图1Hekexpress®细胞的基因型表征。(a)使用靶向T抗原编码序列的引物(集1)的引物,跨Hekexpress®基因组的TLA序列覆盖率。绘图表明质粒的积分位点位于3染色体等效物(CHR3)上。(b)使用针对T抗原编码序列(集1)或CHR3(集3和4)的引物(集3和4)的引物(集3和4)的引物,(b)在人类CHR3中整合基因座的TLA序列覆盖率。 集合1的覆盖范围表明,与人类HG38基因组相比,Hekexpress®基因组(绿色箭头)中的550 kb缺失。 集合3和4的覆盖范围确认了综合质量PRTAK的连接。 (c)PRTAK质粒图最初集成在Hekexpress®细胞系中。 大小的T抗原序列在橙色的基因中,在深紫色和grnas(grna_beginning和grna_end)中指示。 (d)Chr3等效(红色)的图与550 kb缺失以及包含T抗原序列的PRTAK质粒的整合。 由TLA证实的质粒 - 染色体连接均以蓝色指示。 Hek,人类胚胎肾; TLA,靶向基因座放大。(b)在人类CHR3中整合基因座的TLA序列覆盖率。集合1的覆盖范围表明,与人类HG38基因组相比,Hekexpress®基因组(绿色箭头)中的550 kb缺失。集合3和4的覆盖范围确认了综合质量PRTAK的连接。(c)PRTAK质粒图最初集成在Hekexpress®细胞系中。大小的T抗原序列在橙色的基因中,在深紫色和grnas(grna_beginning和grna_end)中指示。(d)Chr3等效(红色)的图与550 kb缺失以及包含T抗原序列的PRTAK质粒的整合。由TLA证实的质粒 - 染色体连接均以蓝色指示。Hek,人类胚胎肾; TLA,靶向基因座放大。
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改进的基因组工程方法可以使大型和精确的编辑自动化对于系统研究基因组功能至关重要。我们将Peel-1负选择适用于秀丽隐杆线虫中CRISPR-CAS9基因组工程的优化双标志物选择(DMS)盒式方案,并观察到多种效率测量的强大提高,这些效率均一致,这些效率是一致的。使用Peel-1-DMS选择杀死了具有转基因的动物,这些动物具有转基因,并保留了基因组编辑的整合体,通常会规避视觉筛查以识别基因组编辑的动物。为了证明该方法的适用性,我们会在推定的蛋白酶体亚基PBS-1和未表征的基因K04F10中删除等位基因。3并使用机器视觉自动表征其表型促进,从而揭示了纯合基本和杂合行为表型。这些结果为快速产生和表型基因组编辑的动物提供了强大而可扩展的方法,而无需通过眼睛进行筛查或评分。
最初发生(在≈297K时发生。在较低的温度(≈255k [1])下,原始的高对称性偏置 - 正直态被恢复。与此重入相变相关的对称性在冷却时不可能增加。一些观察结果表明,这会在热容量中产生局部倾角,[1,2]在降低温度时暂停熵的降低。[1]奇怪的对称性转化也发生在通量生长的钛酸钡晶体中,在该晶体中,高度有序的“ Forsbergh模式”可以首先出现,然后随后逐渐消失,因为温度单调变化。[3,4]最近,人们认为加热会导致高元元迷宫铁电域模式,以使位于较低的对称条纹阵列:一种效果分类为“反向过渡”。[5]清楚地,对称变化偶尔会以与通常所见的相反意义发生。虽然基本的热力学定律没有破坏,但这种情况是不明显的,逮捕的,值得一提的。[6]
1血液学和肿瘤学系,细胞和基因治疗,BambinoGesù儿童医院,IRCCS,罗马,意大利的IRCCS,2,科学系,“ 2018 - 2022年卓越系”,罗马“ Roma Tre”,罗马大学,罗马大学,意大利,意大利,临床科学和流动医学系,“ Roma”肿瘤学和解剖病理学,罗马萨皮恩扎大学,意大利,意大利,5个生物结构和生物系统国家研究所(INBB),罗马,意大利,意大利,复杂表型的分子遗传学6单位意大利罗马市,布雷西亚大学分子与转化医学系8,意大利布雷西亚大学,9个共镜核心设施,班比诺·格苏·格苏(Bambino gesu)儿童医院,IRCCS,罗马,意大利,意大利10号,临床医学和手术系,临床医学和手术系
在真核生物中,DNA主要通过缠绕组蛋白核心而获得高度紧凑的结构。DNA自然缠绕在组蛋白核心周围形成1.7个左手超螺旋,导致染色质中形成负超螺旋。在转录过程中,在聚合酶后方产生的负超螺旋可能在触发核小体重组中发挥作用。为了阐明超螺旋如何影响DNA缠绕组蛋白核心的动力学,我们开发了一个新模型来模拟DNA和组蛋白之间复杂的相互作用。我们的模拟表明,正超螺旋和负超螺旋DNA都能够缠绕在组蛋白核心周围以采用核小体构象。值得注意的是,我们的研究结果证实了在核小体缠绕过程中对负超螺旋DNA的强烈偏好,并且揭示了负超螺旋的旋转和扭曲都有利于缠绕组蛋白的DNA的形成。此外,对同一 DNA 模板上的多个核小体的模拟表明,核小体倾向于在原始核小体附近组装。这一对核小体自发形成的理解进展可能有助于深入了解染色质组装的复杂动力学以及控制染色质结构和功能的基本机制。
5 天前 — 7 条注释。(1)合格投标人。不属于《预算会计审计法》第七十条规定情形的人。 此外,如果您是未成年人、被监护人或需要协助的人,。签订合同所需...
摘要在这里,我们研究了PGP-SELBOX NCFET(在负电容FET中有选择性掩埋的氧化物上的部分接地平面)对FDSOI的负电容的影响。将铁电层放置在PGP-Selbox NCFET的栅极堆栈中,以产生负电容现象。铁电(Fe)材料与介电材料相似,但在其极化特性方面存在差异。fe-HFO 2由于其足够的极化速率具有高介电能力和更好的可靠性,因此将其用作铁电材料。分析了铁电材料参数的影响,例如强制场(E C)和恢复极化(P R)对NCFET的电容匹配的影响。模拟结果表明,R PE因子是P R与E C的比率,与更好的电容匹配密切相关。另外,还探索了铁电层厚度的变化对平均亚阈值摇摆(SS)的变化。还分析了PGP-Selbox NCFET的短通道效应(V Th rolo虫和DIBL)与铁电(T FE)的厚度之间的关系。模拟结果清楚地表明,PGP-SELBOX NCFET的SCES减少了,而I OFF fdsoi NCFET上的I OFF I OFF IN I ON IN I ON IN CES。对于拟议设备的铁罗 - 电动参数的优化值,在T Fe = 5nm时发现为50 mV/十年,比FDSOI NCFET(56 mV/十年)少。
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证(未经同行评审证明)获得的是作者/资助者,他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可,以永久显示预印本。这是该版本的版权所有,该版本发布于2024年11月24日。 https://doi.org/10.1101/2024.11.23.625001 doi:Biorxiv Preprint
约瑟夫·戈兹吉特(Joseph M. Swiger,1 Danielle J. Blackwell,1 Christina R. Major,1星期四,1 Mario Niepel,1 Zachreneia A. Varsamis,1 Sunaina P. Nayak,1 Hellen Bamberg,1 Jan-Rung Mo,1 Jan-Rung Mo,1 W. David Church,1 Ahmed S. S. Ahmed S. Mady,1 Jeff Song,1 Luke Utley,1 Patricia E. Rao,Timothy 2。 02140,美国2 Patrics E. Consulting,Acton,MA 01720,美国联系人 *灌注:),hkeilhack@rizontx.com(H.K.)https://doi.org/10.1016/j.ccell.2021.06.018https://doi.org/10.1016/j.ccell.2021.06.018