[1] 张志华, 庄国忠, 郭可欣, 袁建华, Superlatt.微结构。 2016,100,440。[2] a)FK Boz,B. Nisanci,S. Aktas,SE Okan,Appl。冲浪。科学。 2016年,387,76; b) S. Yilmaz,M. Kyrak,国际。 J. Mod.物理。 B 2018 , 32 , 1850154. [3] RLM Melono, CF Lukong, O. Motapan, J. Phys. B:At.,Mol.选择。物理。 2018,51,205005。[4] G. Safarpour、MA Izadi、M. Nowzari、E. Nikname、MM Golshan、Commun。理论。物理。 2014 ,61,765。[5] Y. Yakar,B. Çakır,A. Özmen,Int. J. Mod.物理。 J 2007 , 18 , 61 [6] H. Kes, A. Bilekkaya, S. Aktas, S. Okan, Superlatt.微结构。 2017 ,111,966. [7] a)O. Akankan、I. Erdogan、H. Akbas ̧、Phys. E 2006,35,217; b) XC Li、CB Ye、J. Gao、B. Wang、Chin。物理。 B 2020 , 29 , 087302. [8] a)XC Li, CB Ye, J. Gao, B. Wang, Chin.物理。 B 2020,29,087302; b) JD Castano-Yepes、A. Amor-Quiroz、CF Ramirez-Gutierrez、EA Gomez、Phys。 E 2020,109,59。[9] a)H. El, AJ Ghazi, I. Zorkani, E. Feddi, A. El Mouchtachi, Phys. B2018,537,207; (b)E. Niculescu、C. Stan、M. Cristea 和 C. Trusca,Chem.物理2017 ,493 ,32。[10] a)B. Cakir、Y.Yakar、A.Ozmen,Chem.物理。莱特。 2017年,684,250; b) Y. Yakar、B. Çakir、A. Özmen,Chem.物理2018,513,213。
我们通过在哈密顿量中加入极化项来研究超出偶极近似的封闭 n 级量子系统的控制景观。后者在控制场中是二次的。对奇异控制进行了理论分析,奇异控制是产生景观陷阱的候选对象。将考虑奇异控制存在的结果与偶极近似(即没有极化)中的结果进行了比较。在加入极化项后,对控制景观中陷阱的存在进行了数值分析,以产生超出偶极近似的幺正变换。通过创建许多随机哈密顿量(在单个控制场中包含线性和二次项),对这些控制景观进行了广泛的探索。发现的奇异控制都不是局部最优的。这一结果扩展了最近关于进行偶极近似的量子系统典型景观的大量研究。我们进一步研究了极化率的大小与优化产生的控制通量之间的关系。结果还表明,在原本不可控的偶极耦合系统中加入极化率项可以通过恢复可控性从相应的控制景观中移除陷阱。我们用数字方式评估了极化率项对特定三级 3 系统已知示例的影响,该系统的控制景观中有一个二阶陷阱。结果发现,极化率的增加会从景观中移除陷阱。讨论了这些模拟的一般实际控制含义。
单元III 6 a)得出磁性材料的L3 C03 SM敏感性(X)和相对渗透率(µR)之间的关系。b)将不同类型的磁L4 cos SM材料与合适的示例分类,并提及它们的特性。或7 A)AR L4 COS SM原子的电子极化率为1.7 x 10-4°F.M 2。如果介电包含1.67 x 10 2 7原子 / nr',则AR气体在300 K处的静态介电常数是什么。b)解释磁性材料中域和L3 C03 SM域壁的形成。
两个可极化碎片之间的 Lennard-Jones 相互作用的比例因子 𝑞- 可极化碎片的净电荷 𝛼- 可极化碎片的分子极化率 𝜇̅ 可极化碎片的偶极矩 𝑟 # 0 两个可极化碎片的质量中心之间的平衡距离 𝑇(𝑟) Thole 阻尼函数 𝑎 Thole 阻尼参数 𝑓 ++ (𝑟) Tang-Toennies (TT) 阻尼函数 𝑏 ++ 和 𝑐 ++ Tang-Toennies 阻尼参数 𝑡 时间 𝑑𝑡 时间步长 𝐷 扩散系数 𝑉 模拟盒的体积 𝑃 ,- 𝛼𝛽 平面中的应力 𝑔(𝑟) 径向对分布函数 𝑟 .,0
其中,c为光速,f为频率,k和k′为常数。显然,v取决于Dk,而α与Df密切相关。因此,为了提高信号的传输速度和质量,必须降低Dk和Df。通常,介电材料在5GHz以上的高频下,Dk应低于2.5,Df应低于0.001,而很少有低k材料表现出如此低的Dk和Df。原则上,有机材料的Dk可以通过两种主要方法有效降低。7第一种方法是通过在分子的主链或侧链中引入低极化基团,例如C-F、Si-C和C-C基团,来降低分子的极化率。第二种方法是通过在聚合物上附加大分子基团和使用造孔技术来降低偶极密度。8
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底,进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用,因为基底可能有其他影响,如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置,以及极化率,这些可以决定界面处的电导率和势垒,从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中,自旋从铁磁基底注入,人们研究了自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常,研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]
模块 II(10 小时) 介电特性:简介、介电常数、介电极化(极化率)、介电体中的不同类型极化(电子、离子、取向和空间电荷极化、内部场(无推导)、克劳修斯-莫索蒂方程、介电损耗、击穿和强度、介电材料的应用 磁性:简介、基本定义、玻尔磁子、磁性材料的分类- 铁磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性,磁滞曲线- 软磁和硬磁材料,磁性材料的应用 超导性:一般特性、迈森效应、同位素效应、超导体中的能隙、相干长度、临界磁场、磁通量化穿透深度、直流和交流约瑟夫森效应 I 型和 II 型超导体、BCS 理论、伦敦方程、超导体的应用
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底,进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用,因为基底可能有其他影响,如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置,以及极化率,这些可以决定界面处的电导率和势垒,从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中,自旋从铁磁基底注入,人们进行了研究,探测自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常,研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]