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III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
1. 职位类型及申请资格
6 天前 — 6 申请程序。 (1) 需提交的文件。 A. 国防部人事考试申请表 (1 份) (照片：4.0cm x 3.0cm) B. 个人简历 (市售) (照片：4.0cm x 3.0cm) 附上)。 *照片标准：申请前 6 个月内...
纳瓦霍族司法部办公室...
盖伊·克拉克 (GUY CLARK)、琳达·科温 (LINDA CORWIN)、克雷格·科温 (CRAIG CORWIN)、理查德·琼斯 (RICHARD JONES)、韦斯利·汉切特 (WESLEY HANCHETT)、迈克尔·赖特 (MICHAEL WRIGHT)，原告 - 上诉人，诉黛布·哈兰德 (DEB HAALAND)，内政部长官方身份；卡米尔·C·图顿 (CAMILLE C. TOUTON)，美国垦务局副局长官方身份；玛莎·威廉姆斯 (MARTHA WILLIAMS)，美国鱼类与野生动物管理局首席副局长官方身份；鲁迪·谢巴拉 (RUDY SHEBALA)，纳瓦霍族自然资源司执行主任官方身份；大卫·泽勒 (DAVID ZELLER)，纳瓦霍族印第安农产品产业负责人官方身份；迈克·哈曼 (MIKE HAMMAN)，新墨西哥州工程师官方身份；罗尔夫·施密特-彼得森 (ROLF SCHMIDT-PETERSEN)，新墨西哥州州际溪流委员会主任官方身份，被告 - 上诉人。
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束