴极）构型可以将能量密度进一步提高到200 WH kg -1以上，但由于Zn/MNO 2沉积和剥离的可逆性差而导致的循环寿命有限。从材料合成中的软模板策略中汲取灵感，在这里，我们将这种方法应用于电沉积和剥离，并设计原位形成的液晶相间。通过仅将0.1 mM的表面活性剂分子掺入电解质中来实现，这可以诱导有利的C轴向取向沉积六边形Zn和MNO 2。这种增强后随后增加了沉积/剥离可逆性，并促进了双电极电池的循环寿命，在〜950周期后实现了80％的容量保留。这种液晶相间化学也有很大的希望，可以在其他晶体系统中调节沉积，为下一代高能密度和基于水性化学的长期储能打开了令人兴奋的研究方向。
原料浓度对 WO3 纳米结构晶相、形貌及光学性质的影响
[1] N. Li, T. Chang, H. Gao, X. Gao 和 L. Ge, 纳米技术, 2019, 30, 415601。[2] P. Hasse Palharim、B. Lara Diego dos Reis Fusari、B. Ramos、L. Otubo 和 AC Silva Phocheiram、J. Costa Teitoxeiram光生物学。织物。 ，2022，422，113550。[3] YM Shirke 和 SP Mukherjee，CrystEngComm，2017，19，2096-2105。 [4] D. Nagy、D. Nagy、IM Szilágyi 和 X. Fan，RSC Adv. ，2016，6，33743–33754。 [5] 王晓燕，张红，刘琳，李伟，曹鹏，Mater.莱特。 ，2014，130，248–251。 [6] 顾哲，翟天临，高斌，盛晓燕，王燕，傅华，马英，姚建军，J. Phys.织物。 B, 2006, 110, 23829–23836。 [7] T. Peng, D. Ke, J. Xiao, L. Wang, J. Hu 和 L. Zan, J. Solid State Chem. ，2012，194，250-256。 [8] FJ Sotomayor、KA Cychosz 和 M. Thommes，2018 年，18。[9] M. Gotić、M. Ivanda、S. Popović 和 S. Musić，Mater。滑雪。英语。 B，2000，77，193-201。 [10] H.-F.庞晓燕. 项哲杰.李Y.-Q.傅和 X.-T.祖，物理。 Status Solidi A，2012，209，537–544。 [11] B. Gerand 和 M. Fjglarz，J. Solid State Chem. ，1987，13。[12] C. Hai-Ning，智能窗应用的光学多层涂层的制备和表征，米尼奥大学，2005 年。[13] RF Garcia-Sanchez、T. Ahmido、D. Casimir、S. Baliga 和 P. Physra.，J.织物。 A，2013，117，13825–13831。
伪多晶相工程改善硫化铜的热电性能
固体中的多态性（及其扩展形式——伪多态性）在矿物学、晶体学、化学/生物化学、材料科学和制药工业中普遍存在。尽管控制（伪）多态性困难，但实现特定的（伪）多态性相和相关的边界结构是提高材料在能量转换和机电应用方面性能的有效途径。本文将伪多态相 (PP) 概念通过 CuBr 2 掺杂应用于热电铜硫化物 Cu 2- x S (x ≤ 0.25)。在 Cu 1.8 S + 3 wt% CuBr 2 中，在 773 K 时获得了 1.25 的峰值 ZT 值，比原始 Cu 1.8 S 样品高 2.3 倍。原子分辨率扫描透射电子显微镜证实了原始 Cu 1.8 S 低辉绿岩转变为 PP 工程化高辉绿岩，以及不同 PP 之间形成 (半) 相干界面，这有望增强声子散射。结果表明，PP 工程是提高 Cu-S 化合物热电性能的有效方法。预计它在其他材料中也会有用。
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
![b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
神经形态感知的有机电化学神经元
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b“ Mxene具有通用公式M 1.33 CT Z的MXENE于2017年首次报道。[6]这些mxenes来自平面内排序的第四纪最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x9c 0.66）alc。蚀刻后，蚀刻了Al层和少数过渡金属M \ Xe2 \ X80 \ X9D，将其留下了平面内有序的分区的2D纸。By now MXenes are well recognized as performing well as negative electrodes in AASCs, [5a\xe2\x80\x93c,7] because of their high conductivity, excellent hydrophilicity, great tolerance to accom- modate various ions and negative operation potential window in three electrode configurations (e.g., to 1.6 V vs. Ag/AgCl in 21 M KCH 3 COO [8] ).最近，由于其高密度和无效材料的避免，诸如粘合剂，导电剂等，更多的工作集中在基于MXENE的自由层膜上，以实现SCS中的高体积电容（C V）。[9]在先前的报告中，硫酸（H 2 SO 4）一直是选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。[5d，10]但是，与中性水解物相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“