XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System栅极
![arXiv:2001.07671v1 [cond-mat.mes-hall] 2020 年 1 月 21 日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\5fca82bc5641f68f1287c784cea762d6a2c5d072.webp)
arXiv:2001.07671v1 [cond-mat.mes-hall] 2020 年 1 月 21 日
静电定义的半导体量子点阵列为量子计算和量子模拟提供了一个有前途的平台。然而，栅极电压与点电位和点间隧道耦合的串扰使器件参数的调整变得复杂。到目前为止，点电位的串扰通常使用所谓的虚拟门来有效地补偿，虚拟门是物理栅极电压的特定线性组合。然而，由于隧道耦合对栅极电压呈指数依赖性，目前通过缓慢的迭代过程来补偿隧道屏障的串扰。在这项工作中，我们表明，可以利用相同的指数依赖性适用于所有栅极这一事实，有效地表征和补偿隧道屏障上的串扰。我们展示了四重量子点阵列中串扰的有效校准，并定义了一组虚拟屏障门，通过它们我们展示了对所有点间隧道耦合的正交控制。我们的方法标志着大规模量子点阵列调谐过程的可扩展性迈出了关键一步。
AN-CM-362 升压转换器。单节 AA 或 AAA 电池手电筒
SLG47513 具有相对较低的电流输出，不适合在高频下驱动高电容负载（如 MOSFET 栅极）。但是，它们的数量充足，不仅可以将它们并联连接以增加输出电流（以及驱动 MOSFET 的能力），还可以组合推挽和开漏输出。这允许分别控制 MOSFET 的开启和关闭时间。在这种情况下，引脚 11、12、13 和 16 配置为 2x 推挽输出，并通过 R1 限流电阻对栅极进行充电和放电。但是引脚 3、4、5、6、8、14 和 15 配置为 2x 开漏输出（引脚 3 和 4 为 1x），直接连接到栅极，并且仅对其电容进行放电，从而加快 MOSFET 的关闭时间，提高转换器效率。
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
p型门的低温传输特性 -
摘要：基于主流的块状结局效果晶体管（Finfet）技术，制造了16 nm-L G P型栅极栅极硅纳米线（Si NW）金属氧化物半氧化物晶体管效应晶体管（MOSFET）。已系统地研究了正常MOSFET的电气特性以及低温时的量子运输的温度依赖性。我们证明了GAA SI NW MOSFET的低温栅极控制能力和身体效应的免疫力，并观察纳米线（110）通道方向子频段结构的两倍退化孔子带的运输。此外，在GAA SI NW MOSFET中证明了明显的弹道传输特性。由于存在典型MOSFET的间隔物，因此在较低的偏差下也成功实现了量子干扰。
5.3 直流 MOSFET 电路 277
当栅极上有正电压时，NMOS 晶体管将导通。但是，我们不知道晶体管是在饱和区还是在三极区工作。我们将假设饱和区工作，解决问题，然后检查假设的有效性。显然，如果我们的假设不成立，我们将不得不再次解决三极区工作的问题。参见图 5.24(b)。由于栅极电压为 5 V，源极电压为 ID ( mA ) × 6 ( k ) = 6 ID ( V ) ，我们有
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
混合 cQED 系统中的微尺度光子源
我们的装置由1/4波长超导谐振器和栅极定义DQD组成，如图1（a）所示。谐振器由超导量子干涉仪（SQUID）阵列[29]组成，其谐振频率fr可调。每个SQUID包含两个约瑟夫森结，其电感与通量有关。在本文中，我们设定谐振器频率fr = 6.758 GHz，总衰减线宽、内部损耗率和外部损耗率为（κ，κi，κe）/2π=（58.9，36.9，22.0）MHz。由于 SQUID 阵列的电感很高，谐振器阻抗 Zr≈1kΩ，远远超过典型共面波导的 50Ω。DQD 由 GaAs/AlGaAs 异质结构中的顶部金属栅极定义，标记为 L、P、U、R 和 D。电子被捕获在 DQD 中，其中两个点的电化学电位可以通过栅极 L、P 和 R 进行调制。然后