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薄玻璃基板上的 3D 集成高精度无源器件，适用于微型高性能射频元件
摘要 — 设计并演示了在 100 微米薄玻璃基板上通过通孔互连的高精度高性能带通和低通滤波器的双面或 3-D 集成，用于超小型双工器组件。开发了一种实现大面积高精度制造的新型工艺，以大大提高电气性能的公差。高精度、高品质因数和高元件密度以及玻璃上的薄膜层用于在玻璃上实现创新的拓扑结构，以实现高带外抑制和低插入损耗。低损耗 100 毫米厚的玻璃芯和多层 15 毫米薄聚合物膜用于在基板上构建滤波器。演示的双工器尺寸为 2.3 3 2.8 3 .2 毫米。借助玻璃的尺寸稳定性和半加成图案化工艺控制，所制造的滤波器的性能与模拟结果具有极好的相关性。还分析了工艺敏感性分析对双工器性能的影响。最后，展示了一种独特而创新的工艺解决方案，以控制工艺偏差并实现良好的双工器公差。使用新工艺，性能偏差控制在约 3.5 倍。
与Microws g div>的铜板上的Graphne合成
ค าส าคัญ: แกรฟีน ไมโครเวฟพลำสมำ รำมำนสเปคโตรสโคปี Abstract This paper presents the synthesized graphene by using microwave plasma CVD on coper plate created from microwave oven.通过将乙醇的蒸气用作氩气中的碳源，在反应堆内成功地创建了石墨烯膜。氩气的流速变化了1、2、3、4和5升/分钟。创建的石墨烯膜以拉曼光谱法进行了特征。分别位于1345、1579和2686 cm -1左右的石墨烯，D，G和2D波段的三个主要频段，没有流速的影响。发现，在所有条件下，创建的石墨烯膜的缺陷都低。但是，当使用氩气1升/min的流速并重复5次时，创建的石墨烯具有2层。但对于其他流速，创建的石墨烯膜有多层。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
管状沉淀和冒泡模板上的氧化还原梯度
由降水所产生的在自然界中比比皆是，从热液通风口的烟囱到洞穴中的苏打水。 它们的形成受到预言发生的化学梯度的控制，定义了模板生长结构的表面。 我们报告了一种自组织的周期性模板，在铁 - 硫酸盐溶液中用电化学产生肾小管结构；铁氧化物沉淀在气泡表面，这些气泡在管缘上徘徊，然后脱离，然后留下一圈材料。 通过氨从气泡扩散到溶液中，酸 - 碱和氧化还原梯度自发产生，在管壁内组织径向构成分层，这是一种通过含有凝胶含量的摄氏4的氨基氧化物形成的复杂的液体氧化物模式在更大范围内研究的机制。 当壁内形成磁铁矿时，管可能会在外部磁场中弯曲。 在speleothem形成中与自由边缘问题的联系被强调。 产生管状结构的 t繁殖过程跨越了大量的尺度和机制。 在一个极端处是铁硫化物的烟囱，高于水热通风孔（1），在上升，酸性，酸性，热，富含矿物质的液体和较冷的海水周围的碱性，碱性，富含矿物质的液体和更冷的海水之间形成。 有毫米尺度的空心''botryoidal'（类似葡萄的）簇和硫化铁硫化铁的烟囱的化石证据（2）。 管状化石的“藻类结构”，可能是生物源，在带状铁的沉积层中发现（3）。 1）。在自然界中比比皆是，从热液通风口的烟囱到洞穴中的苏打水。它们的形成受到预言发生的化学梯度的控制，定义了模板生长结构的表面。我们报告了一种自组织的周期性模板，在铁 - 硫酸盐溶液中用电化学产生肾小管结构；铁氧化物沉淀在气泡表面，这些气泡在管缘上徘徊，然后脱离，然后留下一圈材料。通过氨从气泡扩散到溶液中，酸 - 碱和氧化还原梯度自发产生，在管壁内组织径向构成分层，这是一种通过含有凝胶含量的摄氏4的氨基氧化物形成的复杂的液体氧化物模式在更大范围内研究的机制。当壁内形成磁铁矿时，管可能会在外部磁场中弯曲。在speleothem形成中与自由边缘问题的联系被强调。t繁殖过程跨越了大量的尺度和机制。在一个极端处是铁硫化物的烟囱，高于水热通风孔（1），在上升，酸性，酸性，热，富含矿物质的液体和较冷的海水周围的碱性，碱性，富含矿物质的液体和更冷的海水之间形成。有毫米尺度的空心''botryoidal'（类似葡萄的）簇和硫化铁硫化铁的烟囱的化石证据（2）。管状化石的“藻类结构”，可能是生物源，在带状铁的沉积层中发现（3）。1）。生物源例子包括软体动物贝壳，部分形成，部分是由于通过地幔中的泵送机制维持的化学梯度（4）和某些细菌，以及某些细菌，该阴离子多糖鞘的鞘吸引并吸引金属阳离子，可以产生由生物体细胞体（5）产生的管状结构（5）。最近的工作还确定，从微生物中挤出的多糖链可以充当氧化铁氧化铁沉淀的模板（6），并且细菌细胞的细丝甚至可以用作合成矿化的模板（7）。石灰石洞穴中的Speleothem形成提供了另一种相关的检查。当水向下流动，并徘徊在吊坠下，溶解的二氧化碳量大，提高pH值，并在滴下碳酸钙沉淀。掉落的脱落留下了一块附着在生长管上的材料环；重复此过程会产生直接的“苏打水”或弯曲的‘helictites'（8）。在电气沉积中也证明了气泡上的降水膜形成（9）。最后，树状“硅酸盐花园”（10-12）生长在硅酸钠溶液中，含有金属离子盐，可能来自硅酸盐凝胶膜上的渗透胁迫，现在可以以非常控制的方式研究（13）。我们在这里描述了一个自组织的过程，该过程是根据气泡的模板作用而生长的（图在电化学细胞的阴极生产，这些气泡支持在气体溶液界面形成的沉淀膜。气泡的脱离留下了延伸试管的物质环，过程继续。从机械上讲，这是洞穴中苏打水的增长的相位版本。，气泡以一到几秒钟的间隔脱离，这些