XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System板上
在微型针形的CMOS背板上的Ultrabright OLED的高密度整合
有机发光二极管（OLEDS）的直接沉积基于硅的互补金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化芯片（CMOS）芯片已使具有高分辨率和纤维效应器的自我发射微观播放。OLED在增强和虚拟现实（AR/VR）显示器以及生物医学应用中的新兴应用，例如，作为光遗传学中细胞光递送的大脑植入物，需要在传统显示器中发现的光强度高度的宽度量。进一步的要求通常包括显微镜占地面积，特定形状和超强的钝化，例如确保基于OLED的植入物的生物相容性和最小的侵入性。在这项工作中，最多1024个Ultrabright，显微镜OLED直接沉积在针状CMOS芯片上。在CMOS芯片的Foundry提供的铝接触板上进行透射电子显微镜和能量X射线光谱，以指导触点的系统优化。等离子体处理和银层的实施导致欧姆接触条件，因此促进了橙色和蓝色发射OLED堆栈的直接真空沉积，从而导致芯片上的微米大小的像素。每个针中的电子设备允许每个像素单独切换。OLED像素产生的平均光电密度为0.25 mW mm-2，对应于> 40 000 cd m-2，远高于大脑中日光AR应用和光遗传单单元激活的要求。
业务规划 - 安排 - 板上-2023-2025。 ...
o的最大利益o提倡记录决策并进行评估o复杂的共存条件的复杂性o波动的能力o o的能力波动o o的作用o o的作用o o的作用 /与他们的倾听 /与他们共享 /共享信息（有许可）o缺乏对前线工作者的理解，而不是通过线路工作人员进行更多的评估•在范围内进行更多的评估•在这些方面的责任•在以下方面的界限•在智力方面•在他们的范围内进行界限，以置于专业的实践范围内，而这些实践者的实践者是界限的界限，以划分界限，以实现差异，以划分界限，以实现较高的实践，而犯有界限的界限问题
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
2023 年 4 月甲板上的公民权利
多个海岸警卫队亲和团体取得了里程碑式的进展，各团体的领导层和海岸警卫队高层领导签署了谅解备忘录 (MOU)，正式承认了他们的合作关系。新成立的海岸警卫队亲和团体包括残疾盟友资源小组 (DARG)、海岸警卫队频谱和政府中的黑人 (BIG)。DARG 旨在提高人们对影响残疾人士的工作场所问题的认识，并加强包容性招聘工作。海岸警卫队频谱为海岸警卫队 LGBTQ+ 人员提供了一个正式的社区空间，以提供支持和联盟。BIG 倡导为黑人海岸警卫队军事和文职人员提供平等机会和职业发展。兴趣小组和员工资源小组可以通过培育一个包容性的社区来丰富服务人员的个人和职业发展，该社区支持海岸警卫队的核心价值观，即荣誉、尊重和忠于职守。虽然海岸警卫队兴趣小组与服务部门合作，但它们被视为独立组织。左图：DARG 总裁 Linda Aase 与健康、安全和工作生活总监海军少将 Dana Thomas（左）和人力资源代理助理指挥官兼多元化和包容性高级顾问 Donna (Mischell) Navarro 博士一起签署 DARG MOU，2023 年 4 月 6 日。图中：Donna (Mischell) Navarro 博士与海岸警卫队领导人（包括美国海岸警卫队副司令 Steven Poulin 海军上将和 Spectrum 成员）一起签署海岸警卫队 Spectrum MOU，2023 年 3 月 27 日。右图：海岸警卫队分会 BIG 总裁 LaShonda Jones 和 Donna (Mischell) Navarro 博士在签署 BIG MOU 后享受庆祝时刻，2023 年 3 月 30 日。（照片由 Moses Ward 拍摄）
316L基板上VDM合金780激光金属沉积的过程图定义
摘要：VDM合金780是一种新型的基于Ni的超合金，与Inconel 718相比，机械性能较大的机械性能较大，其工作温度较高约50℃。年龄可硬化的尼古拉合金结合了提高的温度强度与氧化耐药性，以及由于γ' - 沉淀而提高的微观结构稳定性。这些优点使其适用于可用于高温应用中的耐磨性和耐腐蚀涂料。但是，VDM合金780尚未足够研究激光金属沉积应用。进行了316升标本上单个轨道的实验设计，以评估过程参数对clad质量的影响。随后，通过破坏性和非破坏性测试方法评估了外壳的质量，以验证VDM Alloy 780对于激光金属沉积应用的适用性。单轨实验为涂料或添加剂制造应用提供了基础。用于传达结果，提出了带有回归线的散点图，这说明了特定能量密度对所得孔隙率，稀释，粉末效率，纵横比，宽度，宽度和高度的影响。最后，在孔隙率方面，包裹的质量通过每个单位长度质量不同的两个过程图可视化。
碳捕获潜在的板上船
文献中发现的估计成本，因为CC的车载装置的差异很大，范围从估计不到每吨不到100欧元的CO 2到每吨Co 2近近300欧元，捕获，液化并存储在车载上。这项研究发现，在适当的情况下，在技术和经济上似乎有可能安装CC船上的船上，只要运输的脱碳政策措施继续发展和板载CC的技术开发。需要将引入CC船上船舶的成本与替代措施进行比较，例如改用E-Methanol，可再生氢等。例如，Brynolf等人（2022）估计液化氢的碳减速成本，每吨220-欧元850欧元的运输量和不同电透明的减排成本为150欧元至1250欧元，每吨CO 2，均为每吨的CO 2，含有合并的生物甲醇和较低范围内的含量为每吨。
纳米结构的gaas-on-s-on-si基板上的Ingaas量子点的线性阵列
在SI中集成的高质量量子点（QD）的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此，了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里，我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si（001）底物的分子束，由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用，表明，当QDS的生长选择性，横向顺序和尺寸均匀性的提高时，QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外，x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si（001）底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从（111）迁移到（111）到（001）纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素，它们的形态和结构与GAAS（001）和Si（001）平面表面上的形态和结构不同。
刚性和柔性基板上的 2D PEA2SnI4 喷墨打印卤化物钙钛矿 LED
过去十年，钙钛矿 (HP) 因其在光伏 (PV) 和发光二极管 (LED) 领域的优异光电特性而备受关注。1、2 其中，基于钙钛矿的发光二极管 (PeLED) 显示出超过 20% 的外部量子效率 (EQE)。3、4 最近，大量的研究集中在无铅 HP，主要是在 PV 中，作为解决毒性问题最有前途的策略。然而，无铅 PeLED 的开发受到的关注较少，主要是因为与含铅 PeLED 相比，它们固有的稳定性较低。因此，开发采用工业友好型技术制造的无铅 PeLED 是该领域的一个重要里程碑。3D HP 具有低激子结合能，使用低维结构（如 2D HP）是制造 PeLED 的首选。 5、6 与无铅 HP PV 的情况一样，Sn-HP 是开发 PeLED 最有希望的家族。尽管如此，尽管在性能（EQE 和亮度）方面取得了长足的进步，3、7、8 Sn 2+ 在其氧化状态下容易在环境条件下发生氧化，形成四价态 Sn 4+ 。这一事实导致了 ap 型自掺杂过程，留下不需要的 Sn 2+ 空位，这些空位充当非辐射复合中心，从而猝灭了钙钛矿发射。已经提出了几种方法和努力来克服 Sn 2+ 氧化。9 一些研究证实 SnF 2 是一种广泛用作太阳能电池中 Sn 补偿剂的添加剂，10、11 引入 Cl 掺杂，10 或使用适量的金属锡。10 使用 NaBH 4
由基于激光的有向能沉积在钣金基板上制造的杂交组件的材料表征
Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，基板
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。