XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System机械抛光
采用高选择性浆料进行化学机械抛光 (CMP)，在具有完整电路功能的 STI 上停止新型 IC 背面制备
样品安装 平行样品安装和调整是实现全区域块状硅去除的关键步骤，特别是在使用 Allied Multiprep 或 UltraTech UltraPol 等系统时。尽管在使用 Allied X-Prep 或 UltraTech ASAP-1 等系统进行腔体减薄时，这一步骤并不那么重要，但我们想分享最近在全区域减薄均匀性方面的内部改进。 事实证明，使用压力范围为 0.05 MPa – 0.20 MPa 的富士胶片 Prescale 测量胶片有利于提高样品和抛光垫之间的平行度。该过程包括将压敏胶片放在抛光垫上，然后将样品浸到胶片上。胶片产生的彩色图案指示压力分布，从而可以精确调整样品支架。重复此过程，直到实现均匀分布的彩色图案，确保最佳平行度。图 2 展示了指导调整过程的结果彩色图案。
R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR invertau 用荧光-QM 的时间分辨电致发光 使用拉曼光谱法的化学机械抛光（CMP）浆料中常见成分的定量分析
subμm光刻发展至少可以追溯到1983年，并于1986年进行了审查，当时该领域仍处于大学研究状态[2]。目标是实现具有尖锐侧壁的二维模式，其尖锐的侧壁明显小于常规光学方法的可能性，这些光学方法被光的波长确定和限制。不仅考虑了光孔构成重要的方法，而且还考虑了光孔本身产生所需模式的能力。在上述出版物中回顾了几种用于生成光刻图像的方案 - 光影影像学，接触光刻，全息光刻，电子束光刻，X射线光刻和离子光刻。强度降解
使用高选择性浆料进行化学机械抛光 (CMP)，实现 IC 背面可靠制备至 STI 级别
ISTFA 2023：第 49 届国际测试和故障分析研讨会论文集，2023 年 11 月 12 日至 16 日，美国亚利桑那州凤凰城 https://doi.org/10.31339/asm.cp.istfa2023p0265