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World File Search System柱栅
缩放栅环硅纳米线晶体管阵列中的电子传输机制
全栅环栅 (GAA) 是一种最佳器件配置，它能静电控制沟道长度最窄的晶体管 2，并最大限度地减少器件关断时的漏电流，从而使器件在每次切换时耗散更少。GAA 几何形状有多种可能，并且已经在水平 3 或垂直配置中得到验证。4 – 7 尽管技术解决方案有望最终将晶体管的栅极长度 L g 缩小到几纳米 5，但从一维（长栅极或大宽度）到全尺寸缩放的晶体管的转变对器件操作的影响仍有许多悬而未决的问题。其中，应明确解决所制造器件的质量和可能导致晶体管操作不良或电性能分散的波动源，以提出最终集成的解决方案。但是，经典的表征技术（如迁移率提取）不足以提供有关最终缩放时器件质量的信息，因为迁移率可能会在如此小的栅极长度下崩溃。 8 – 11 低频噪声可以成为一种非常精确的技术，用于表征低噪声纳米器件中的电子传输。12 , 13
IEEE 光伏专家会议 (PVSC) 的太阳能和存储技术经济分析教程
晶体硅 • 多晶硅生产 • 硅锭和硅片：直拉法 (Cz)、定向凝固 (DS)、无切口技术，可生产 Cz 和 DS 等效物 • 电池转换：通过丝网印刷、电镀和无主栅技术生产单面和双面 PERC、PERT、HJT 和 IBC • 模块组装：标准接线和串接、无主栅和叠瓦
量子阱微柱腔中的少光子全光相位旋转
光子平台是量子技术的绝佳环境，因为弱的光子与环境耦合可以确保较长的相干时间。量子光子学的第二个关键因素是光子之间的相互作用，这可以通过交叉相位调制 (XPM) 形式的光学非线性提供。这种方法支撑了量子光学 1 – 7 和信息处理 8 中的许多拟议应用，但要发挥其潜力，需要强的单光子级非线性相移以及可扩展的非线性元件。在这项工作中，我们表明所需的非线性可以由嵌入量子阱的微柱中的激子极化子提供。它们将激子的强相互作用 9、10 与微米级发射器的可扩展性结合起来。11。使用衰减到单光子平均强度以下的激光束，我们观察到每个极化子的 XPM 高达 3±1 mrad。以我们的工作为第一步，我们为极化子晶格中的量子信息处理铺平了道路。XPM 的量子应用包括远距传物 1 、光子数检测 2 、计量学 4 、密码学 5 和量子信息处理 (QIP)，其中它被提议作为电路 6 和测量 7 的途径
具有超细垂直排列 Au 纳米柱的自组装 HfO2-Au 纳米复合材料
完整作者名单： 张一志；普渡大学，材料工程硕士 张迪；普渡大学，材料工程硕士；洛斯阿拉莫斯国家实验室，集成纳米技术中心 刘俊程；普渡大学 陆平；桑迪亚国家实验室， Deitz，Julia；桑迪亚国家实验室 沈嘉楠；普渡大学系统，材料工程硕士 何子豪；普渡大学 张星航；普渡大学系统，材料工程硕士 王海燕；普渡大学系统，材料工程硕士；尼尔·阿姆斯特朗工程大楼
在量子 - 孔微柱腔中的几个光子全光相旋转
光子平台是量子技术的绝佳环境，因为弱光子环境耦合可确保长时间的连贯时间。Quantu-Photonics的第二个关键成分是光子之间的相互作用，可以通过光学非线性以跨相调节（XPM）形式提供。这种方法为量子光学1 - 12中的许多提议的应用和信息处理13，14提供了基础，但是实现其潜力需要强大的单光子级非线性相移以及可扩展的非线性元件。在这项工作中，我们表明，具有嵌入式量子孔的微柱中的激子 - 孔子可以提供所需的非线性。这些结合了激子15、16的强相互作用与微米大小的发射器的可伸缩性。17 - 19。，我们使用衰减至单个光子平均强度的激光梁观察到每个粒子的XPM高达3±1 mrad。我们的工作是第一个垫脚石，我们放下了一条途径，以在极化晶格中进行量子信息处理。XPM的量子应用包括传送1，光子数检测2，计量学6、7，密码8和量子信息处理（QIP）（QIP），在其中提议将其作为通往电路9的途径-10
光栅栅控 AlGaN/GaN 二维电子气中的原位可调巨电各向异性
Ting-Ting Wang 1,2 , Sining Dong 1,2,* , Chong Li 1,2 , Wen-Cheng Yue 1,2 , Yang-Yang Lyu 1,2 , Chen-Guang Wang 1,2 , Chang-Kun Zeng 1 , Zixiong Yuan 1,2 , Wei Zhu 3 , Zhi-Li Xiao 4, 5 , Xiaoli Lu 6 , Bin Liu 1 , Hai Lu 1 , Hua-Bing Wang 1,2,7 , Peiheng Wu 1,2,7 , Wai-Kwong Kwok 4 and Yong-Lei Wang 1,2,7,*
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1001.4 气压（降低） 1011.1 浸没 1015.1 稳态初级光电流辐照程序（电子束） 1016 绝缘电阻 1017.1 中子辐照 1018.6 内部气体分析（IGA） 1019.6 稳态总剂量辐照程序 1020.5 静电放电敏感度（ESD）分类 1021.4 防潮性 1022.7 耐溶剂性 1026.5 稳态工作寿命 1027.3 稳态工作寿命（样品计划） 1031.5 高温寿命（非工作） 1032.2 高温（非工作）寿命（样品计划） 1033 反向电压泄漏稳定性 1036.3 间歇工作寿命 1037.3 间歇使用寿命（样本计划） 1038.5 老化（二极管、整流器和齐纳二极管） 1039.4 老化（晶体管） 1040 老化（晶闸管（可控整流器）） 1041.4 盐雾环境（腐蚀） 1042.4 功率 MOSFET 或绝缘栅双极晶体管（IGBT）的老化和寿命测试 1046.3 盐雾（腐蚀） 1048.1 阻塞寿命 1049 阻塞寿命（样本计划） 1051.9 温度循环（空气对空气） 1054.1 封装环境压力测试 1055.1 监控任务温度循环 1056.8 热冲击（液体对液体） 1057.1 抗玻璃破裂 1061.1 温度测量，外壳和螺柱 1066.1 露点 1071.16气密密封 1080.1 单粒子烧毁和单粒子栅极破裂 1081.1 介电耐压