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IMX415-AAQR | 索尼半导体解决方案
IMX415-AAQR 是一款对角线长 6.4 毫米（1/2.8 型）CMOS 有源像素型固态图像传感器，具有方形像素阵列和 8.46 M 有效像素。该芯片采用模拟 2.9 V、数字 1.1 V 和接口 1.8 V 三重电源供电，功耗低。通过采用 R、G 和 B 原色马赛克滤光片，实现了高灵敏度、低暗电流和无拖影。该芯片具有可变电荷积分时间的电子快门。（应用：监控摄像机、FA 摄像机、工业摄像机）
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
40-Gb/s 光接收器用 InGaAs 波导光电二极管的可靠性
研究了采用金属有机化学气相沉积法制备的波长为 m 的 InGaAs 波导光电二极管 (WGPD) 在 40-Gb/s 光接收器中的应用。通过监测暗电流和击穿电压，检查了高温存储和加速寿命测试的可靠性。提取了 WGPD 测试结构的中位器件寿命和退化机制的活化能。通过统计分析检查器件寿命，该分析在预测实际条件下的器件寿命方面非常可靠。WGPD 测试结构的退化机制可以通过暴露的 p-n 结上的钝化层中的离子杂质形成漏电流路径来解释。尽管如此，可以得出结论，WGPD 测试结构对于实际的 40-Gb/s 光接收器应用表现出足够的可靠性。
一项基于GAN的Betavoltaic电池的研究
摘要在本文中，通过金属 - 有机化学蒸气沉积和P型欧姆接触而生长了基于GAN的betavoltaic外延结构，以不同的Ni/Au金属厚度比，n 2：O 2：O 2（1：1）的温度依赖于这种同种疗程的n 2：o 2：o 2（1：1）的温度。转移长度方法测量是在每个不同的过程条件后进行的，以检查特定的接触电阻率。GAN的BETAVOLTAIC电池，并将扫描电子显微镜（SEM）用作测试这些设备的电子源。为此，将连接到印刷电路板连接的设备暴露于1.5 Na的电子电流，而SEM中的17 keV能量。对于1×1 mm 2设备，在0 V时的暗电流值为2.8 pa，填充系数为0.35，最大功率转换效率为3.92％，最大输出功率为1 µW。
电荷域增益在主动短波红外瞄准中的性能优势
摘要。目前，短波红外波段主动瞄准系统的灵敏度受到传统读出集成电路的高读取噪声限制。这一限制阻碍了其他性能权衡，例如源功率、照明波长和时间相干性。在信号读出之前在电荷域中引入增益可以降低读取噪声的影响，使其不再限制性能。为了准备一系列计划中的主动成像现场测试，我们在建模基础上使用两种不同的电荷域增益相机展示了改进的系统性能：电子轰击有源像素传感器 (EBAPS) 和碲化汞镉雪崩光电二极管传感器。我们发现这两种解决方案都可以降低读取噪声，使其中一种适合激光距离选通，但与 EBAPS 相关的高暗电流可能使其在某些情况下不适合连续波成像。这些结果有助于我们了解电荷域增益系统现场测试的预期性能。
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
C30902 系列_修订版2022.01
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。此结构在 400 nm 和 1000 nm 之间提供高响应度，并在所有波长下提供极快的上升和下降时间。器件的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。C30902SH 系列硅 SPAD 提供极低的噪声和大暗电流，可实现非常高性能的数据和距离测量。它们特别适合超低光照水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），适用于光功率小于 1 pW 的情况。C30902SH 可在线性模式（V OP < V BD ）下使用，典型增益为 250 或更高，或在“盖革”模式（V OP > V BD ）下使用，具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比。在此模式下，无需放大器，单光子检测概率最高可达约 50%。为了获得更高性能，这些高性能 SPAD 可配备单级或双级热电冷却器。
基于无意辐射的脉冲 X 射线探测器
摘要 — 氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 是一种新兴的超宽带隙半导体，在辐射探测中的应用引起了广泛关注。在本文中，我们利用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在蓝宝石上生长的高电阻率非故意掺杂 (UID) ε-Ga 2 O 3 薄膜制造了超快 X 射线探测器。该探测器采用横向金属半导体金属 (MSM) 结构，在 100 V 时表现出 < 2 nA 的低暗电流，在 40 V 和 X 射线剂量率为 0.383 Gy/s 时其灵敏度高达 28.6 nC/Gy 或 ∼ 1 . 0 × 10 6 nC/(Gy · cm 3 )。在切换 X 射线照明下观察到探测器稳定且可重复的瞬态响应。此外，该探测器实现了全宽50 ns的脉冲X射线探测，其时间分辨率约为7.1 ns。这些结果表明，MOCVD生长的高电阻率UID ε-Ga 2 O 3薄膜在超快X射线探测方面具有巨大的潜力。
高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
生成人工智能导致白领工人的位移，但减少了区域机会差异
图3：基于α-MOO 3的EUV检测器的性能：（a）在不同的光子能量和偏置电压下测量当前时间（I-T）曲线，而EUV辐射在周期中关闭并在循环中打开。时间归一化，以在同一面板中显示所有数字。随着偏差的增加，信号增加，但黑电流也有所增加。（b）。在分贝（𝑑𝐵）中作为光子能量的函数的信噪比（SNR）在低偏置时显示出强信号强度约为15 dB。由于在给定较高的偏置电压下暗电流值增加，在较高的偏置电压下，信号强度降低。（c）EUV在给定光子能量下诱导的电流对光子通量依次增加的响应，表明在检测极高的通量〜10 12𝑃ℎ/𝑠时没有饱和或降解，显示了设备稳定性。（d）记录电流的密度图与极高通量（〜10 12𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠/𝑠）下的100个连续重复测量的偏置电压（-5至5𝑉）的函数进行了测试，以测试该设备的