XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System横向尺寸
创造甜味和纯化学-Kisco
>>反应：控制放热反应（使用强氧化剂）>>产品：横向尺寸控制，低金属和氯化物含量>>应用：HVDC电缆，电池，辐射屏蔽，轻质重量材料，聚合物复合材料，聚合物复合材料，屏障膜。
对二维（2D）储能应用材料的迷你审查
摘要。发现新的纳米材料被称为二维（2D）材料，引起了广泛的关注，因为它们的独特特征，例如很小的尺寸，高各向异性，高强度，高强度，高Young的模量和出色的灵活性。添加了许多2D材料，包括黑色磷，过渡金属氧化物，Mxene材料，硝酸硼等，由石墨烯发现。最常见的2D材料由于其较大的特定表面积，较大的横向尺寸以及出色的性能和适应性而广泛用于储能设备中。由于环境，导电和催化用途，MXENE材料也引起了人们的关注。二维材料（如石墨烯和Mxene）的合成和应用是本综述论文的主要重点。
椭圆形平面对称介电尾场加速结构中偏转力的抑制
基于尾场的加速器能够将梯度加速比现有加速器高两个数量级，为实现紧凑型高能物理仪器和光源提供了一条途径。然而，对于高梯度加速器，由相应较高的横向尾场驱动的光束不稳定性会限制光束质量。此前的理论表明，可以通过将平面对称介电结构中的光束横向尺寸椭圆化来减小横向尾场。我们在此报告实验测量结果，这些测量结果表明平面对称结构中椭圆光束的横向尾场减小，这与理论模型一致。这些结果可能有助于设计出基于千兆伏/米梯度尾场的加速器，以产生并稳定加速高质量光束。
自由用旋转链的精确热性能 - Orbilu
使用基本代数方法在系统的完整希尔伯特空间中提供了有限温度下的可集成旋转链的确切描述。我们对自旋链模型进行了填充，这些模型接受了自由费的描述，包括范式示例，例如一维横向尺寸量子量子和XY模型。确切的分区函数是得出的，并将其与无处不在的近似值进行了比较，在这种近似中，仅考虑了能量谱的正差异部门。在低温下的临界点附近发现了由于这种近似而产生的误差。我们进一步提供了在热平衡处的一类可观察力的全部计数统计数据，并详细介绍了横向字形量子质量链中的扭结数和横向磁化的方法分布。
支持信息：
图S2。 原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。 （a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。 此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。 （c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。 单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。图S2。原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。（a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。（c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。
XPS-Technique and opplication-in-Thickness-
摘要X射线光电子光谱（XPS）分析技术已广泛应用于半导体制造和故障分析。我们将其用于晶圆制造中的缺陷分析和薄膜表征，并将其用于铜材料的XPS价状态分析。XPS技术也与TOF-SIMS技术共同应用。在晶圆厂，半导体和LED制造中，测量纳米仪范围内超薄膜的厚度非常具有挑战性。通常，TEM被广泛用于超薄薄膜物理测量，但通常其横向尺寸受到限制。在本文中，我们将研究X射线光电子光谱分析技术，该技术采用角度分析技术采用新的分析方法。此外，我们还将新方法应用于Sion膜的分析。在约1.4nm处测量超薄薄膜是实现的。此方法可用于SIO 2厚度测量，在AU上进行自组装的硫醇单层和硅底物上HFO 2的厚度。
Mega Cisterna Magna（MCM）在一个有足够的人的男人中...
Mega Cisterna Magna（MCM）是一种脑发育异常，发生在1％的射线照相图像中。当小脑脊髓储液的横向尺寸大于10 mm时发生。它是颅腔中最重要的水库。从前面，它受到延伸的髓质的限制，从硬脑膜上和小脑限制。该大脑区域结构中的孤立异常通常不会引起任何临床症状。然而，关于小脑参与认知和情感过程的研究，越来越多的关注。这些过程又可能与性生活的调节有关。该研究的目的是介绍一个被诊断为MCM的男子的心理性功能，该男子涉嫌犯下五项性犯罪。与访谈的分析，案例文件的数据以及性别学，心理学和精神病学检查的结果结合在一起，使受访者能够在所谓的行为中指导其行为的能力，同时保持其重要性的能力。
胶体BI2SE3血小板中边缘状态的表征
摘要：具有控制尺寸和表面化学的胶体纳米晶体的显着发展导致了巨大的光电应用。，但是它们还可以形成量子材料的平台，哪种电子相干性是关键的？在这里，我们使用胶体，二维BI 2 SE 3晶体，在100 nm范围内具有精确且均匀的厚度和有限的横向尺寸来研究拓扑绝缘子从三个维度到两个维度的演变。对于4-6个五重列层的厚度，扫描隧道光谱显示出一个8 nm宽的非散发状态，环绕着血小板。我们通过低能连续模型和从头算GW-Tight结合理论讨论了这种边缘状态的性质。我们的结果还提供了设备上此类状态的最大密度的指示。关键字：边缘状态，士兵硒化纳米片，扫描隧道光谱，拓扑绝缘子，密度功能理论，量子旋转厅绝缘子