XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System晶碳
脑机接口对刑法产生的挑战及其应对
① 参见王行愚 、 金晶 、 张宇等 :《 脑控 : 基于脑 — 机接口的人机融合控制 》, 载 《 自动化学报 》2013 年第 3 期 , 第 208-221 页 。
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
今天在德国进行的负碳除碳
在我们位于巴伐利亚雷姆林根的生物甲烷植物上，我们的开创性解决方案将每年从大气中删除约9,000吨的CO 2。我们将这种解决方案扩展到整个德国的其他植物，为打击气候变化做出了有意义的贡献。在Reimlingen中，另一项创新增强了我们的植物的灵活性：Reverion技术。基于固体氧化物燃料电池的晚期发电厂可将现有的电力转换率翻倍。及其积分的可逆性，它可以在网格中剩余的电力期间通过电解提供氢和合成甲烷。在没有阳光和风的几天里，这种存储的能量尤为重要，因为它可以轻松电气化。我们的联合偿还项目赢得了德国天然气行业可持续生产创新奖。
第二章的碳状况和碳固执潜力
摘要在全球估算了草原的土壤碳（C）池和潜在的土壤C隔离。该研究基于有关土地覆盖和土地使用，土地退化，保护区，土壤资源和气候的最新全球数据。人口统计数据集成在地理信息系统（GIS）环境中，以计算潜在的人均隔离，并估计人们在使用土地进行生计的同时，人们参与缓解隔离方案。该研究确定的主要瓶颈是必须在全球范围内进行与草地管理和退化有关的总假设。数据库和相关的发射仿真工具可以在不同政府间的气候变化面板（IPCC）报告层，具体取决于本地派生数据的可用性。
用于晶圆缺陷检测的 AI 机器视觉系统
半导体晶圆加工过程中产生的表面缺陷是微纳米加工面临的主要挑战之一。通常使用光学显微镜扫描晶圆，然后由人类专家检查图像。这往往是一个非常缓慢且令人疲惫的过程。由于可能出现的缺陷种类繁多，开发一种可靠的基于机器视觉的系统来正确识别和分类晶圆缺陷类型以取代人工检查是一项具有挑战性的任务。在这项工作中，我们开发了一种机器视觉系统，用于检查半导体晶圆和检测表面缺陷。该系统集成了光学扫描显微镜系统和基于 Mask R-CNN 架构的 AI 算法。该系统使用具有 MEMS、硅光子学和超导器件的晶圆在不同制造阶段（包括表面缺陷）的显微图像数据集进行训练。所实现的精度和检测速度使该系统有望应用于洁净室。
激光诱导的降低晶烯 - 氧化微晶状体...
Low，M。J.，Lee，H.，Lim，J。C. H.，Sustand Sandeep，C.S.，Murukeshan，V.M.，Kim，S. -W。，＆Kim，Y.J。（2020）。激光引起的降低的氧化烯 - 氧化物微晶状体，由飞秒激光直接写入。应用的表面科学，526，146647-。doi：10.1016/j.apsusc.2020.146647
纳米、微米和宏观晶圆键合技术
本文概述了用于实现纳米、微米和宏观系统以及系统集成的最常见晶圆键合技术。首先，讨论了晶圆键合应用的一般方面。然后是对不同晶圆键合工艺的技术描述，因为不同的键合应用需要与工艺集成和应键合的晶圆上的实际表面层相关的不同工艺。最后，在概述表中显示了优点和缺点以及技术和应用方面，对所述键合工艺进行了系统化和详细的比较。本概述应有助于为晶圆级键合和其他应用选择最合适的工艺。
中晶的顺序和氧化铁生物衬里的相位转化
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/sstr.202100202。本文受版权保护。保留所有权利
200 系列 200 毫米晶圆运输载体
凭借 50 多年先进晶圆处理和运输经验，Entegris 持续提供安全可靠的 200 毫米晶圆加工解决方案。我们的 200 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些晶圆载体专为先进晶圆运输而设计，可提供精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保