EMC技术表面安装座(CR)具有极高功率等级的芯片电阻可用于从DC到30.0 GHz的应用中,并且非常适合军事和空间应用,因为它们具有高功率,广泛的频率响应和较小的轻量级尺寸。它们是使用所有薄膜结构制造的,并具有薄膜金色饰面,既可以粘合又可售。由于其总薄膜结构,它们是峰值功率应用的理想选择。标准芯片和基于MILPRF-55342的高可靠性测试版本也可用。从胶带和卷轴,散装或华夫饼包装中进行选择。这些产品是免费的,ROHS投诉和S级批准。标准可用值为50和100欧姆。直接与我们联系以获得非标准电阻值。
频率范围: 10W 时为 1.3 至 1.55 GHz 输出功率: 5W 时为 4.4 至 5 GHz 10W 时为 5.0 至 5.3 GHz 2W 时为 6.8 至 7.3 GHz 控制模式: 手动:3 个输出功率级别 远程:通过 HDT 发射器 输入电平:+13 dBm 至 +20 dBm 连接器: 电源:MS3112E12-3P 远程:D38999/24 2 x N 型母头(50 欧姆) 电源电压:9 - 36 V DC 保护功能:反向电压反向 RF 外壳:铣削铝 功耗:取决于输出功率 工作温度范围:-20 至 50 ºC 机械尺寸:251 x 127.5 x 94.5 mm 重量:约2.5 公斤
OLCT10N 上有两个电缆入口,一个用于输入信号,另一个用于输出信号 - 用于将单条线路上的多个变送器以数字方式连接到 MX43 控制器。数字模块通过 2 对绞合电缆连接,每对至少 4 x 0.22 m²,类型为 MPI-22A,标称电阻为 120 欧姆。该电缆在一对上传输 RS485(A 和 B)信号,在另一对上传输连接到线路的模块电源(0-24 VDC)。+ 24 VDC、0V、A、B 端子分别连接到线路上其他模块的 +24VDC、0V、A、B 端子,然后连接到中央单元上相应线路的连接器。电缆屏蔽层必须连接到 MX43 的接地杆。
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统
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介绍了一种用于混合电压的数字双向输入/输出 (I/O) 垫片缓冲器的新电路设计。数字双向 I/O 缓冲器通过将输出阻抗与传输线的 50 欧姆相匹配来避免反射,并通过增加输出阻抗使过冲和下冲低于 300mV。数字双向 I/O 垫片缓冲器提供输入和输出之间的最小延迟以及最小上升和下降时间。所提出的数字双向 I/O 垫片缓冲器是在 Cadence 中使用 TSMC 0.18um CMOS 工艺进行设计、仿真和布局的,线性电阻元件电连接到 I/O 垫片以限制处理的数据 I/O 信号。输出上升时间和下降时间分别为 0.42 ns 和 0.93 ns,负载为 3pF。最终芯片面积仅为 5 um 2
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统
点火和分级控制器 (ISC) 为固体火箭助推器发动机点火和运载火箭/导弹分级分离事件提供烟火点火能量。ISC 与标准 1 欧姆启动器接口,符合 NASA 标准启动器标准。该装置能够满足低压启动器电流和能量要求,并可连接极长的电缆。ISC 使用电容放电点火电路,无需专用烟火电池,从而简化了航空电子设备架构。ISC 具有独特的双容错功能,专为高度可靠的载人 NASA 太空发射系统 (SLS) 飞行器而设计。ISC 设计为可更换线路单元,其独特的模块化设计允许根据特定任务要求配置点火电路数量。ISC 还可用于各种航天器烟火驱动部署和分离应用。
1。Steubenstrasse/DürerStrasse2。伏特拉斯/欧姆斯特拉斯/自行车脚步3 Trasse 9 。 Romorantinanlage/Long-Eaton-Anlage 20. + 21. 城市公园入口 22. An der Rechte Wiese 23. Leukertsweg/Südliche Ringstraße 24. Egelsbacher Straße 25. Darmstädter Straße(消防局) 26. 公墓 /Am Bergfried 27. Naturfreundehaus 28. Südliche Ringstraße/Friedhofstraße 29. Im Singes/Hügelstraße 30. Dieburger Straße/Freibad 停车场 31. Theodor-Heuß-Straße(集装箱场地) 32. Paddelteich 停车场 33. Bahnstraße/Neckarstraße 拐角处
1。简介:尤其是氮化物的独特固有特性,尤其是甘恩捕获了未来MM - 波应用的半导体市场[1]。表现出高载体迁移率以及高饱和速度的能力,使基于GAN的设备适合MM - 波动应用[2]。所声称的基于GAN的设备的明显高性能[3] [4]实际上取决于各种因素。这些包括EPI - 层堆栈的质量[5] [6],以及针对欧米克和肖特基触点实施的质量和金属方案[7] [8]。EPI - 层工程专注于最大程度地减少晶界和外延缺陷,以提高RF性能[6] [9]。另一方面,欧姆金属工程专门集中于降低接触电阻,以兼容高速操作[7] [10],而不是Schottky接触工程,该联络工程具有特定的目标,可以实现下门