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直接成像掩模版写入器
下一代成像技术融合了我们可调四波 LED 投影仪技术、新数据处理方法、外部光栅化引擎、无捕获相关数据重新加载、全区域高分辨率缩放、产量和质量改进工具等诸多方面的重大进步。吞吐量：下一代光引擎功能强大，允许您根据吞吐量选择更少的光引擎，从而降低机器投资成本。四波：下一代采用 360、370、390、405nm LED。这些 LED 可以进行调整以匹配光刻胶灵敏度，从而提高成像效率和调整壁陡度，并允许灵活选择光刻胶和阻焊层类型。符合 DART 标准：下一代包括外部光栅化引擎。这允许高速光栅化，包括数字线宽补偿和缩放，无需等待。使用 DART 优化套件进行全过程控制。视觉增强：Miva 的新视觉技术允许特征测量并改善目标获取。 NextGen 的视野更大，使面板放置更加简单，并且无需重新加载与捕获相关的数据。分辨率：NextGen 目前提供 30µm、15µm 或 6µm 分辨率。
多光束掩模版写入过程的多尺度建模
在快速发展的半导体制造领域，多光束掩模版写入机 (MBMW) 已成为光掩模生产的重要工具。光掩模对于不断缩小的半导体元件的生产至关重要。 IMS Nanofabrication 的高性能计算 (HPC) 小组开发的 MBMW 模拟器对理解和改进掩模生产中的写入技术做出了重大贡献。然而，当前 MBMW 模拟方法的一个关键挑战是准确模拟电子背散射等大规模效应的能力有限，而这对于高精度掩模制造至关重要。这项工作通过在 MBMW 模拟器中开发和实施全面的多尺度建模来解决这一差距。主要目标是准确、有效地模拟背散射效应，从而提高模拟器对掩模写入过程中电子散射行为的预测能力。重点是开发一个模型来捕捉不同尺度（从纳米到微米尺度）的反向散射效应。设计模型的目标是模块化和可扩展性。这种灵活性确保了对未来技术发展的适应性和附加模拟模型的集成。实施过程从一维反向散射模拟开始，然后发展到更复杂的二维模型。这种循序渐进的方法不仅提供了对背散射动力学的基本理解，而且还允许对模型进行迭代细化和验证。接下来是错误分析，其中测试模型的能力。这里证明了多尺度方法的准确性和效率，特别是在后向散射起重要作用的场景中。综上所述，这项工作对半导体制造领域做出了重大贡献，特别是在多光束掩模版写入机写入过程的模拟领域。所开发模型的模块化和可扩展性不仅确保了当前的适用性，而且为该领域未来的发展奠定了基础。
先进封装技术助力人工智能硬件的未来
• 混合粘合尺寸：~13 x 29 毫米（0.45x 掩模版） • 顶部的逻辑芯片可改善散热效果 • N5 XCD/CCD 堆叠在 N6 基片（IOD）上 • 垂直带宽高达 17TB/s
CTM-SRAF：基于连续传输掩模的约束感知亚分辨率辅助特征生成
引言在过去的几十年里，集成电路的特征尺寸按照摩尔定律不断缩小。光学光刻已进入低 k -1 区域[1]，[2]，所用光的波长仍为193 nm。因此，使用传统光刻工艺获得高图案保真度和掩模版可印刷性变得越来越具有挑战性。此外，印刷晶圆图像对光刻条件的微小变化变得高度敏感。为了缓解这些问题，对光学光刻中的分辨率增强技术 (RET) 的要求变得更加严格[3]，[4]。最广泛采用的 RET 之一是光学邻近校正 (OPC) [5]，[6]，[7]，[8]，[9]。传统OPC中，光刻掩模版针对主图案进行预失真处理，以补偿印刷晶圆图像的不良失真。然而，随着关键尺寸的缩小和目标图案的复杂化，仅使用OPC很难在足够的工艺窗口下获得令人满意的印刷图像。
第 6 类 - 传感器和激光器 a.“最终产品”、“设备”
6A002 中描述的商品。 (5) 第 744.9 节规定，如果 ECCN 6A002 中描述的商品被出口、再出口或转让（国内）用于军事最终用户使用或纳入 ECCN 0A919 控制的物项，则需要许可证。 (6) 有关“受 ITAR 约束”的读出集成电路，请参阅 USML 类别 XII(e) 和 XV(e)(3)。 (7) 有关 6A002.a.1.b 或 6A002.a.1.d 规定的“专门设计”的光学传感器的掩模和掩模版，请参阅 6B002。
韩国电力局 (256940)
随着KPS第一大股东变更为Doomm株式会社，该公司除了原有的OLED掩膜张力器业务外，正处于向生物公司转型的过程中。第一大股东变更后，增加了生物事业目的，并任命HLB及HLB Life Sciences前首席执行官Kim Ha-yong、HLB及LSK Biopartners创始人Kim Seong-cheol为首席执行官。目前正在开发的OLED混合掩模版有望确保高压市场的中长期竞争力，而对生物业务的期待也有望成为提高估值的因素。
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
通过光刻工艺去除边缘珠
光学光刻技术包括将特定图案从光学掩模转移到沉积在基板上的感光聚合物（通常称为光刻胶）上（Levinson，2005；Mack，2007；Xiao，2012）。因此，第一个主要步骤是沉积均匀的薄膜。这是通过旋涂工艺实现的（Luurtsema，1997）。将少量材料倒入基板中心。然后高速旋转基板，通过离心力将涂层材料摊开。图 1 表示了该过程的示意图。然后，经过热烘烤工艺后，基板通过光学掩模暴露于紫外光源下，以将图案从掩模转移到光刻胶上。曝光会导致光刻胶发生化学变化，当样品浸入溶液深处（称为显影剂）时，可以去除曝光的光刻胶（正片光刻）或未曝光的光刻胶（负片光刻）。通过控制掩模版和光刻胶之间的距离来实现最大分辨率
