摘要:随着集成电路技术的发展,特别是进入亚微米工艺之后,关键尺寸的缩小和高密度器件的实现,集成电路材料层之间的平整度变得越来越关键。因为传统的机械抛光方法不可避免地会在金属甚至电介质层中产生与器件相同尺寸的划痕,导致光刻中的景深和聚焦问题。第一个实现应用的平坦化技术是旋涂玻璃(SOG)技术。但是该技术不仅会引入新的材料层,而且无法达到VLSI和ULSI技术所要求的整体平坦化。而且旋涂过程中的工艺不稳定性和均匀性无法满足晶圆表面的高平坦度要求。而一些技术如反向刻蚀和玻璃回流虽然可以实现亚微米级的区域平坦化。当临界尺寸达到0.35微米(亚微米工艺)后,上述方法已不能满足光刻和互连制造的要求.20世纪80年代,IBM首次将用于制造精密光学仪器的化学机械抛光(CMP)技术引入到DRAM制造中[1].随着CMP技术的发展,DRAM的制造工艺也发生了巨大的变化.
在这项研究中,研究了低能(1 keV)AR +离子束照射对多晶Ti磁盘形态的影响。通过切割和机械抛光商业棒来制备目标。通过扫描电子显微镜(SEM)和机械辅助学来表征辐照前后的表面地形。使用各种入射角(αI)以10 18离子/cm 2的总剂量从正常到放牧的几何形状进行辐射。对辐照的Ti靶标的SEM分析揭示了明显的纹理,其表面形态具有各种可实现的表面形态,具体取决于αI。表面特征从具有指纹样图案(0≤αi≤60°)的斑块中的波纹变化到平行于离子束方向的定向结构,例如柱/尖端结构(65≤αi≤75°)和浅层波纹(αi至80°)。这种形态的选择性可以归因于竞争性扩散和侵蚀性方案,在这种情况下,形态的横向均匀性受到晶体晶粒尺寸有限的影响。最后,评估了特征性地形的润湿性和生物兼容性,与未经处理的表面相比,结果表明离子束纹理表面的性能提高了。
摘要 - 由于它们在光学通信,传感和可穿戴系统中的潜在应用,因此具有广泛的研究兴趣。但是,它们的操作频率仅限于10 MHz,该MHz远低于某些应用程序的要求。在这里,我们提出了一种基于在灵活的塑料铝箔上制造的Ingaas纳米桥的高性能光电探测器,在该塑料箔上制造,在该塑料箔上,在其中通过简单的湿蚀刻步骤将外延层与粘合剂粘合,然后从父层INP底物提起。不涉及机械抛光,从而降低了制造程序的复杂性。富灵光电探测器表现出令人印象深刻的特征,包括801 PA的低黑暗电流,0.51 A/W的响应性,高检测性为5.65×10 10 Jones,在1550 Nm的6 V为6 V的施加电压下,在70 dB的线性动态范围和70 dB的线性动态范围。此外,我们通过优化了相互插入的检测电极的设计,优先考虑了光生载体的有效和高速收集。动态测量表明,光电探测器超过2.03 GHz的3 dB带宽,使其能够支持4 GB/s的数据通信速率。此外,这种灵活的光电探测器显示了较大的操作波长范围,几乎覆盖了整个
激光粉末床熔合 (L-PBF) 使 Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) 能够通过增材制造 (AM) 制造出低混合电流驱动发射器组件,Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) 是一种具有高抗拉强度和导电性的 Cr 2 Nb 沉淀硬化合金。由于构建体积限制,需要对通过激光焊接连接在一起的模块化段进行 AM 制造。开发了一种夹具系统,用于对准和压缩 0.5 毫米厚的对接焊缝,用氩气保护内表面,并防止组装过程中发生变形。外部夹具和夹板对准发射器部分,同时为脉冲 1070 nm 光纤激光器提供光束通道,而内部微型千斤顶在波导段内膨胀,消除连接部分之间的高度偏移并分配氩气保护气。传导模式焊接可防止形成锁孔和光束穿透波导内部,消除飞溅并产生光滑的底部焊道。顶面的表面粗糙度为 R a =2.34 µm,底面的表面粗糙度为 R a =3.17 µm。焊缝的平均 UTS 为 476 MPa,与 900°C 5 小时热处理后的 520 MPa UTS 相似。DOI:PACS 编号:I. 简介 Glenn Research Copper 84 (GRCop-84) [1], [2] 是一种铌铬化物 (Cr 2 Nb) 8 原子%Cr、4 原子%Nb [3] 沉淀硬化合金,适用于采用激光粉末床熔合 (L-PBF) 的增材制造 (AM) [4],[5],[6],[7],[8]。 L-PBF GRCop-84 的热导率在 260 W/m∙K [5] 到 300 W/m∙K [6] 之间(OFC 的 75%-84%),电阻率为 2.5 µΩ∙cm [9],为无氧铜 (OFC) 的 140%,屈服强度为 500 MPa,打印状态下的 UTS 为 740 MPa,伸长率为 20% [4],经 450°C 热处理 (HT) 后屈服强度增加到 810 MPa,UTS 为 970 MPa,伸长率为 9%,或经 900°C HT 后屈服强度降低到 300 MPa,UTS 为 520 MPa,伸长率为 26-37% [10]。与挤压或热等静压 (HIPing) [12] 粉末固结相比,L-PBF [11] 过程中细化沉淀物尺寸可提高强度,因为 2/3 的抗拉强度来自 Orowan 机制 [13]。高抗拉强度和稳定的沉淀物可用于火箭发动机 [5],[6],[7],[8] 或聚变反应堆 [14],[15] 的高温。高热导率和与 Nd:YAG 和光纤激光器的耦合不良 [16] 增加了传统铜合金的表面粗糙度和空隙率 [17]。GRCop-84 的 L-PBF 可实现全密度(> 99.9%)[4],平均垂直侧壁粗糙度为 Ra =3-4 μm [18]。通过机械抛光 [18] 或化学机械抛光 [20],[21],AM GRCop-84 的表面粗糙度[19]降低至 Ra <~0.3 μm,在 4.6 GHz 下实现低损耗。由于 14 vol% Cr 2 Nb [7],[11] 增强了 GRCop-84 的 AM,近红外激光的低温吸收得到了改善。