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增益提升折叠共源共栅运算放大器，带电容耦合辅助放大器 M. Rashtian* a、M. Vafapour b
介绍了一种使用简单单级辅助放大器的新型增益提升折叠共源共栅运算放大器。所提出的辅助放大器的设计方式是，无需使用共模反馈网络，即可获得适当的输入和输出直流共模电压。辅助放大器的输入端由耦合电容器和浮栅 MOS 晶体管隔离。因此，直流输入电压电平限制已被消除。辅助放大器的输出端也使用了二极管连接的晶体管，使输出电压电平保持在所需的水平。与更复杂的放大器相比，简单的单级辅助放大器对主放大器施加的极点和零点更少，而且功耗也更低。0.18μm CMOS 技术的仿真结果显示直流增益增强了约 20 dB，而输出摆幅、斜率、稳定时间、相位裕度和增益带宽几乎与之前的折叠共源共栅设计相同。
血有灌注柱有选择地吸附膝盖+淋巴细胞，以提高抗肿瘤免疫力和肿瘤大鼠的存活率
人工智能（AI）系统的安全是人类决策之一，既是一个技术问题。在AI驱动的决策支持系统中，尤其是在医疗保健等高风险环境中，确保人类互动的安全至关重要，鉴于遵循错误的AI建议的潜在风险。为了探索这个问题，我们在物理模拟套件中进行了以安全为中心的临床医生-AI相互作用研究。医生被放置在模拟的重症监护病房中，并带有人类护士（由经验培训者扮演），ICU数据图，高保真患者的人体模特和AI建议系统。临床医生被要求为模拟患者开出两种药物，患有败血症并戴着眼镜的眼镜，以使我们能够评估他们的凝视在哪里。我们在看到AI治疗建议之前和之后记录了临床医生治疗计划，这可能是“安全”或“不安全”。92％的临床医生拒绝了不安全的AI建议，而安全的AI建议占29％。医生增加了注意力（+37％的注视固定），以不安全AI建议与安全的建议。但是，在不安全的情况下，对AI说明国家的视觉关注并不高。同样，在不安全的AI与安全AI后，临床信息（患者监测器，患者图表）没有得到更多关注，这表明医生没有回顾这些信息来源来调查为什么AI建议可能不安全。医师只能成功说服通过床头护士的脚本评论来改变剂量。我们的研究强调了人类监督在安全至关重要的AI中的重要性，以及在高保真环境中评估人类系统的价值，更像现实世界实践。
地下
按照欧洲药典 9.4 版官方方法，使用 HALO 90 Å C18, 2.7 µm, 2.1 x 100 mm 色谱柱（部件号：92812-602）分离对乙酰氨基酚及其 14 种杂质。如方法中所示，还使用了 HALO 90 Å C18 保护柱（部件号：92812-102），它可以为 HALO ® HPLC 色谱柱提供最佳保护，同时又不影响色谱柱的效率。在运行这些测试时使用合适的保护柱非常重要，因为不同制造商的 C18 键合相会产生不同的结果。强烈建议使用与分析柱来自同一制造商的保护柱，以避免选择性不匹配。图 3 显示了有和没有保护柱的结果对比。上面的色谱图显示没有保护柱的结果，而下面的色谱图显示有保护柱的结果。使用保护柱后，保留时间略有增加。保留时间的增加也使关键杂质 L 和 J 之间的分离度从 1.61 提高到 2.87。
对乙酰氨基酚及其相关物质的分离
按照欧洲药典 9.4 版官方方法，使用 HALO 90 Å C18, 2.7 µm, 2.1 x 100 mm 色谱柱（部件号：92812-602）分离对乙酰氨基酚及其 14 种杂质。如方法中所示，还使用了 HALO 90 Å C18 保护柱（部件号：92812-102），它可以为 HALO ® HPLC 色谱柱提供最佳保护，同时又不影响色谱柱的效率。在运行这些测试时使用合适的保护柱非常重要，因为不同制造商的 C18 键合相会产生不同的结果。强烈建议使用与分析柱来自同一制造商的保护柱，以避免选择性不匹配。图 3 显示了有和没有保护柱的结果对比。上面的色谱图显示没有保护柱的结果，而下面的色谱图显示有保护柱的结果。使用保护柱后，保留时间略有增加。保留时间的增加也使关键杂质 L 和 J 之间的分离度从 1.61 提高到 2.87。
EMEA NexSys TPPL 产品指南 英文 0824
薄板纯铅 (TPPL) 技术 NexSys ® TPPL 技术与传统铅酸电池相比具有显著优势。铅钙合金板栅在正常运行期间容易腐蚀，导致电流损失和电池寿命缩短。相比之下，纯铅制成的 TPPL 板栅更薄，表面积更大，从而产生更大的功率输出。纯铅晶粒结构可最大限度地降低电阻，并显著降低腐蚀的可能性，从而提高电池的性能和使用寿命。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
Narada REX 800 - 可再生能源储能电池
231 231 正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，可提高操作安全性和使用寿命。
Narada-REX-400.pdf - 可再生能源储能电池
正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。 有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，以提高操作安全性和使用寿命。