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摘要 - 半导体行业中紧密耦合,高度整体的电路的要求催生了替代的替代媒介创新,例如2.5-D/3-D集成。这种替代方案的令人难以置信的潜力带有巨大的challenges,其中最重要的是包装互连球的前所未有的减少。市场接受新的细节微电源产品在很大程度上取决于与传统的摩尔般的较高绩效期望相吻合而没有成本罚款的传统组装过程的发展。这样一个过程是将通量应用于互连表面以实现有效连接。不足的通量数量或通量活性会阻碍固体,可靠的关节的形成,而过量或活动可能会导致焊接桥梁或下游操作(例如残留物清洁或底部填料)的困难。这种精致的平衡已经对传统芯片连接而言已经很复杂了,这进一步挑战了俯仰小型化所施加的几何和空间减少,尤其是在大型死亡(超过100,000个互连)的情况下。本文提供了一种总体开发方案,可以将通量浸入操作发展为大型模具(8×11×0.780 mm)的生产级热压缩组件,并具有11,343 Ultrafine Pitch(62μm)铜支柱柱互连。在审查了通量技术的最新技术状态并详细介绍了特定的技术问题后,我们介绍并捍卫所选的助剂应用方法及其相应的感兴趣参数。的物理和化学表征对选定的通量材料候选物的结果与分析有关其性质与通量DIP施加参数的相关性的分析。作为这一基本理解的一部分,我们研究并报告了倒入浸入行为以及与其他工业浸入涂料应用的比较。最后,对生产类型环境中的过程组装实验的结果进行了审查,并讨论了先前的特征。这些实验涵盖了下游组装过程兼容性(即清洁和下填充)以及产品可靠性。
已对硅粘结熔模铸造模具的故障机制进行了调查,目的是降低较大部件的故障率。分析首先使用扫描电子显微镜和其他相关分析技术对当前商用模具系统进行详细的微观结构检查。模具结构显示不均匀且不可预测,陶瓷成分填充不良导致孔隙网络不均匀。还确定了粘合剂的结构和分布,这表明模具内的主要承载点由薄的二氧化硅区域组成。因此,模具的整体性能与二氧化硅本身的性能直接相关。这种粘合剂显示含有在模具制造过程中的各个阶段从陶瓷填料中浸出的杂质元素。这些元素会改变粘合剂的相组成和热性能。
烧结的银(Ag)是高温电子应用最有希望的互连材料之一,因为它具有承受苛刻和极端环境的潜力。本文研究了在200°C,250°C,275°C和300°C下在聚合物粘合剂粘合剂中无压烧结下Ag颗粒的微观结构演变,持续2小时。通过在不同烧结温度下对样品上的两维离子束(FIB)观察到的晶粒,颗粒和颈部生长与原子运动和降低表面能的降低有关,这是烧结的驱动力。在这项研究中,聚合物粘合剂中的无压力烧结过程成功地将散射的Ag颗粒转化为紧凑而密集的Ag,在300°C下连接。在300°C下获得的电导率值为5.2E+05 s/cm,这是评估样品中最高的。
我授权以任何传统或电子方式,为学习和研究目的,全部或部分复制和披露本作品,但须注明来源。这项工作是在巴西高等教育人员改进协调机构 (CAPES) - 融资代码 001 的支持下开展的。编目记录由 Biblioteca 教授准备。来自 EESC/USP 的 Sérgio Rodrigues Fontes 博士,数据由作者输入。
UAD Flat No-Leads(QFN)半导体软件包代表了最稳定的芯片载体类型之一,预计随着原始设备制造商(OEMS)努力将更多的信号处理放入较小的空间中,它们可以继续生长。由于其低调的凝结外形,高I/O和高热量耗散,它们是芯片套装固结,小型化和具有高功率密度的芯片的流行选择,尤其是对于汽车和RF市场。与任何软件包一样,可靠性至关重要,并且由于其广泛接受,OEM,集成设备制造商(IDM)以及外包的半导体组装和测试供应商(OSAT)的需求持续提高QFN的可靠性。
本文介绍了增材制造预制件五轴加工的坐标系定义和传输。在该方法中,将一组基准点连接到临时连接到零件的部件上,并使用结构光扫描仪校准它们相对于预制件几何形状的位置。然后可以在机床中测量这些基准点,以确定零件的位置和方向。该方法通过对增材制造的因瓦合金预制件的碳纤维铺层模具进行精加工来演示。除了展示加工零件所需的坐标传输方法外,还讨论了加工增材制造预制件的几个关键挑战,并提出了潜在的解决方案。不幸的是,由于增材工艺留下的零件内部孔隙,最终零件最终无法使用。未来的工作将重新制造该零件,同时采取措施避免孔隙和遇到的其他挑战。© 2022 制造工程师协会 (SME)。由 Elsevier Ltd. 出版。保留所有权利。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)由 NAMRI/SME 科学委员会负责同行评审。关键词:增材制造;铣削;结构光扫描;计量学;基准点
热键合(TSB)是一种模具到die的键合方法,它在粘结过程中将新型的热压缩键合与超声波(美国)焊接结合在一起,因此,在微电子粘结应用中使用了每种质量的最佳质量。最初,TSB主要用于电线键合技术[1]。我们引入的引入通过降低在半导体制造中非常有吸引力的施加的粘结压力和温度来增强键合过程。Flip-Chip键合是针对区域阵列连接的一种无焊的模具到die键合技术(图1)。该方法用于将ICS底部的一系列金色凸起(图2)连接到基板上的镀金垫上。通常使用热压缩键合法[2],这是一个简单,干净且干燥的组装过程。纯热压缩键合通常需要> 300°C的界面温度[2,3]。此温度会损坏包装材料,层压板和一些敏感的微芯片[4]。这种下一个级别的键合解决方案在翻转芯片键合中非常有利,因为界面温度和粘结力通常可以低得多。分别在100至160°C和20和50g/ bump之间[2]。