XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System晶须
半导体晶圆传输解决方案
Mar 11, 2024 — 沉阳新松半导体设备有限公司成立于2023年,是一家专注于半导体晶圆传输专用设备的研. 发、生产、销售与技术服务的高新技术企业。公司前身为新松机器人自动化股份有限 ...
沿着晶须启发的触觉传感器的动态接触估计
啮齿动物中的一个有趣的共同特征是它们的晶须，他们可以积极地移动以感知环境周围的接触。这些晶须具有各种功能，例如从对象中提取轮廓，为机器人提供位置估算，识别纹理特征以及积极避免碰撞。基本上，它为低计算成本的机器人提供了一种非侵入性的触觉感知，尤其是在非结构化，混乱和视力障碍的环境中有益的。实现实时的被动接触估计并确保强大的机械设计对于这种传感器至关重要。以前的方法通常依赖于6轴力/扭矩传感器[1]，压电电阻[2]或其他与力相关的传感器。但是，这些解决方案通常是庞大而挑战的规模。相比之下，磁透射的晶须[3]提供了更紧凑且易于集成的解决方案，能够用平行的晶须形成阵列。尽管如此，基于磁通量在根周围的磁通量变化而准确地对接触运动进行建模并沿晶须轴进行定位，这在很大程度上取决于强大的设计。我们已经构建了一种产生提示联系估计的方法，但是由于缺乏对物体形状的先验知识，基于切向接触状态估计的当前方法仍然遭受动态误差[4]。
山东晶导微电子股份有限公司首次公开发行股票并在创业 ...
声明 ................................................................................................................................................................ 1
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
采用蒸发滴法合成 C70 富勒烯纳米晶须
摘要：半导体纳米晶须，特别是基于零维 (0D) C 70 富勒烯的纳米结构晶须，由于其在现代电子学中的巨大应用潜力而受到积极讨论。我们首次提出并实现了一种基于 C 70 分子在基底表面热蒸发过程中自组织的纳米结构 C 70 富勒烯晶须的合成方法。我们发现，在基底表面的甲苯中 C 70 溶液滴蒸发后，C 70 纳米晶须的合成开始取决于基底温度。我们已提供实验证据表明，初始液滴中 C 70 浓度的增加和基底温度的增加都会导致 C 70 纳米晶须的几何尺寸增加。所获得的结果为溶质浓度和基底温度在一维材料合成中的作用提供了有用的见解。
敏感的定量体内测定，用于评估生物分子对头发生长和着色的影响，直接微分注射到小鼠晶须卵泡中
摘要：许多人遭受脱发和皮肤色素异常的困扰，突出了对支持药物发现研究的简单测定的需求。当前的测定法具有各种局限性，例如仅体外，不够敏感或无法实现。我们利用了双侧对称性和大尺寸的小鼠晶须卵泡来开发一种称为“ Whisker卵泡微注射测定”的小说在体内测定中。在此测定中，我们使用与晶须大小相似的微针直接拔出小鼠晶须，然后将分子直接注入晶须卵泡的一侧，然后我们在另一侧注入溶剂作为对照。一旦晶须再次长大，我们就定量测量了它们的长度和颜色强度，以评估分子对头发生长和着色的影响。使用几种化学物质和蛋白质测试该测定法。化学物质米诺地尔和鲁ac替尼以及蛋白质RSPO1促进了头发生长。可以以低至0.001％的浓度检测到临床药物米诺地尔的作用。化学脱氧核糖素抑制了黑色素的产生。蛋白质NBL1被鉴定为一种新型的毛发抑制剂。总而言之，我们成功地建立了一种敏感和定量的体内测定法，以评估化学物质和蛋白质对头发生长和着色的影响，并通过使用该测定法确定了一种新型调节剂。在研究蛋白质功能以及开发用于治疗脱发和皮肤异常色素沉着的药物时，这种晶须卵泡显微注射测定将是有用的。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
基于无人机的跟踪和跟随铁路线
图5.7在第三个前向实验实验中所有九个试验的轨道距离值的晶须图。每个晶须图代表中位数为红线作为盒子的中心，第75个百分位数为盒子的顶部，第25个百分位数作为框的底部，最大和最小的非外部值作为线的终点，以及红点作为异常。整个图表的水平线标记了总体平均距离值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。72