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功能梯度材料 (FGM) 中间层在激光熔化沉积 (LMD) 和电弧增材制造 (WAAM) 法制造英科乃尔-不锈钢双金属结构中的作用
摘要：通过直接沉积制备的双金属结构由于异种金属的组织和性能突然变化而存在缺陷。激光金属沉积（LMD）-电弧增材制造（WAAM）工艺可以通过沉积功能梯度材料（FGM）层（例如使用LMD的薄中间层）来缓解两种不同材料之间的缺陷，并可用于使用WAAM以较高的沉积速率和相对较低的成本制备双金属结构。本研究进行了LMD-WAAM工艺，并研究了制备的IN625-SUS304L双金属结构的微观组织。LMD-WAAM样品的FGM区的微观组织主要为细小的等轴枝晶形貌。相反，WAAM区构成了粗大的柱状枝晶形貌。LMD-WAAM样品的主要合金元素的成分随着沉积层高度而逐渐变化。 LMD-WAAM 样品的显微硬度随 Inconel 含量的增加而增加。对于 LMD-WAAM 样品，断裂发生在 25% IN625 和 0% IN625 之间的界面附近；对于 WAAM 样品，最终断裂发生在界面附近的 SUS304L 中。LMD-WAAM 样品的拉伸强度与激光功率成反比。结果表明，LMD-WAAM 样品的拉伸强度比仅使用 WAAM 制造的样品高 8%。
甘油增塑琼脂糖隔膜抑制锂金属电池中树枝状晶体的生长
目前，人们对锂金属电池重新产生兴趣，是因为它具有极高的能量密度，可以满足移动设备对长期自主性的巨大需求（Xiang 等，2019）。锂金属具有 3860 mA hg − 1 的高理论比容量和 -3.04 V（vs. SHE）的最低氧化还原电位，这促使它被用作阳极，取代目前商业化的石墨（理论比容量：374 mA hg − 1）。因此，对锂金属电池、Li-O 2 、Li-S/Se 的研究和开发正在兴起（Abouimrane 等，2012；Bruce、Freunberger、Hardwick 和 Tarascon，2012；Yang、Yin 和 Guo，2015；Yin、Xin、Guo 和 Wan，2013）。垂直锂枝晶的生长会刺穿隔膜，导致短路甚至起火，这是此类电池商业化应用的主要瓶颈（Lu et al., 2015 ; Tarascon & Armand, 2001 ; Wu et al., 2018 ）。此外，枝晶的形成会产生“死锂”和特定的固体电解质界面相 (SEI)（Cheng, Yan, Zhang, Liu, & Zhang, 2018 ），这意味着库仑效率下降并影响循环效率。各种各样的策略（Xu et al., 2014 ）与使用兼容
2024 年中华民国液态晶体学会年会暨研讨会《议程》113 ...
邀请演讲i主持人：郑恪亭郑恪亭14：00–14：30 Go Watanabe教授（渡边渡边） / Kitasato University讲题IP-01 IP-01通过计算 - 科学14：30-14：30-14：50-14：50- / ip-02 ip-ip-02 and topolicy dopodical dopodical defaction：10：10：14： IP-03使用有机橡胶分子15：10-15：30 Pravinraj Selvaraj /中央大学光电系中央大学光电系中央大学光电系IP-04革命性极化控制：在扭曲的nematic nematic Liquid Crystals < / div>中革命光学活性，IP-03 IP-03无接触均匀的液晶对齐
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
晶澳太阳能科技有限公司
七、境内外会计准则下会计数据差异 1、按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、季度财务指标
基于多功能传感器的光晶纤维 - ...
后期：Bilal M.，Lopez-Aguayo S.，Szczerska M.，Madni H.，使用等离子体材料和磁性流体基于光子晶体纤维的多功能传感器，OSA Continuum vol。61，ISS。 35（2022），pp。 10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。 只能为个人使用而制作一张或电子副本。 系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。61，ISS。35（2022），pp。10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。只能为个人使用而制作一张或电子副本。系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。