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超低功率 K 波段 22.2 GHz 至 26.9 GHz 电流...
摘要：本文提出了一种具有宽调谐范围的超低功耗 K 波段 LC-VCO（压控振荡器）。基于电流复用拓扑，利用动态背栅偏置技术来降低功耗并增加调谐范围。利用该技术，允许使用小尺寸的交叉耦合对，从而降低寄生电容和功耗。所提出的 VCO 采用 SMIC 55 nm 1P7M CMOS 工艺实现，频率调谐范围为 22.2 GHz 至 26.9 GHz，为 19.1%，在 1.2 V 电源下功耗仅为 1.9 mW–2.1 mW，占用核心面积为 0.043 mm 2 。在整个调谐范围内，相位噪声范围从 -107.1 dBC/HZ 到 -101.9 dBc/Hz (1 MHz 偏移)，而总谐波失真 (THD) 和输出功率分别达到 -40.6 dB 和 -2.9 dBm。
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
NiO/β-TiO2不稳定性实验研究...
摘要：制备了NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管（HJ-FET），并通过实验研究了在不同栅极应力电压（VG,s）和应力时间（ts）下器件的不稳定性机制。发现了器件在负偏压应力（NBS）下的两种不同退化机制。在较低的VG,s和较短的ts下，NiO体陷阱捕获/脱捕获电子分别导致漏电流的减少/恢复。在较高的VG,s或较长的ts下，器件的传输特性曲线和阈值电压（VTH）几乎永久地负移。这是因为界面偶极子几乎永久地电离并中和了异质结界面上的空间电荷区（SCR）中的电离电荷，导致SCR变窄。这为研究NiO/β-Ga2O3异质结器件在电力电子应用中的可靠性提供了重要的理论指导。
分裂栅极 n 沟道 STI-LDMOS 晶体管中热载流子应力退化的 TCAD 模拟
本文报道了对具有 STI 结构的硅基分裂栅 n 沟道 LDMOS 晶体管中热载流子引起的退化机制的联合实验和模拟分析。在这种情况下，电子可以获得足够的动能来在硅/氧化物界面处产生带电陷阱，从而引起器件退化并导致器件电参数发生变化。特别地，已经通过实验在室温下表征了线性状态下的导通电阻退化。通过使用旨在重现退化动力学的物理模型，在 TCAD 模拟框架内重现了热载流子退化。研究了不同应力条件下的电子分布函数及其对分裂栅偏压的依赖性，从而定量了解了热电子在被测器件热载流子退化机制中所起的作用。
克拉克曼南郡议会 - 向规划委员会报告
3.3. 物理开发包括形成 B9140 的新通道和带有停车场和转向头的道路。开发元素主要包括 5 个变压器、10 个逆变器、10 个装在集装箱中的电池组、一个储存容器和便携式控制和变电站建筑。这些都是低层建筑/结构（最大高度 3.5 米），将聚集在场地中央的一块硬地上，通常以西南到东北的排列方式布置。开发的建筑元素约占场地面积的三分之一，建筑物和结构的北部和南部部分基本保持不变。场地将被大约 2.5 米高的栅栏式金属安全围栏包围，场地内最靠近 Fishcross 的建筑物周围有一小片 4 米高的隔音围栏。
μ10 的替代推进剂研究（氪与氙）...
图 3 收集了两个测试离子源的测量电流 𝐼 sc 和 𝐼 ac 与质量流速 𝑚̇ s 的关系。在隼鸟 2 号源中，屏栅电流对两种推进剂都显示出一个最大值。氪的最大电流 (216 mA) 大于氙气 (171 mA)，但达到的最大电流略高，分别为 0.24 (3.8) vs. 0.22 mg/s (2.2 sccm)。超过上述峰值后，𝐼 sc 从“高电流模式”(HCM) 降至低效的“低电流模式”(LCM)，如 15–17 中所述，同时反射的微波功率增加。对于氙气，这种转变似乎更为突然。另一方面，氙气和氪气的𝐼ac最小值分别为0.18（1.8）-0.19毫克/秒（1.9 sccm）和0.16（2.5）-0.20毫克/秒（3.3 sccm）。
带风力发电的孤立系统实施指南
分散式可再生电气化 法国电力 能源管理系统 世界银行能源行业管理援助计划 能源技术数据交换 欧洲风电 柴油机软件包 全球环境基金 图形用户界面 隔离栅双极晶体管 国际能源署 国际电工委员会 综合混合可再生能源 综合可再生能源系统 内部收益率 平准化年成本 低热值 平准化生产成本 负荷损失预期 负荷损失分数 负荷损失概率 长期边际成本 净现值 公开可用规范原型 碳基金 光伏运行和维护 Quattro Pro for Windows 购电协议 偏远地区供电系统 可再生能源股本回报率 太阳能家庭系统 服务质量指数 短期边际成本 联合国开发计划署 能源价值 世界银行 风能-柴油机 风能转换系统 世界气象组织 风力发电机
共栅极 LNA 中的新型噪声消除拓扑
本文提出了一种设计噪声消除共栅 (CG) 低噪声放大器 (LNA) 的新方法。该方法研究使用电感退化共源 (IDCS) 级与 CG 级并联，而不是共源 (CS) 级。考虑到 IDCS LNA 的特殊规格，所提出的拓扑可以实现更低的噪声系数 (NF) 和更好的输入阻抗匹配。对该拓扑进行了分析计算，并给出了满足输入阻抗匹配和噪声消除条件的方程。还通过计算每个噪声源的传递函数来计算所提出的 LNA 的 NF，同时满足这些条件。为了验证理论分析，设计并优化了两个不同的 X 波段 LNA。使用先进设计系统 (ADS) 电磁动量和 GaAS pHEMT 0.1 µ m 工艺模型进行模拟。结果表明，所提出的方法可以实现更好的输入阻抗匹配和更低的 NF，而输出阻抗匹配和增益具有相对相同的行为。
白皮书
Ideal Power 已开发并获得了一项创新的专有半导体电源开关专利，该开关名为双向双极结型晶体管 (B-TRAN™)。与传统电源开关（如绝缘栅双极晶体管 (IGBT)）相比，B-TRAN™ 的效率显著提高，可将功率损耗降低 50% 或更多（具体取决于应用）。B-TRAN™ 的效率更高，产生的热量更少，因此热管理要求显著降低。这反过来又会显著减小散热所需的表面积，从而可能缩小 OEM 产品的尺寸。此外，B-TRAN™ 提供业界唯一的对称双向操作，与使用 IGBT 和二极管的传统双向开关相比，组件数量减少了 75%。这种高效而独特的对称操作在双向应用中提供了强大的竞争优势，由于交通运输电气化以及向可再生能源和储能相结合的转变，双向应用正在快速增长。