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World File Search System杂化气
尿嘧啶和 5-氟尿嘧啶杂化物作为潜在抗癌剂的最新进展：综述
癌症是全球最可怕的疾病，也是第二大死亡原因。为了设计出有效的分子来应对这一主要死亡原因，人们一直在不断研发。为了降低毒性水平并提高药物对癌症靶标的选择性，杂合分子的开发已成为研究的中心，科学家们正在不懈努力地开发这种与之前的发展无可比拟的杂合分子。杂环部分尿嘧啶及其许多衍生物已被证实是有前途的抗癌剂。此外，尿嘧啶和 5-氟尿嘧啶 (5-FU) 与不同药效团的偶联已被证明是一种极好的抗癌策略。因此，本综述旨在集体介绍所有早期和最近的尿嘧啶和 5-FU 杂合体的发展，据报道这些杂合体具有显著的抗癌特性。我们可以确信，本文可以作为进一步开发尿嘧啶和 5-FU 混合物的基础，并必将激励药物化学家生产出独特的抗癌药物。
基于杂化2D铜/氧化石墨烯氧化石墨烯
P.O.高级纳米光刻研究中心框93019，1090 BA阿姆斯特丹，荷兰。电子邮件：a.m.brower@uva.nl B Zernike高级材料研究所，Rijksuniversiteititit Groningen，Nijenborgh，Nijenborgh 4，9747 AG Groningen，荷兰。 电子邮件： Albert-Einstein-Straße15，12489德国柏林，Physikalisches Institut，Albert-Ludwigs-Universitae Freiburg，Hermann-Hherder-Straße3，79104 Freiburg，德国，德国G Paul Scherrer Institute，Villigen 5232 Box 94157，1090 GD阿姆斯特丹，荷兰†电子补充信息（ESI）可用：XAS Spectra的拟合参数； tinoh的C K边缘吸收光谱；代表性C 1S XAS光谱为裸锡笼计算出来；计算出O K边缘的裸锡笼的XA；图片片段化MS光谱在100 o m/z O 1400范围内；由于C和O K-Edges的Diert元素而引起的吸收横截面；计算出的裸锡氧化笼状态的密度。 来自DFT计算的相关物种的能量。 参见doi：https：//doi.org/10.1039/d3cp05428d‡目前的addres：阿姆斯特丹大学，范·霍维特分子科学研究所，P.O。电子邮件：a.m.brower@uva.nl B Zernike高级材料研究所，Rijksuniversiteititit Groningen，Nijenborgh，Nijenborgh 4，9747 AG Groningen，荷兰。电子邮件： Albert-Einstein-Straße15，12489德国柏林，Physikalisches Institut，Albert-Ludwigs-Universitae Freiburg，Hermann-Hherder-Straße3，79104 Freiburg，德国，德国G Paul Scherrer Institute，Villigen 5232Box 94157，1090 GD阿姆斯特丹，荷兰†电子补充信息（ESI）可用：XAS Spectra的拟合参数； tinoh的C K边缘吸收光谱；代表性C 1S XAS光谱为裸锡笼计算出来；计算出O K边缘的裸锡笼的XA；图片片段化MS光谱在100 o m/z O 1400范围内；由于C和O K-Edges的Diert元素而引起的吸收横截面；计算出的裸锡氧化笼状态的密度。来自DFT计算的相关物种的能量。参见doi：https：//doi.org/10.1039/d3cp05428d‡目前的addres：阿姆斯特丹大学，范·霍维特分子科学研究所，P.O。Box 94157，1090 GD阿姆斯特丹，荷兰§§当前的addres：柏林合作伙伴经济和技术GmbH，Fasanenstrasse 85，10623柏林，德国柏林。
未活化末端的对映选择性氮杂环丙烷化...
摘要：手性氮杂环丙烷是天然产物和各种重要靶分子中发现的重要结构基序。它们是合成手性胺的多功能构建块。虽然催化剂设计的进步使得对映选择性氮杂环丙烷活化烯烃的方法成为可能，但简单且丰富的烷基取代烯烃带来了重大挑战。在这项工作中，我们介绍了一种利用平面手性铑茚基催化剂促进未活化烯烃对映选择性氮杂环丙烷化的新方法。这种转化表现出显着程度的功能基团耐受性，并显示出优于活化烯烃的优异化学选择性，从而提供了多种对映体富集的高价值手性氮杂环丙烷。计算研究揭示了一种逐步氮杂环丙烷化机制，其中烯烃迁移插入起着核心作用。该过程形成了有张力的四元金属环，并作为整个反应中的对映体和速率决定步骤。
p-n杂孔索敏化器改进了Sono- ...
Sijia Wu 1,2 , Qian Wang 2 , Jun Du 2 , Qingxuan Meng 2 , Yuhao Li 2, *, Yuqing Miao 2 , Qing
通过杂化金属 - 有机化学蒸气沉积的2D半导体化学定制的生长
摘要：二维（2D）半导体过渡 - 金属二甲藻元化（TMDC）是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台，从而提出了强烈的需求，以了解其增长，兴奋剂和异质结构。尽管在固体源（SS-）和金属 - 有机化学蒸气沉积（MOCVD）中取得了显着进展，但仍需要进一步优化，以增强高度结晶的2D TMDC，并具有受控的掺杂。在这里，我们报告了一种混合MOCVD生长法，该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送，以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法，我们证明了WS 2的生长，具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态，包括蓝宝石，SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度，低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改，我们证明了V掺杂WS 2，Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法，可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字：金属 - 有机化学蒸气沉积，2D半导体生长，过渡金属二甲构代化，掺杂，合金，WS 2，MOS 2，MOS 2
用于化学和生物传感的硅杂化纳米结构的界面工程
这些和其他有吸引力的特点引起了人们对这种技术日益增长的兴趣，包括材料科学的基本方面和控制界面特性的化学方法。纳米材料合成方法和纳米制造技术的最新进展为具有极高界面面积和极小尺寸的化学传感器创造了机会，分别可以提高灵敏度和响应时间。以前的报告描述了独特的传感器类别，它们利用各种类型的纳米材料和设备架构进行有针对性的应用，活性材料包括有机半导体[3,4]、无机薄膜和纳米线[5–9]、碳纳米管[10]、石墨烯[11]和过渡金属二硫代化合物[12]。在所研究的广泛材料中，单晶硅及其衍生物尤其令人感兴趣，因为其具有优异、可重复和良好控制的电子特性，可实现卓越的性能和节能运行，并与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，用于集成多路复用和信号处理。各种研究都表明了此类化学传感平台的用途，重点是制备、组装、界面工程、电气性能和应用。与其他纳米材料（例如石墨烯、过渡金属二硫属化物、黑磷）相比，这些纳米材料通常包含一系列不受控制的活性位点（例如空位、晶粒边界和缺陷），对基面传感产生不利影响，而现代方法可以常规形成单晶硅，质量优异，成本低，面积大，结构和材料特性近乎完美。[13] 受控生长和/或光刻
天然，合成和杂化纤维增强聚合物复合材料的特性和应用：评论
摘要：与聚合物复合材料中合成增强相关的环境挑战，例如非生物降解性和可回收性差，需要探索各种天然材料，尤其是从废物流中，以全面或部分替代此类增强。然而，这些天然纤维还提出了挑战，例如高吸水，低热稳定性和平均机械性能。为了避免这些问题，包含一种或多种类型的自然增强的天然纤维增强杂化复合材料正在增加研究兴趣。本文介绍了对天然纤维增强杂化复合材料的评论。综述了天然和合成纤维（杂化纤维）增强的热塑性和热热器。总结了纤维的特性以及所得的复合材料和加工技术。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
致密碳化硼基陶瓷的强韧化机理研究进展
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中，发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ，复合陶瓷的硬度降低，断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外，两相间位错的产生， 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因，其在陶瓷断 裂前吸收能量，造成局部强化 [37–38] 。研究发现， 添加 20 mol% TiB 2 时，复合陶瓷的相对密度为 97.91% ，维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ，断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比，在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中，研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染，获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时，烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应，因此，原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度，同时，液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面， 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能，并加速了沿晶界