XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System本发明
选择性haspin抑制剂
本发明人发现了一种新颖的本发明涉及一组基于咪唑并[1,2-b]哒嗪的具有三环核心的化合物，它们是HASPIN的抑制剂，其活性是某些肿瘤细胞增殖所必需的，因此本发明的化合物单独或与化疗药物联合用于预防和/或治疗癌症。
脑转移复发预后的标记
主要创新和优点本发明人发现，分析接受治疗（例如脑外科手术）的受试者分离样本中本发明特征基因的表达水平，可构成预测受试者脑转移复发的可靠方法。因此，本发明的特征是预测治疗后（更具体地说是脑外科手术后）脑转移复发的可靠方法和试剂盒的基础。
教师文章硬件技术的最新进展：为未来铺平道路
2。教授 Lokesh S. Khedekar拥有“公交管理和人群控制系统”的专利，本发明与公交管理和人群控制系统有关。 公共交通，尤其是公交网络，在有效地将人们运送到所需目的地方面起着至关重要的作用。 但是，印度现有的公交系统面临着某些挑战，例如人满为患和资源分配效率低下。 本发明是公交管理和人群控制系统，以解决这些问题并优化公交路线的利用。 本系统包含了用于总线导体的移动应用程序和一个Web平台，供操作员监视和分析数据。 通过利用实时乘客数据，该系统旨在改善人群管理，优化总线分配并提高整体公共交通效率。教授Lokesh S. Khedekar拥有“公交管理和人群控制系统”的专利，本发明与公交管理和人群控制系统有关。公共交通，尤其是公交网络，在有效地将人们运送到所需目的地方面起着至关重要的作用。但是，印度现有的公交系统面临着某些挑战，例如人满为患和资源分配效率低下。本发明是公交管理和人群控制系统，以解决这些问题并优化公交路线的利用。本系统包含了用于总线导体的移动应用程序和一个Web平台，供操作员监视和分析数据。通过利用实时乘客数据，该系统旨在改善人群管理，优化总线分配并提高整体公共交通效率。
电子显微镜的起源 作者 - ULA
本发明涉及一种装置，通过该装置，物体通过电子束和影响电子流的静电场或电磁场（电子透镜）以放大的比例成像。根据本发明，多个电子透镜影响电子束，并一起以显微镜或望远镜的方式实现更高的放大率。如前所述，电磁电子透镜和带负电的静电电子透镜相当于光学中的会聚透镜，而带正电的静电电子透镜相当于发散透镜。因此，通过组合这些透镜，可以为电子束模拟光学中利用会聚或发散光束的任何已知装置。此外，还可以以这种方式构建直接使用或反射后使用电子束的显微镜或望远镜。通过以显微镜或望远镜的方式组合多个透镜，可以获得特别高的图像放大倍数。使用电子束具有特别大的优势，
专利教师官方杂志专利局
（57）摘要：本发明是一种紧凑的多组分水处理系统，该系统用于通过使用不仅可以便携，而且非常易于设置，运行和维护的过程来去除微粒和微生物病原体。本发明披露了一种植物毒性水过滤组件（100），该组件由植物 - 菌群源和粉末状活化碳组成，用于过滤，包括可溶性和颗粒物，包括致病性微生物杂质，以及染料和重金属，以改善水质。Phyto消毒剂已显示出令人鼓舞的结果，以消除肠杆菌，这是负责各种感染的最普遍的细菌之一，包括细菌，腹泻，下呼吸道感染，尿路感染和心内膜炎。
时间表生成器-IJRPR
本发明的领域在于教育技术，重点关注自动调度系统，以优化学术机构中的资源分配。它将人工智能和算法技术（例如遗传算法和约束满意度）整合在一起，以有效地处理复杂的调度要求。通过提高操作效率并减少手动工作量，该发明通过提供适应特定机构需求的可定制，用户友好的解决方案来支持教育管理。此外，它通过系统地解决与教师可用性，房间分配和学生时间表有关的约束来最大程度地减少调度冲突。专注于数据管理和系统可靠性，本发明增强了机构组织，并为教育部门的简化行政流程做出了贡献。
新闻稿：印度政府专利局已授予印度理工学院印多尔分校一项内存设计专利。
印度专利局已授予印多尔理工学院“PN 调谐差分 8T 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元”专利。本发明一般涉及集成电路，更具体地说涉及超低功耗 SRAM。为了降低存储器单元阵列的功耗，电源电压缩放是最优选的方式。电源电压缩放使操作能够在亚阈值范围内进行，其中电路的功耗最小。这是通过选择低于所用金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件的阈值电压的电源电压来实现的。通过 VLSI 设计进行电源电压缩放会受到诸如静态噪声容限 (SNM) 的明显损失、电流波动、限制可能连接到单个位线的单元数量等限制。本发明减少了读取干扰并提高了 SRAM 单元的写入能力，从而在超低功耗操作中更有效地操作 SRAM 单元。本发明还增强了 SRAM 单元在亚阈值区域内对工艺电压温度变化的免疫力。这是通过切断反馈并限制通过真实存储节点到地的电流来实现的，从而提高了 8T SRAM 单元的写入能力和写入速度，允许设置公共写入脉冲宽度，从而提高写入速度。读取操作期间对真实存储节点没有直接干扰，从而降低了芯片间或芯片内变化导致的故障概率。这种新型 SRAM 单元将使设计人员能够构建强大的内存阵列。