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World File Search System极化
有机分子晶体相变引起大极化和创纪录的储能性能
其中 P m 和 P r 分别为最大和剩余极化。虽然传统电容器的电压在放电时线性下降，但表现出极化跳跃的强非线性电容器可以保持其电压。这一特性可以简化从电容器提供恒定电压所需的电子设备。此外，反铁电体可以比线性电介质和铁电体更有效地以高密度存储能量。含铅反铁电体的性能尤其高，12-14 例如 (Pb,La)(Zr,Ti)O 3 (PLZT) 化合物，它已在直流链路电容器中得到商业应用。此外，广泛的研究已使无铅替代品的电存储性能得到显着改善。15-18 通过将这些反铁电体改性为弛豫剂，还可以实现超高能量存储。19-22
异质结构中的扭曲角 - 依赖性山谷极化切换
Moiré超级晶格在Van der Waals的异质结构中的扭曲工程可以操纵山谷中层Incepitons（IXS）的山谷物理学，为下一代谷化设备铺平了道路。然而，到目前为止，在电气控制的异质结构中尚未研究对山谷极化上激素电位的扭曲角度依赖性控制，需要探索下面的物理机制。在这里，我们证明了莫伊尔时期的极化切换和山谷极化程度的依赖性。我们还找到了揭示激子电势和电子孔交换相互作用的扭曲角度调节的机制，这些机制阐明了实验观察到的IXS的扭曲角度依赖性山谷极化。此外，我们根据极化开关实现了可谷化的设备。我们的工作通过在电控制异质结构中调谐扭转角来证明了IXS山谷极化的操纵，这为在互惠设备中开放了电气控制山谷自由度的途径。
使用极化光栅的波导和光纤之间的垂直耦合
手稿于2023年12月12日收到；接受出版日期2024年1月10日；当前版本的日期2024年1月23日。Gilles Freddy Feutmba和Yu-tung Hsiao的工作得到了研究基金会的博士学位赠款基础研究 - 根据赠款1S68218和赠款1SHF924N的支持。（通讯作者：Jeroen Beeckman。）Xiangyu Xue, Brecht Berteloot, Yu-Tung Hsiao, Kristiaan Neyts, and Jeroen Beeckman are with the Liquid Crystals and Photonics Research Group, ELIS Department, Ghent University, 9052 Ghent, Belgium (e-mail: Xiangyu.Xue@UGent.be; Brecht.Berteloot@UGent.be; yutung.hsiao@ugent.be; kristiaan.neyts@ugent.be;Enes Lievens and Gilles Freddy Feutmba are with the Liquid Crystals and Photonics Research Group, ELIS Department, Ghent University, 9052 Ghent, Belgium, and also with the Photonics Research Group, Department of Information Technology, Ghent University-imec, 9052 Ghent, Belgium (e-mail: Enes.Lievens@UGent.be; GillesFreddy.Feutmba@UGent.be).lukas van Iseghem和Wim Bogaerts与比利时Ghent University-IMEC信息技术系的光子研究小组一起，比利时Ghent（电子邮件：lukas.vaniseghem@ugent.be; wim.bogaerts; wim.bogaerts@ugent.be）。本信中一个或多个数字的颜色版本可从https://doi.org/10.1109/lpt.2024.3352278获得。数字对象标识符10.1109/lpt.2024.3352278
氟2纳米晶体中的极化开关和相关的相变
非常规的铁电性型植物结构氧化物由于其出色的可伸缩性和硅兼容性而在纳米电子学上带来了巨大的机会。然而，由于可视化纳米晶体中的氧离子的挑战，它们的极化顺序和开关过程仍然难以捉摸。在这项工作中，极化开关和相关的极性 - 尖端相变中的氧转移在独立式ZRO 2薄膜中直接捕获在多个可稳态的相之间，而低剂量综合差异差异差相对比扫描传输电子（IDPC-STEM）。在抗fiferroeleelectric和铁电顺序与界面极化弛豫之间的双向转变在单位细胞尺度上进行了澄清。 同时，极化切换与单斜骨和正骨相之间的可逆Martensenitic转化以及两步的四面体到四面体到正常相变的ZR – O位移密切相关。 这些发现提供了对亚稳态多晶型物之间的过渡途径的原子见解，并揭示了（抗）铁电氟氧化物中极化顺序的演变。在抗fiferroeleelectric和铁电顺序与界面极化弛豫之间的双向转变在单位细胞尺度上进行了澄清。同时，极化切换与单斜骨和正骨相之间的可逆Martensenitic转化以及两步的四面体到四面体到正常相变的ZR – O位移密切相关。这些发现提供了对亚稳态多晶型物之间的过渡途径的原子见解，并揭示了（抗）铁电氟氧化物中极化顺序的演变。
RX J1604中的过渡磁盘的定量极化法。 ...
上下文。原月球磁盘中尘埃的表征对于更好地理解形成行星的组成和这些系统中的尘埃颗粒演化很重要。目标。我们的目的是通过分析VLT/Sphere的Zimpl和Irdis子仪器，通过分析Zimpl和Irdis子仪器获得的多波长度散射光强度和极化图像，以准确表征面对面过渡磁盘中灰尘的性质。方法。我们从ESO档案中使用了RX J1604的档案数据，并仔细纠正了仪器效应的极化信号，还考虑了星际极化。我们测量了r，j和h频段中的方位角极化qφ（r）的磁盘的径向曲线，并由于视力和其他效果而描述了我们数据中数据中的变化。，我们通过将数据与观测值的点扩散函数进行比较，从而得出了磁盘，质量Qφ（r）的固有极性分析。我们还测量了磁盘强度，i磁盘（R），并为J和H带的参考星差成像。这为r，j和h频段提供了磁盘集成的极化强度ˆqφ / i⋆，以及对于j和h频段的平均分数极化，平均分数极化。我们研究了散射光和恒星附近的热尘产生的阴影的方位角依赖性。最终将衍生的结果与模型计算进行了比较，以限制RX J1604中反射粉尘的散射特性。结果。92±0。RX J1604是北斗源，数据显示出不同种类的可变性。然而，对重复调查的详细分析表明，结果不受浸入事件或大气看差异的影响。我们得出了固有极化强度ˆqφ（r） / i⋆的精确径向磁盘轮廓，并由于灰尘不透明度的波长依赖性而测量不同频段的不同轮廓半径。磁盘集成的极化为ˆqφ / i = 0。04％的R频段和1。 51±0。 j频段为11％，表明磁盘的极化反射率的红色。 磁盘的强度是i磁盘 / i = 3。 9±0。 在J频段中为5％，而J带的分数极化为⟨ˆpφ⟩= 38±4％，H频段为42±2％。 与Rx J1604的IR多余的比较产生了大约λI≈0的明显磁盘反照率。 16±0。 08。 我们还发现，在R频段数据中看到的先前描述的阴影可能受到校准误差的影响。 我们使用用于过渡磁盘的尘埃散射模型得出，近似于散射反照率ω≈0的J带值。 5，散射不对称g≈0。 5，并散射极化P最大≈0。 7粉尘。 结论。 RX J1604的明亮磁盘具有非常简单的轴对称结构，因此非常适合作为基准对象，用于精确的光极化测量。 我们得出了磁盘极化的值，⟨ˆpφ⟩和明显的磁盘反照率λi，用于J频段。04％的R频段和1。51±0。j频段为11％，表明磁盘的极化反射率的红色。磁盘的强度是i磁盘 / i = 3。9±0。在J频段中为5％，而J带的分数极化为⟨ˆpφ⟩= 38±4％，H频段为42±2％。与Rx J1604的IR多余的比较产生了大约λI≈0的明显磁盘反照率。16±0。08。我们还发现，在R频段数据中看到的先前描述的阴影可能受到校准误差的影响。我们使用用于过渡磁盘的尘埃散射模型得出，近似于散射反照率ω≈0的J带值。5，散射不对称g≈0。5，并散射极化P最大≈0。7粉尘。结论。RX J1604的明亮磁盘具有非常简单的轴对称结构，因此非常适合作为基准对象，用于精确的光极化测量。我们得出了磁盘极化的值，⟨ˆpφ⟩和明显的磁盘反照率λi，用于J频段。因为⟨ˆpφ⟩和λI主要取决于灰尘散射参数，而仅弱于磁盘几何形状，因此这些参数定义了ω和p max之间以及ω和g之间的灰尘散射参数的紧密关系。偏光反射率的正r到J带颜色（量qφ / i⋆）j≈1。64·（ˆqφ / i⋆）r，主要是由于尘埃参数的波长依赖性的结果，因为预计散射几何形状对于不同颜色的散射几何形状非常相似。这项工作证明了对于确定灰尘散射参数的准确光偏光测量的潜力，该测量强烈限制了灰尘的物理特性。
纤锌矿铁电体中的原子级极化切换
极化和铁电转变温度之间的关系 ( 5 ) – 即它们可能不是软模式铁电体；(ii) 实现铁电性的新物理机制几乎肯定会带来不同的物理缩放趋势表现和不同的温度、压力和时间特性依赖性；(iii) 这些材料可以在室温或接近室温下加工，具有稳健的特性响应，在某些情况下（例如、Al 1-x B x N）为 40
利用动态极化水-半导体界面产生直流电
摘要：解读水分子的性质和利用水发电一直是科学和社会的重要课题。最近，人们对将水滴的动能转化为电能的兴趣日益浓厚，尤其是直流 (DC) 电，它可以直接为电子传感器和芯片供电。然而，现有的发电技术依赖于水的移动方向，这会阻止应有的直流电的输出，但却会产生不必要的交流电。在这里，我们报告了通过在夹层石墨烯 - 水 - 半导体结构内以任意方向移动水滴，从动态极化水 - 半导体界面产生直流电。与方向无关的直流电产生基于一种非平凡机制，其中水分子经历极化和去极化过程，导致在水滴运动过程中在水 - 半导体界面输出电能。开路电压可通过包含水滴的两个板之间的费米能级差异进行调节，其中石墨烯-水-硅和铝-水-硅分别显示 ∼ 0.3 和 ∼ 1.0 V 的直流电压。我们的研究结果揭示了水-半导体界面的现象，并为潜在的可持续封装自供电设备提供了一种利用水产生直流电的新途径。
金属卤化物钙壶中的应变化学梯度和极化1
分析了两个基于Algan的深紫外线（DUV）发光二极管（LED）的电流 - 电压（IV）特性，这些发光二极管（LED）分析了开放核螺纹位错的密度不同（Nanopipes）。模拟了一个三二极管电路，以模拟DUV LED的IV特性，但只能准确地对较低的泄漏电流（较低的Nanopipe密度DUV-LED）建模。发现，尽管纳米管以前被确定为固有的N型，但这些结构中的纳米管的电流泄漏仍在纠正。使用缺陷敏感的蚀刻，揭示了纳米管在DUV-LED的P型GAN上限层中终止。修改了电路模型，以说明N型纳米管和P型GAN之间的另一个P-N连接，并实现了漏水DUV LED的IV特征的极好拟合。
肿瘤相关巨噬细胞向 CXCL9 抗肿瘤表型的药理极化
肿瘤相关巨噬细胞 (TAM) 是一类多样化的髓系细胞，在人类癌症中通常数量丰富且具有免疫抑制作用。最近有报道称 CXCL9 Hi TAM 具有抗肿瘤表型，并与免疫检查点反应有关。尽管人们对独特的抗肿瘤 TAM 表型有了新的认识，但仍缺乏针对 TAM 的特异性疗法来利用这一新的生物学认识。本文报道了多种趋化因子配体 9 (CXCL9) 小分子增强剂的发现和表征，以及它们在 TAM 亲和性系统性纳米制剂中的靶向递送。利用这种策略，可以有效地封装和释放多种药物负载，这些药物负载可以在小鼠肿瘤模型的体外和体内有效诱导巨噬细胞中 CXCL9 的表达。这些观察结果为了解定义 TAM 特定状态的分子特征提供了一个窗口，这是一种用于发现新颖的抗癌治疗方法的见解。