• 需要有效的秘密安全许可 • 学士学位或同等军事职业专长(MOS)代替学位 • 4年以上相关WIN-T系统实践经验 • 频谱管理、卫星通信、射频通信、地面通信系统以及高频、超高频和高级极高频通信系统。多样化的技能包括:故障隔离和解决、编写、培训和整合与多个通信系统及其子组件相关的标准操作程序 • 熟练使用测试测量和诊断设备(TMDE),例如万用表、Firebirds和频谱分析仪。能够监控维护概念的变化以确定关键的可维护性要求 • 具有 AN/TSC-208 卫星便携式终端 (STT)、AN/TSC-202 HP STT、AN/TRC-219 战术中继塔 (TR-T)、高频网络无线电 (HNR) 视距 (LOS) 网络、Brocade 交换机、瞻博网络路由器、Daytron 和 M20“移动”天线系统、AN/TSC-156D (Phoenix)、AN/TSC-167/185 (STT)、AN/TSC-93D 战术卫星方舟、OL-87 指挥所节点、AN-PYQ 10 简单密钥加载器、AN/TRC-170 对流层散射微波无线电终端和 AN/TTC-59 联合网络节点的实际现场和讲师/课堂经验 • 具有 WIN-T 系统经验, AN/TSC-169 单元枢纽卫星卡车 (UHST) 和 STT Lot 10 Ku 和 Ka 波段设备以及时分多址 (TDMA) 和频分多址 (FDMA) 网络。配置、操作和维护主参考终端 (MRT) 系统。• 必须持有美国护照 • 有机会在佐治亚州戈登堡、北卡罗来纳州布拉格堡、肯塔基州坎贝尔堡和德克萨斯州胡德堡工作 • 至少需要 25% 的 CONUS 和 OCONUS 差旅
在保证速度性能和低功耗要求的超短通道 CMOS 节点中,TDDB 仍然是一个关键的可靠性问题。在交流射频信号操作期间,“关断状态”与“导通状态”模式依次发生,从低频(kHz)到极高频范围(GHz)[1-2]。即使“关断状态”应力通常以比“导通状态”应力更小的速率降低器件性能,但它可能成为器件在射频域和毫米波应用中运行的限制因素,在毫米波应用中,电源电压 V DD 通常是逻辑应用中使用的电源电压的两倍。不仅器件参数漂移可能变得显著,而且还可能触发栅极-漏极区域的硬击穿(BD)。因此,准确评估关断状态 TDDB 的可靠性并深入了解器件级的磨损机制至关重要,因为可以在 28nm FDSOI CMOS 节点的漏极(图 1a、c)和栅极(图 1b、d)电流上观察到击穿事件。由于空穴和电子的碰撞电离 (II) 阈值能量和能垒高度不同,因此导通或关断状态下热载流子 (HC) 的产生及其 V GS / V DS 依赖性在 N 沟道和 P 沟道中明显不同[3] 。通过低栅极电压下的 HC 敏感性对 P 沟道和 N 沟道进行了比较[4],重点关注注入载流子效率,一方面主要考虑导通状态下的热载流子退化 (HCD) 下的 P 沟道侧,另一方面考虑关断状态下的 N 沟道侧,因为热空穴注入引起的损伤和 BD 敏感性更大。这意味着高能 HC 可能在关断模式下在栅极-漏极区域触发 BD 事件[5-6],与热空穴效率有关[7] 。