摘要:在这项工作中,我们报告了使用镍(Ni)和金(AU)薄层关联,退火后层分布在P型GAN上形成高质量欧姆接触的重要性。研究了标准gan/ni/au及其反向,p型gan上的gan/au/ni均已被研究。AU/NI堆栈在这项研究中表现出最有希望的结果。虽然标准的Ni/au接触表现出准线性电流(I-V)的特征,但其对应物Au/Ni表现出纯欧姆行为,具有特定的接触电阻(ρC)低至2.0×10-4Ω.cm²,在500分钟的高空下均为500分钟后,均高达2.0×10-4Ω.cm²。X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析表明,在退火过程中,层的不完全反转导致GAN/Ni/ni/au/niO堆栈,这解释了为什么Ni/Au触点显示出较低的电性能。另一方面,对于在相同条件下退火的AU/NI触点,可以将优秀的结果归因于(i)(i)与GAN界面处的金层存在,从而使Gallide固体溶液(GA-AU)和(ii)形成了NIO直接与P-GAN接触。已知这两种机制会导致在P型GAN上形成良好的欧姆接触。这些结果表明,尽管Ni/Au是P-GAN层的标准接触,但相反的堆栈(AU/Ni)提供了最佳的欧姆行为。这对于实现gan功率二极管或晶体管的最佳性能至关重要。
当电子通过电路移动时,它们会与电路和电路中的离子和原子相撞。这会引起电荷流的阻力。电阻单位是欧姆(ω)。一条长线比短线具有更大的电阻性,因为电子在通过更长的电线时与更多的离子碰撞。可以通过测量电流和电势差来找到电气组件的电阻:
电子和空穴对以及(ii)强氧化还原电位以支持材料间的高电子转移。2先进纳米结构和纳米层状光催化剂的出现为多学科研究开辟了道路,旨在定制物理化学、结构和光电特性,以促进增强有机污染物的催化作用。增强催化性能和材料可见光活化的选择包括半导体的金属或非金属掺杂3和石墨烯等催化纳米结构的缺陷工程。4最有前途的工程策略涉及电子屏障的设计,它被引入导电层和半导体层的交界处。5导电层(通常是金属或碳表面)与半导体材料(通常是金属氧化物)之间的界面可能导致两种类型的结的形成,即欧姆结或肖特基结。 6 一方面,当半导体材料提供比导电材料更高的功函数时,就会形成欧姆结。 7 然而,欧姆接触在金属和导电材料之间提供了持续的电子流。
EM16R 可直接读取欧姆米的视在地面电阻率。如果相位角为 45°,则电阻率读数为真实值,地球与勘探深度(即表皮深度)一致。任何偏离 45° 相位的情况都表明地球是分层的。每台仪器都提供两层解释曲线,以便根据两层地球模型进行解释。
摘要:一种前微型图案的渗透过程,用于制造Ti/al/ti/ti/tin ohmic接触到超薄式级别(UTB)Algan/gan异质结构,其欧姆接触电阻率明显降低了0.56ω·Mm的欧欧米触点电阻率为0.56ω·Mm,在同步型柔和的550°MM处于550°C c。板电阻随着电源定律的温度而增加,指数为+2.58,而特定的接触电阻率随温度而降低。接触机制可以通过热场射击(TFE)很好地描述。提取的Schottky屏障高度和电子浓度为0.31 eV和5.52×10 18 cm -3,这表明欧姆金属与UTB-ALGAN以及GAN缓冲液之间的亲密接触。尽管需要深入研究,但揭示了欧姆的透射长度与微图案大小之间的良好相关性。使用拟议的无AU欧姆式融合技术制造了初步的CMOS-PROCOSS-PROCESS-COMPAT-IS-INBLE-METAL-MUNS-DEMENDORATOR-极性高动力晶体管(MIS-HEMT)。
桥配置:四分之一桥、四分之一动态桥、半桥和全桥;可通过开关选择 桥完成:开关选择 120 欧姆或 350 欧姆内部精密完成电阻 桥激励:前面板可调、隔离 1.25VDC 至 15.0VDC;前面板开/关开关;为电压表提供的监视器插孔 桥平衡:前面板按钮或遥控器激活自动桥平衡循环 LED 指示不平衡状态 操作模式:开关选择交流耦合、直流耦合、零、直流校准或外部校准信号 增益:主通道:前面板 1- 5000;直流通道:板上安装跳线可选择增益 1、100、200、500 频率响应:直流至 100kHz,滤波器为 200、500、5k、16k、32kHz 直流通道:直流至 10Hz 校准:分流校准或外部校准 信号输出:±10V 最大值,100mA 峰值负载 输出限制:如果输出信号超过 1VRMS,前面板 LED 灯亮 输出噪声:2.5mV RMS RTI 最大值,G=1000 时直流至 32kHz 根据所需的通道数,可提供各种机架适配器
型号152-1电阻仪采用了一种测量技术,该技术符合ANSI/ESD关联标准,用于测量表面电阻,电阻率和音量电阻,并具有出色的测量准确性,并且使用点对点探针或两点探测器的测量范围为10至10欧姆。测得的电阻值清楚地显示在高对比度LCD显示屏上。有各种探针可用,配件选项包括步行测试适配器
• 接触电阻在 1 分钟内迅速减小。然后在接下来的一个小时内逐渐减小。• 如果随后关闭开关并重复测试,则新的起始电阻会更低。• 如果关闭开关并保持关闭状态。下次打开时,接触电阻会再次升高。• 与 MEMS 开关的文献一致。• 注意:即使最高的接触电阻仍然相对较低(小于 2 欧姆)。
电阻器。全新和未使用过的 Erie 和 Dubilier 电阻器。我们已获得另一批优质电阻器,现提供如下。1 瓦 8/6/100,2 瓦 12/6/100,1 瓦 9 型绝缘 15/-/100,1 瓦标准型 15/-/100,2 瓦 20/-/100,5 瓦 25/-/100。所有值均在 100 欧姆和 6.8 兆欧姆之间。或取 100 个样品,如下所示:20 瓦、25 瓦、20 1 瓦绝缘、20 1 瓦标准、10 2 瓦、5 5 瓦,至少有 30 个不同值,价格为 14/-。线绕。5 瓦。以欧姆为单位的数值。15、20、25、50、75、100、150、175、200、250、500、750、1000,所有线端均为每打 6/- 元。各种规格。美国 GROVES、UEI。玻璃。25 欧姆 5 瓦、175 欧姆、200 欧姆和 3k、7 瓦、175 欧姆 10 瓦、2k 20 瓦、5k、8k、10k、15k、25 瓦特,每个均为 1/6。Groves。I lkin。玻璃 25k 和 50k 80 瓦,每个为 3/- 元。 RCA 8k 和 16k 120 瓦,每只 3 /-。美国旋入式元件,用于 4336 Tx 5/6。示波器。由著名的英国制造商制造。黑色裂纹钢外壳,尺寸 12 x 8 x 箱。用于交流电源 230/200v 50cy。电子管尺寸 3 英寸(绿色)。硬电子管时基连续可变,从 5 到 250,000 cds 推挽式“x”偏转电路,TB 波形引出到单独的端子,用于摆动器工作或同步。提供回扫抑制。推挽式“Y”偏转电路,电平从 15 到 300,000 cos 所有常用控制和使用直流电压表测量交流波形幅度的装置。单独的同步放大器,无控制交互。配有所有测试导线和说明手册。它们是全新的,装在原装纸箱中。并且代表着 19/10/0 英镑的不可重复的便宜货。Carr。已付。电子键控器。230v 50cy。交流电源。我们自己生产。灰色裂纹钢外壳 9 x 7 x 6 英寸。适用于所有 5 个阀门。控制点、划和间距,速度控制连续可变,从每分钟 10 个以下到每分钟 60 个,字符完美形成。这是精密的一流操作,操作简单。Carr。已付 612/10/0。晶体。1000 kc Valpey、Bliley 或 Somerset,标准针距,20/-。RCA 100 kc 子标准,20/-。Western Elec。500 kc Ft 243 支架,英寸针距,7/6。全系列 Western IF 自由波段。450、465 Kc 等,每种 12/6。业余和商业波段。G3 Si Xtals 经过精密研磨,并经过酸蚀以达到最终频率。有 Ft 243 支架、¡in. 英国、;in. 美国或 ;in. P.5 支架可供选择。您可以自行选择 2 Mc 到 10 Mc 的频率。我们将以每台 15/- 的价格将所选频率的 1 Kc 以内发货,并准确校准频率。明确标记。小数点 frgs 会收取少量额外费用。我们还承担校准或重新磨平您自己的晶体,收费非常合理且象征性。本月特价。7290 Kc ñin. IOx 型标准英国支架、GEC、标准等。每个 7/6。CONNOISSIEUR 轻型拾音器。Connoissieur 标准轻型拾音器,配有输入变压器,全新且已装箱。定价 E4/10/5 含税。结算价为每个 £1/6/10。可批量出口。美国信号兵团。轻型速度键。1.38 带曲臂。3/9。同上,带短路杆 5/-。美国信号 J5a 防火 3/-。英国皇家空军 Mk2 Nr2 2/-。ATKINS 465 Kc IF 变压器。粉尘铁芯调谐每个 4/6,同上 Wearite 552 型,每个 465 Kc 6/-。Weymouth P2 微型 IF,每个 465 Kc 4/ -。Wearite 线圈 P 型。以下产品现在仅以每件 2/- PA、4、5、6 和 7 的价格提供。PHF4、5、6 和 7。- F04、5 和 6。AF、RF、BFO。Weymouth 线圈。以下产品每件 2/6,DAI、DA3、DA6、KAI、KH I、KOI、DH6、DOI、DO3、DO6、HOI、HO4、KO2、KA2、HA4、MSC3、QI IF 滤波器、CS3 W3 每 het 三波,每对带电路 4/-。Weymouth 和 Wearite 线圈组也可用,详情请咨询。