摘要:合成微生物联合体在生物技术应用方面具有巨大潜力。然而,由于竞争动态和物种间生长速度不平衡,实现稳定且可重复的共培养具有挑战性。本文,我们提出了一种有效的微生物包封方法,该方法基于涂有 ε-聚-L-赖氨酸 (εPLL-HB) 的海藻酸盐基核壳水凝胶珠。该方法可确保微生物完全封闭,同时允许特征差异很大的几种微生物在珠内持续生长。与壳聚糖和 α-聚-L-赖氨酸(两种最常用的此类包封包覆剂)相比,εPLL 在避免细胞在不同培养条件下和所有测试的微生物菌株逃逸方面表现出优异的性能,同时允许它们在胶囊内增殖。εPLL-HB 能够构建空间组织的共培养,有效地平衡不同生长速度的微生物之间的种群。此外,εPLL-HB 可防止木质纤维素衍生介质中的有毒化合物,并在 -80°C 长期储存后仍能保持其包封效果和活力。εPLL-HB 具有出色的微生物控制、结构完整性和耐化学性,再加上价格低廉和易于制备,使其成为设计合成微生物联合体的多功能工具,在生物技术过程中具有广泛的适用性。
摘要 量子纠缠为研究原子核等强相关系统的底层结构提供了独特的视角。在本文中,我们使用量子信息工具分析核壳模型中轻和中等质量的铍、氧、氖和钙同位素的结构。我们对壳模型价空间的不同均分采用不同的纠缠度量,包括单轨道纠缠、互信息和冯诺依曼熵,并确定与核单粒子轨道的能量、角动量和同位旋相关的模式纠缠模式。我们观察到单轨道纠缠与价核子的数量和壳层的能量结构直接相关,而互信息则突显了质子-质子和中子-中子配对的迹象。质子和中子轨道在所有测量中都是弱纠缠的,事实上,在所有可能的价态空间均分中,它们的冯·诺依曼熵最低。相反,具有相反角动量投影的轨道具有相对较大的熵。这一分析为设计更高效的量子算法以应对嘈杂的中尺度量子时代提供了指导。
伤口愈合是一个复杂的过程,涉及一系列连续重叠的级联事件,这些事件会响应一些外部的化学或物理刺激而发挥作用,并最终通过恢复丢失的组织而导致愈合。1 愈合过程分为四个阶段:止血、炎症、增殖和重塑。2 止血是由血小板激活引起的血凝块形成引发的,这可以防止微生物感染并促进基质组织。在增殖过程中,细胞、结缔组织、生长因子和血管生成因子会在伤口处积聚。重塑涉及细胞外基质的再合成,以维持现有细胞的死亡和新细胞的形成之间的平衡。3,4 然而,伤口恢复进度监测始终是一项重大挑战。在某些情况下,正常的愈合会变得缓慢。
摘要:密集的核-壳纳米线阵列具有作为超吸收介质用于制造高效太阳能电池的巨大潜力。通过对室温光反射 (PR) 光谱的详细线形分析,采用 GaAs 复介电函数的一阶导数高斯和洛伦兹模型,我们报告了具有不同壳厚度的独立 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收特性。纳米线 PR 光谱的线形分析返回了能量在 1.410 和 1.422 eV 之间的双重共振线,这归因于 GaAs 纳米线芯中的应变分裂重空穴和轻空穴激子吸收跃迁。通过对 PR 特征的 Lorentzian 分析评估的激子共振光振荡器强度表明,与参考平面结构相比,纳米线中的 GaAs 带边光吸收显著增强(高达 30 倍)。此外,将积分 Lorentzian 模量的值归一化为每个纳米线集合内的总 GaAs 核体积填充率(相对于相同高度的平面层估计在 0.5-7.0% 范围内),从而首次实现了 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收增强因子的实验估计,该因子在 22-190 范围内,具体取决于纳米线内核-壳结构。如此强的吸收增强归因于周围的 AlGaAs 壳(在目前的纳米结构中,其平均厚度估计在 ∼ 14 到 100 纳米之间)对入射光进入 GaAs 核的波导改善。关键词:III-V 化合物、GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线、光反射光谱、近带边跃迁、增强光吸收、纳米线太阳能电池■简介
摘要:193m Pt 和 195m Pt 放射性核素是具有治疗吸引力的俄歇电子发射体,每次衰变的俄歇电子产量非常高。本文总结了核壳 (Au@Pt) 纳米粒子用于 HER2+ (人表皮生长因子受体 2) 乳腺癌和肝细胞癌的电子俄歇治疗应用的第一步研究。合成了覆盖铂壳的金纳米粒子 (30 nm),效率高 (>80%),并进一步进行了体外研究,例如结合亲和力、内化和细胞毒性。为了找到导致铂在 HepG2 细胞中产生细胞毒性的机制,使用 ICP-MS (电感耦合等离子体质谱) 测定了分离的细胞核和细胞质中的铂浓度。细胞核中缺乏铂表明细胞毒性作用与活性氧 (ROS) 和活性氮 (RNS) 的产生有关。使用合成的靶向生物缀合物 (Au@Pt-PEG-曲妥珠单抗) 对 SKOV-3 细胞系进行的研究表明,该制剂对 HER2+ 细胞具有高亲和力、其内化、其位于核周区域和部分核内位置。对 HER2 阴性细胞 MDA-MB-231 的特异性结合可以忽略不计,Au@Pt-PEG-曲妥珠单抗没有进入这些细胞。获得的结果很有希望,值得未来研究使用 193m Pt 和 195m Pt 放射性药物的俄歇电子疗法。
摘要:富 Ge Ge-Sb-Te 化合物具有较高的结晶温度,是未来相变存储器的理想材料,具有广泛的应用前景。本文,我们报道了通过金属有机化学气相沉积生长的自组装富 Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3 核壳纳米线。核心富 Ge Ge-Sb-Te 纳米线通过气相-液相-固相机制自组装,由 Si (100) 和 SiO 2 /Si 基底上的 Au 纳米粒子催化;随后在室温下进行 Sb 2 Te 3 壳的保形过度生长,以实现核壳异质结构。利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼显微光谱和电子能量损失谱对富Ge Ge-Sb-Te核和富Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3核壳纳米线进行了广泛的表征,以分析其表面形貌、晶体结构、振动特性和元素组成。
完整作者列表:库马尔,拉吉;密歇根大学,药学科学系 Mondal,Kunal;爱达荷国家实验室,材料科学与工程;北卡罗来纳州立大学,化学与生物分子工程 Panda,Pritam;乌普萨拉大学物理与天文学系 Kaushik,Ajeet;佛罗里达理工大学,自然科学 Abolhassani,Reza;南丹麦大学 - 松德堡,MCI/NanoSYD Ahuja,Rajeev;乌普萨拉大学,物理学和天文学 Rubahn,Horst-Gunter;南丹麦大学、马兹·克劳森研究所、NanoSYD Mishra、Yogendra;南丹麦大学 - 松德堡校区、NanoSYD、马兹·克劳森研究所