Module I: P & N Type Semiconductors, Diodes and Power Supplies, Theory of P-N Junction Diode, Junction Capacitance, Halfwave & Fullwave, Rectifiers, Filters, Ripple-Factor, Characteristics & Applications of Following Diodes, Zener as Regulators, Schottkey, Photodiode, LED, LCD, Varactor Diode &Tunnel Diode.模块II:连接晶体管操作理论,静态特性,分解电压,当前电压限制,BJT的偏置不同的偏置布置,稳定性因子,热失控,功率晶体管。模块III:BJT CE,CB,CC放大器的小信号分析和高频分析以及频率响应,增益带宽产品的高频分析计算。功率放大器分类A,B,AB,C类,效率,推拉配置,免费对称性,第二次谐波和交叉扭曲。模块IV:正反馈放大器分类,实际电路,应用,优势。振荡器稳定性,Barkhausen标准,RC,LC和晶体振荡器。模块V:现场效应晶体管和MOSFET,操作和特征原理。
拓扑量子材料的独特电子性能,例如受保护的表面状态和外来的准粒子,可以提供带有垂直磁各向异性磁铁的外部无磁场磁力切换所需的平面自旋偏振电流。常规自旋 - 轨道扭矩(SOT)材料仅提供平面自旋偏振电流,而最近探索的具有较低晶体对称性的材料可提供非常低的平面自旋偏振电流组件,不适用于能量固定的SOT应用。在这里,我们使用拓扑WEYL半候选牛头牛Tairte 4具有较低的晶体对称性,在室温下在室温下表现出大型的脱离平面阻尼样SOT。我们基于Tairte 4 /ni 80 Fe 20异质结构进行了自旋 - 扭矩铁磁共振(STFMR)和第二次谐波霍尔测量,并观察到大型平面外阻尼样的SOT效率。估计平面外旋转大厅的构成为(4.05±0.23)×10 4(ℏ⁄ 2 e)(ωm)-1,这比其他材料中报道的值高的数量级。
摘要:在这项工作中,Ti的直接照射:蓝宝石(100 fs)飞秒激光束在第三次谐波(266 nm)(266 nm),中等重复率(50 Hz和1000 Hz),用于在聚恒定(PS)薄膜上创建正常的周期性纳米结构。在一个斑点区的情况下,获得了50 Hz以及1 kHz的典型低空间频率LIPS(LSFL),并使用线扫描辐照。激光束的功能,重复速率,脉冲数(或辐照时间)和扫描速度,以导致各种周期性纳米结构的形成。发现PS的表面形态在很大的能量(1至20 µ j/pulse)下强烈取决于大量脉冲(10 3至10 7脉冲)的积累。此外,在激光辐照过程中从室温加热至97℃,修饰了纹波的形态,尤其是它们的振幅从12 nm(RT)提高到20 nm。扫描电子显微镜和原子力显微镜用于成像表面结构的形态特征。以选定的速度进行激光梁扫描,可以在聚合物膜上生成良好的纹波,并在大面积上产生均匀性。
复分析(每周 3 节课):复平面的拓扑结构、单连通域和多连通域。同伦版本。扩展复平面的球面表示、解析函数、谐波函数、次谐波函数及其应用、次谐波函数的 Littlewood 条件、复积分、柯西定理和积分公式、缠绕数、柯西估计、莫雷拉定理、刘维尔定理、代数基本定理。最大模原理、施瓦茨引理、泰勒级数、洛朗级数、复函数的零点和极点、亚纯函数。赫尔维茨定理、奇点分类、留数定理、参数原理、鲁什定理和高斯-卢卡斯定理、轮廓积分及其在非正常积分中的应用、实积分的计算、涉及正弦和余弦的非正常积分、涉及正弦和余弦的定积分、通过分支切割积分、保形映射、莫比乌斯变换、施瓦茨-克里斯托费尔变换。韦尔斯特拉斯定理、蒙特尔定理及其在建立维塔利定理中的应用。哈纳克不等式及其在建立哈纳克原理中的应用。数值分析(每周 1 节课):实矩阵的特征值和特征向量:极值特征值和相关特征向量的幂法、对称矩阵的雅可比和 Householders 方法。样条插值:三次样条。函数逼近:最小二乘多项式逼近、正交多项式逼近、切比雪夫多项式、兰佐斯节约法。数值积分:闭式牛顿-柯特公式、高斯求积法。常微分方程(ODE)初值问题的数值解:多步预估-校正法、Adams-Bashforth 方法、Adams-Moulton 方法、Milne 方法、收敛性和稳定性。常微分方程的两点边界值问题:有限差分和 Shooting 方法。参考文献:复分析:1.Churchill, RV 和 Brown, JW,《复变量及其应用》第 5 版,McGrawHill。 1990. 2. Gamelin, TW, “复分析”, Springer-Verlag 2001. 3. Greene R. 和 Krantz, SG, “单复变量函数理论”, 第 3 版, GSM, 第 40 卷, 美国数学学会。2006. 4. Lang, S., “复分析”, Springer –Verlag, 2003. 5. Narasimhan, R. 和 Nivergelt, Y., “单变量复分析”, Birkhauser, 波士顿, 2001. 6.Ahlfors, LV, “复分析”, 第 3 版, McGrawHill, 纽约,1979. 7.Conway, JB “单复变量函数”, Springer –Verlag, 1978. 数值分析:
MAVOWATT 50 能量和功率扰动分析仪可测量直流系统以及带任何负载的单相和三相交流系统中的电量。宽带 8 通道测量频率高达 40 kHz,涵盖从 16.7 Hz 的铁路电力到 50 或 60 Hz 的主电源,直至高达 1 kHz 的车载电气系统。得益于可额外激活的滤波器,还可在变频器的输出端进行测量。除了“通常”测量的电压、电流、频率、功率和能量等量之外,该仪器还可确定和记录根据 EN50160 评估电能质量所需的所有量,例如谐波失真、谐波和次谐波,以及闪烁强度和电压不平衡。可以以 10 ms 的时间分辨率采集电源干扰,例如电压骤降、中断和暂时或瞬时过压(持续时间为 10 µs),并记录其特征值。可以同时连续记录多达 1000 个测量值,这些测量值可从任何测量功能中选择,间隔范围从 0.2 秒到 2 小时。内部非易失性数据存储器可以通过插入式数据存储介质以几乎无限的方式进行扩展。测量或保存的数据和评估可以在仪器上以各种数字和图形视图显示
目前,俄罗斯的储能技术已达到电力系统中普遍实际应用的水平。在各种类型的电力系统中实施储能系统(ESS)是俄罗斯电力工业发展中最重要的趋势之一。高速率储能系统可以比传统方法更有效地解决一系列复杂问题[1-5]。储能系统是一种多功能设备,能够调节有功和无功功率、频率,执行有源滤波高次谐波和补偿三相电压不对称的功能。如今,储能系统应用的最大技术和经济效果首先体现在分布式发电对象、智能电网和微电网(包括使用可再生能源的电网)以及石油和天然气部门的离网发电厂。上述对象的发电主要由柴油机、燃气轮机和燃气发动机组产生。燃气发电机 (GEG) 和柴油发电机组 (DGU) 在结构上具有很高的可靠性,这使得它们能够使用廉价的气体燃料(天然气、丙烷、丁烷、伴生气等),这些燃料通常在石油和天然气生产地很丰富。同时,与 DGU 不同,GEG 具有许多特点 [6]:- 当额定功率突然激增/下降 10-20% 时,GEG 会被技术保护系统关闭;
与小型SAT兼容的系统为4千克质量,10U体积和15W以下的功率。这将通过在Terahertz频率上工作的基于Schottky的杂尼光谱仪来解决这一问题,并在室温下以较大的瞬时带宽和高光谱分辨率进行操作。在保持最先进的性能的同时,满足所有条件的两个主要关键系统参数包括:1)混合器的配置,其外在层定义,匹配的传输线和外壳,2)本地振荡器子系统部分及其校准。表I为当前的设计工作提供了上下文。最佳记录的系统[2]和[3]使用基本平衡的混合器,分别在2 THz处使用5 MW和10-12 MW的局部振荡器功率,可舒适地由二氧化碳泵送的甲醇气体激光器提供。基本混合器的选择是合理的,因为它们在理论上可以比次谐波混合器达到更好的噪声性能[4]。但是,亚谐波拓扑通过将其工作频率降低了两个,从而放松了局部振荡器(LO)源。此配置还避免了使用宽敞的二氧化碳激光器的要求,该激光器远非满足质量/音量/功率标准,并且无法通过Schottky Local振荡器源可以轻松实现光谱可调性[5] [6]。提议的接收器利用了混合器的平面Schottky二极管,并乘以LO。
摘要:薄膜硅锂(TFLN)光子学的最新进展导致了新一代的高性能电磁设备,包括调节器,频率梳子和微波炉到光传感器。然而,依赖于全光非线性的TFLN基于TFLN的设备受到了准阶段匹配(QPM)的敏感性的限制,该设备通过铁电极通过制造公差实现。在这里,我们提出了一个可扩展的制造工艺,旨在改善TFLN中光频率混合器的波长 - 准确性。与常规的极前蚀刻方法相反,我们首先定义了TFLN中的波导,然后执行铁电孔。此序列允许在波导定义之前和之后进行精确的计量学,以完全捕获几何缺陷。系统误差也可以通过测量设备的子集进行校准,以填充QPM设计,以在晶圆上剩余的设备。使用这种方法,我们制造了大量的第二次谐波生成设备,旨在生成737 nm的光,其中73%的靶标在目标波长的5 nm之内。此外,我们还通过覆层沉积展示了设备的热点调整和修剪,前者将约96%的测试设备带到了目标波长。我们的技术使集成量子频转换器,光子对源和光学参数放大器的快速增长,从而促进基于TFLN的非线性频率混合器集成到更复杂和功能性光子系统中。
高质量的III – V狭窄带隙半导体材料具有强旋转 - 轨道耦合和大地E G-FACTOR为高速电子,旋转型和量子计算的领域的下一代应用提供了一个有希望的平台。抗抗氧化抗抗酮(INSB)提供狭窄的带隙,高载体迁移率和较小的有效质量,因此在这种情况下非常吸引人。实际上,近年来,这种伴侣引起了极大的关注。然而,高质量的杂质二维(2D)INSB层非常困难地意识到,由于所有常见的半导体底物的较大晶格不匹配。另一种途径是独立式单晶2D INSB纳米结构,即所谓的纳米层的生长。在这里,我们证明了基于INSB纳米型ags的弹道约瑟夫森结构设备的制造,其ti/nb接触显示,显示出栅极可触发的接近性诱导的超恒电流,最高50 na,在250 mk和可观的多余电流。这些设备显示了次谐波间隙结构的明确特征,表明连接处的相位交通运输和接口的高透明度。这将INSB纳米型植物视为高级量子技术的多功能且方便的2D平台。
在两个平行板之间NS脉冲分解期间的抽象电离波发育中,通过PS电场诱导的第二次谐波(EFISH)生成和动力学建模研究了介电覆盖的电极。结果表明在放电间隙中形成了两个定义明确的电离波,这需要相对较高的初始电子密度。第一个,阳极定向的波是通过施加的电压脉冲“扫地”初始电子产生的。第二波源于阴极和第一波前部之间,由于该区域的场增强,产生了两个波前方,朝相反的方向传播并在等离子体发射图像中观察到。仅通过efish测量值检测到第二波的阳极定向前部,这很可能是由于阴极定向前部靠近壁。测量和建模预测都表现出由第二波的阳极定向前面引起的间隙中心的瞬态电场。在第一个波和第二波后面形成的等离子体域之间的边界,在等离子体发射图像中观察到,通过EFISH测量值检测到,并通过建模计算进行了预测。模型在放电脉冲结束时预测的电子密度和耦合的能量分布几乎是统一的,除了在阴极 - 粘合壁附近,在该壁附近,该模型的适用性尚不确定,并且无法访问Efish测量值。