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World File Search System杂化物
硫杂质对结构、电子和
石墨烯及其衍生物是具有二维六边形结构的突破性材料，具有出色的电导率、强度和柔韧性。它们的多功能性和化学可改性性使其可用于电子、储能、传感器、生物医学等领域。正在进行的研究凸显了它们在推动技术和解决全球挑战方面的潜力 [1]。在这种结构中，粒子的行为类似于狄拉克无质量费米子，从而产生许多合适的电特性，使石墨烯成为设计和制造未来纳米电子元件的合适候选材料 [2-4]。因此，近年来，科学家扩大了在二维材料领域的研究，这些研究成果导致了新二维材料的诞生 [5,6]。二维材料的一个值得注意的点是，可以通过应用吸收、杂质污染、产生缺陷或应用其他物理特性等变化来改变其特性 [7-11]。最重要的和
ITU-T 中网络控制自动化技术的5-1标准化活动 GNSS+ 2023
该体系结构还指定了几个参考点。RP-AN-1，RP-AN-2，RP-AN-3和RP-AN-6是KB子系统和底层网络之间的参考点，动态适应子系统，自治引擎，E2E网络编排和编排器，以启用这些子系统的KB访问KB。RP-AN-4是自主引擎和动态适应子系统之间的，可为动态适应子系统提供进化探索和实验功能。RP-AN-5位于动态适应子系统和底层网络之间，随着底层网络条件在运行时的变化，将控制器的选择和集成到底层网络。RP-AN-7，RP-AN-8和RP-AN-11是AN编排者和KB之间的参考点，分别是自主引擎和动态适应子系统，以使An Orking Trator能够管理AN和AN和LISECYCLE中的工作流程和流程。RP-AN-9，RP-AN-10，RP-AN-12是E2E网络乐团和编排者，自治引擎和动态适应子系统之间的参考点，由E2E网络编排器使用，这些系统用于管理和机弦乐网络实体。RP-AN-13是E2E网络编排和底层网络之间的参考点，用于管理和编排底层网络中的控制网络实体。
硫族化物钙钛矿 YScS3 作为潜在的 p 型...
摘要：透明导电材料 (TCM) 已广泛应用于触摸屏、平板显示器和薄膜太阳能电池等光电应用。TCM 的这些应用目前以 n 型掺杂氧化物为主。由于空穴迁移率低或 p 型掺杂瓶颈，高性能 p 型 TCM 仍然缺乏，这阻碍了高效的器件设计和透明电子等新应用。在这里，基于第一性原理计算，我们提出硫族化物钙钛矿 YScS 3 作为一种有前途的 p 型 TCM。根据我们的计算，它的光吸收起始点高于 3 eV，这使得它对可见光透明。它的空穴电导率有效质量为 0.48 m 0 ，是 p 型 TCM 中最小的之一，表明空穴迁移率增强。它可以通过阳离子位点上的 II 族元素掺杂为 p 型，所有这些都会产生浅受体。结合这些特性，YScS 3 有望提高 p 型 TCM 相对于 n 型 TCM 的性能。
使用TGA-EGA方法研究杂化聚合物微球的碳化过程：评估硫酸对该过程的影响
摘要TGA-EGA技术用于研究磺基酸（SA）对由甲基丙烯酰胺，divinylbenzene和Trimethoxyvinylane组成的杂化型特里群前体的碳化过程的影响。在N 2大气下，原始聚合物用SA的饱和溶液在600°C下浸渍。原始混合聚合物和所得碳的特征性能均基于FTIR，Raman和PXRD分析，该分析表明材料是由硅/硅酸盐无序网络互穿的非晶聚合物或碳相组成的。孔隙法分析表明，与原始前体相比，所得的碳具有均匀的超级气孔，平均孔隙宽度为0.7 nm，中孔数量减少。从TGA结果中，遵循浸渍的聚合物在两个阶段分解的浸渍，而不是像原始前体那样。此外，浸渍聚合物的IDT减少了约100°C，其T最大增加了2-5.5°C。他们的分解速度较慢22-37％，这导致该过程的效率提高了10-48％。EGA显示出浸渍前体的分解位置是从酰胺基团的降解开始的，然后发生了SA破坏，然后进一步分解了聚合物。研究得出的结论是，SA对碳化聚合物的表面具有保护作用。在浸渍和热处理期间，SA在前体的毛孔中产生沉积物。这导致孔宽度缩小，延迟和减慢聚合物热分解过程，并提高其效率。